一个金属-半导体-金属光电探测器等效电路模型

本文提出了一个新的基于外端口直流、交流特性的金属-半导体-金属光电二极管(MSM PD)的等效电路模型,同时给出了直流模型和电容模型参数的物理含义,利用该模型得到的模拟结果和实测结果吻合很好。     

低喑电流InGaAs金属—半导体—金属光电探测器

首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｍｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减少了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属８光电探测器暗电流的有效途径。     

GaAs MsM光电探测器暗电流特性

据根金属－半导体－金属光电探测器内的能带结构以及热电子发射与扩散理论相结合的模型，导出了ＭＳＭ光电探测器暗电流的计算公式，并用数据计算方法了不同距离和不同掺杂浓度与暗电流的关系，为设计低暗电流ＭＳＭ光电探测器提供了依据。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟

无势垒增强型的金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析，文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化的为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，其结果与实验的相符。     

金属半导体金属光探测器电路模型的研究

本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的ＭＳＭ－ＰＤ电路模型。采用该模型对一个ＧａＡｓ ＭＳＭ－ＰＤ的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。     

一种新型结构的a—SiN：H／a—Si：H多层雪崩光电二极管

本文提出一种新结构的多层膜异质结雪崩光电二极管（ＡＰＤ）－穿通沟道型，对标志其性能的两个重要参数－倍增因子Ｍ和额外噪声因子Ｆ。做了定性分析，从理论上推导出Ｍ和Ｆｅ的定量表达式，并详细讨论了此种结构中载流子输运的微观机制。通过对实验室制备的穿通沟道型ＡＰＤ的测试及对测试结果的分析，提出一种新模型－隧穿模型，由实验曲线计算Ｍ，当ＶＲ＝－１３Ｖ时，Ｍｅ＝５．８，额外噪声因子Ｆｅ＝１．４８。     

耐振动抗冲击光电倍增管

耐振动冲击光电倍增管有金属－玻璃与金属－陶瓷两类器件，后者提供了最优越的耐振动抗冲击性能，本文介绍了这类管子的一些性能，特别是索恩ＥＭＩ公司的金属－陶瓷器件。     

金属／绝缘层／金属隧道结构的粗糙度与发光光谱的关系

在金属／绝缘层／金属（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ，ＭＩＭ）隧道绍发光中，粗糙度与表面等离电磁量子（ＳｕｒｆａｃｅＰｌａｓｍｏｎＰｏｌａｒｉｔｏｎ，ＳＰＰ）的耦合起着非常重要的作用，本文利用原子力显微镜摄得发光ＭＩＭ隧道结粗糙表面的照片，研究了粗糙度分布的统计结果与测得的发光光谱之间的关系。     

低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器

首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属光电探测器暗电流的有效途径     

PIN光电探测器等效电路模型研究

本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型，该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS（TsinghuaMicrowaveSpice）中完成，可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测，模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致，最后讨论了适用于金属－半导体－金属（MSM）光电二极管的修正模型．