用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响.若探针针尖半径为r0,测量斜面的角度为ξ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时,可以近似认为深度分辨率为7.86r0sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

二探针扩展电阻分布法在IC芯片制造中的应用

论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据.二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电阻.总结了为提高测试准确性,在测试中需要注意的事项.较高的空间分辨率和先进的多层算法,使二探针扩展电阻分布法能够测试多种结构复杂的样品.因此,在IC芯片制造过程中,二探针扩展电阻分布法广泛应用于外延、注入和扩散等工艺,为工程师调试新工艺、优化工艺条件以及进行失效分析等工作,提供电阻率.深度曲线图和载流子浓度-深度曲线图等数据.     

快速自动测量的扩展电阻探针

一 引言 由于扩展电阻探针测量半导体材料电阻率具有极高的空间分辨率(一般可达10~(-9)cm~3),因此它被用来测量电阻率的微区分布和研究各种缺陷的电学行为等。 大规模集成电路的飞跃发展,对半导体材料提出了各种新的要求。为了提高器件性能和成品率,要求元件参数的一致性,对材料的完整性和均匀性就提出了苛刻的要求。为使扩展电阻法在研究适用于     

扩展电阻技术及其应用

本文详细地介绍了包括实验装置、测量程序和数据分析在内的扩展电阻技术.基于这种技术制成了自动两探针扩展电阻测试设备,在离子注入硅片表面得到的测量重复性介于1～3%,在单晶样品上电阻率的测量误差不大于15%.借助扩展电阻技术得到的掺杂分布能与C—V法结合阳极氧化剥层技术得到的分布相一致.基于单层突变结理论,使用计算机计算了修正因子.最后,详细阐述了扩展电阻技术的应用.     

半自动单探针扩展电阻法测量电阻率

本文介绍了扩展电阻的基本概念,扩展电阻测量的原理、装置、操作及测量结果和讨论.本半自动化测量系统.对于ρ在~(-3)～几十欧姆·厘米的硅单晶,其测量精确度达10%之内.     

扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析

扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度.实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差.另外一方面存在于测试过程,测试仪两探针起始位置偏离样品表面和研磨斜面的边界线造成的误差.由样品制备引起的误差占实际误差的大多数,所有误差均可通过计算公式进行修正.     

三探针法测量硅外延材料电阻率的局限性

近来发现某些管芯失效的原因之一,是由于三探针击穿电压法给出的外延层电阴率数据与实际外延层电阻率数据不符而造成的.对此问题,我们利用美国SSM公司的ASR-100c/z自动扩展电阻探针对三探针测量过的外延材料进行了对比测量.分析讨论了三探针法的测量局限性.特别就大家容易忽视的“穿通”现象进行了讨论,同时亦介绍了采用扩展电阻法测试硅外延材料电阻率分布的优越性.     

绝缘边界对扩展电阻测量的影响

本文根据镜象法的原理,从理论上导出了不同情况下,直线形和圆形绝缘边界对扩展电阻测量影响的数学表达式,并用实验加以证实.在磨角的斜面上进行纵向杂质浓度分布的扩展电阻测量时,必须计及结附近绝缘边界的修正,以免导致错误.     

用自动扩展电阻探针仪测量HgCdTe晶片微区电阻率分布

测量HgCdTe组分均匀性已有许多方法,但有些方法中仪器设备昂贵。而较为简单的方法,只能估算晶片的平均组分,不能测组分分布。我们采用我所和复旦大学共同研制的SR-2自动扩展电阻探针仪,测量HgCdTe晶体微区电阻率分布,由此反映HgCdTe横向组分均匀性,获得了满意的结果,认为它是一种简便、实用而又比较精确的方法。     

Si~+/B~+双注入单晶硅的快速热退火

用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结,其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。     

扩展电阻技术在硅,硅基材料测试中的应用

本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。     

扩展电阻修正因子的计算

根据单层突变结理论,借助电子计算机计算扩展电阻修正因子.以表格的形式给出修正因子与H_1=h_1/a和k_1=p_2-p_1/p_2+p_1的函数关系.在没有计算机的条件下,这些数表可用于手工修正.     

Spreading Resistance as a Function of Frequency

The equivalent circuit applicable to most semiconductor diodes contains a term R/sub s/ called the spreading resistance which is a very critical parameter of any diode. In a mixer diode, R/sub s/ limits the conversion efficiency and increases the noise temperature. In parametric amplifiers, R/sub s/ affects the overall impedance levels and determines the minimum noise figure of which the amplifier is capable. In harmonic generators it drastically affects the conversion efficiency, as it dissipates power not only at the input and output harmonic frequencies but also at every idler frequency for which current may flow through the diode. This paper details more specifically the problems encountered when high frequency operation must be evaluated. The cylindrical capacitor is examined with emphasis on the configuration which applies to the variable-capacitor diode, which is used primarily for harmonic power generation. The point-contact diode configuration is examined and the field equations are derived in terms of the oblate spheroidal coordinates. It is shown that this is the natural coordinate system for such an analysis and that the spreading resistance is quite easily derived in this system.     

扩展电阻修正因子的快速计算方法

<正> 一、引言 本文提出了在积分变量较小的区域用三次函数插值代替二次函数插值的方法计算扩展电阻修正因子;进一步简化了修正因子的计算公式;并用TASC编译程序对用BASIC语言编写的,程序进行编译;从而使修正因子的计算精度有较大的提高,计算速度提高了约30倍。     

圆片测试中探针接触电阻的影响与改善方法

介绍了影响探针接触电阻的几个因素,探讨了在测试过程中探针表面的变化以及接触电阻变大的原因、接触电阻对测试的影响。提出了几种控制接触电阻的办法,从材料、探针卡制作方面控制接触电阻的产生,在测试生产过程中通过定期清针、吹氮气等方式减少针尖损耗并减小接触电阻,在测试技术上采用双针开尔文连接和其他一些优化方式避免接触电阻对电参数测试的影响。通过以上方式有效提高了测试准确性和测试过程的顺畅性。     

大功率LED散热鳍片扩撒热阻研究

通过设计两组实验,利用热分析软件Flotherm模拟各模型热分布情况,分析了影响LED散热鳍片扩散热阻的各个因素。结果表明:热源与鳍片的接触面积是影响扩散热阻的主要因素,接触面积愈大扩散热阻愈小,当接触面积与鳍片基座面积相等时,扩散热阻消失;扩散热阻随着鳍片基座厚度增加而减小,冷却空气流速对扩散热阻的影响很小。