非晶SiHxOy薄膜的强可见荧光

采用PECVD方法制备了非晶SiHxOy薄膜,室温下观察到了性能稳定的强荧光发射现象,其中365nm、470nm、730nm三个带由分立能级的荧光峰组成,说明这些荧光带起源于氧有关的能级.通过能级间相对荧光强度的变化解释了发射带中心位置的移动现象.     

电气和电子工程用材料科学

TB43 01020026非晶SIHJO、薄膜的强可见荧光/黄chong,石旺舟,欧阳艳东(汕头大学)11应用激光一2 00。,20(3).一124一126采用P ECVD方法制备了非晶siH二O,薄膜,室温下观察到了性能稳定的弧荧光发射现象,其中365nm、47Onm、73伍,m三个带由分立能级的荧光峰组成,说明了这些荧光带起源于氧有关的能级.通过能级间相对荧光强度的变化解释了发射带中心位置的移动现象.图3参2(许)成功地解决了硅的氧化问题.图6参11(木)TB43 01020027在不同衬底上用纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜/杨洁,顾鼎熙,石勇,李迅,王成新,韩永昊,刘洪武(吉林大学)11吉林…     

掺铒光纤损耗谱分析

~~且波长在600～1200nm之间,掺铒光纤比SiO2系单模光纤多出三个吸收峰,这三个峰分别对应着620nm、760nm、980nm的波长,620nm、760nm处的吸收峰是铒离子的吸收带造成的,铒离子在这两点的吸收中心波长是650nm、800nm,出现波长的偏移与我们的曲线拟合方法有关;而且与实验设备的分辨率有关。这也可能由于铒离子处于光纤中必然要受到SiO2分子的作用,从而改变了铒离子的能级分布。如图4所示,能级上虚线表示斯塔克分裂,铒离子的吸收和荧光发射主要在下列能级的波长上发生:800nm、980nm、1480nm、1530nm,其中前三个波长为吸收波长,1530nm为荧光发…     

ZnWO_4∶Cr~(3+)激光晶体的发光特性

研究了ZnWO_4Cr~(3+)激光晶体的发光特性,其中~4T_2能级分裂为13550、14205、14706cm~(-1)三个能级,荧光谱的斯托克斯漂移为3567cm~(-1),ZnWO4∶Cr~(3+)晶体的最强荧光峰位于912nm,最佳激发峰在622nm,掺杂浓度在0.01％时,荧光发射最强。用532nm激发时仍有很强的荧光发射。     

应用共振跃迁下能级集居数变化现象测定激光波长

应用激光激发共振跃迁下能级集居数减少,同时发射负信号荧光现象,测定与铀原子605.134nm跃迁共振的激光波长,本方法与文献[4]的方法结合,可准确可靠测定与一切原子或离子实际存在跃迁共振的激光波长。     

氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光

利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细结构,其中: 间位Mg(Mgi)能级(导带下170meV)到替位Mg(MgGa)受主能级(价带上250meV)的跃迁产生了415nm发光峰; 该能级到价带上390meV能级的跃迁,以及带有紧邻N空位的替位Mg(MgGaVN)能级(导带下310meV)到 MgGa受主能级的跃迁,均产生了438nm发光峰.另外,退火使GaN晶格结构部分恢复,再现了黄带发射.     

氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光

利用低压MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了GaN,用离子注入法掺入Mg杂质,退火后,进行光致发光测量,观察到显著的蓝光发射和黄带发射.光谱分析给出了与注入Mg离子相关的GaN禁带中能级的精细结构,其中: 间位Mg(Mgi)能级(导带下170meV)到替位Mg(MgGa)受主能级(价带上250meV)的跃迁产生了415nm发光峰; 该能级到价带上390meV能级的跃迁,以及带有紧邻N空位的替位Mg(MgGaVN)能级(导带下310meV)到 MgGa受主能级的跃迁,均产生了438nm发光峰.另外,退火使GaN晶格结构部分恢复,再现了黄带发射.     

利用磁控溅射及热氧化制备ZnO纳米棒及其光致发光特性

在Si(111)衬底上热氧化射频磁控溅射金属锌并经退火处理后,成功制备出ZnO纳米棒.用XRD,SEM和TEM对样品的晶体结构、表面形貌进行了研究.经PL谱分析表明,在波长为280 nm的光激发下,在372 nm处有强近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射.     

α-SiOxNy薄膜中分立能级的光发射

采用PECVD法制备了α-SiOxNy薄膜,观察到两组分立能级的强荧光发射,一组位于紫外光波段,由三个可分辨的发射峰组成,波长分别为330、340和345nm;另一组位于红光波段,由两个发射峰组成,波长分别为735nm和745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强,达到饱和值后,随着其含量的进一步增加而下降.这表明发射峰可能起源于O-Si-N结合而形成的发光中心.     

Li、Mg掺杂ZnO薄膜PL特性研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Li、Mg掺杂的ZnO薄膜,研究了薄膜的光致发光(PL)性能。结果表明,由氧缺位引起的深能级发光峰(450~470 nm)的强度随Li和Mg掺杂量的增加而下降。Mg的添加会使薄膜的带边发射(NBE)增强,而Li的掺杂抑制了NBE峰,同时引发403 nm的Li杂质能级峰,该能级位于价带顶0.29 eV处。     

双光子激发二氢卟吩衍生物的光物理特性

用飞秒脉冲激光,研究了二氢卟吩光敏剂CPD3分子在双光子激发(TPE)下的光物理过程。报道了该分子在四氢呋喃(THF)溶剂中的TPE荧光光谱及其寿命,以及在波长800nm处的双光子吸收(TPA)截面,其中,TPE与单光子激发(OPE)的荧光光谱形状一致,具有相同的荧光发射带,荧光寿命分别为5.1ns和5.7ns;在波长800nm处的TPA截面σ2≈12.5×10-22cm4/GW。本文分析表明:在TPE下,该分子跃迁到激发态S2,经历了无辐射弛豫到达OPE的同一荧光能级,呈现激发Q带所产生的正常的荧光发射;该分子具有大的TPA截面是起源于该分子的刚性平面共轭结构所固有的线性吸收特性和TPA共振增强;CPD3作为光动力治疗(PDT)的光敏剂,又具有长波长的荧光发射、ns级的荧光寿命和大的TPA截面特性,这些双重特性使其有可能成为双光子荧光分子探针,借助于双光子荧光显微和成像技术,在分子水平上揭开PDT光敏药物与细胞器的结合特性和作用靶点等深层次问题。     

Er:GSGG 晶体的光谱性质分析及激光特性模拟研究

测试和分析了Er:GSGG的吸收光谱和荧光光谱。应用Judd-Ofelt理论计算了Er3+的强度参数、自发辐射跃迁几率、能级寿命、荧光分支比和吸收截面。结果表明,Er3+在4I13/2和4I11/2能级有较长的能级寿命,在966nm和790nm处有较大的吸收截面,在2.79µm处有较大的积分发射截面值,数值模拟了在966nm泵浦下激光输出特性,在泵浦速率达到一定值时,有较高的量子效率。结果表明Er:GSGG有望成为2.79µm波段的理想激光晶体。     

α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射

采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .     

不同波长泵浦的掺铒Al2O3薄膜光波导1．53μm荧光特性

本文通过分析饵的能级结构,考虑了合作上转换、激发态吸收及交叉驰豫等上转换机制,给出了掺铒（Er^3 )Al2O3薄膜光波导1480nm、80nm和820nm3种泵浦波长下的速率方程,通过求稳态解,分析了3种波长泵浦时发射的1．53μm荧光特性以及合作上转换和激光态吸收对荧光的影响,结果表明利用980nm波长泵浦时可得到相对较强的1．53μm荧光,产浦强度时激发态吸收对荧光影响较大,而在高掺（Er^3 ）浓度时合作上转换占主导地位。     

Yb:ZnWO4激光晶体的光谱特征

采用Czochralsk i法生长出光学质量较高的Yb:ZnWO4单晶,通过偏振吸收光谱、荧光光谱的测量计算出其吸收截面为3.0×10-20cm2、发射截面为2.0×10-20cm2和荧光寿命为1.15ms,并推导Yb3+的Stark分裂能级。实验表明,Yb:ZnWO4在近红外972nm处有强吸收峰,发射光谱是从914nm到1055nm的宽带,荧光寿命长,是一种新型LD抽运的可调谐激光晶体。     

Yb∶ZnWO_4激光晶体的光谱特征

采用Czochralsk i法生长出光学质量较高的Yb∶ZnWO4单晶,通过偏振吸收光谱、荧光光谱的测量计算出其吸收截面为3.0×10-20cm2、发射截面为2.0×10-20cm2和荧光寿命为1.15m s,并推导Yb3 的Stark分裂能级。实验表明,Yb∶ZnWO4在近红外972nm处有强吸收峰,发射光谱是从914nm到1055nm的宽带,荧光寿命长,是一种新型LD抽运的可调谐激光晶体。     

GaAs中缺陷的光致发光研究

用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.     

准分子离子Kr+Li的真空紫外发射及其 电子束激发动力学

由相对论电子束激发稀有气体Kr和碱金属Li的混合蒸气,观察到来自Kr Li准分子离子的真空紫外发射带(147nm和149nm)。讨论了发射光谱的温度和气体密度依赖特性以及电子束激发的动力学过程。经理论计算,两个发射带被分别标识为(KrLi) 离子准分子的21Σ →11Σ 和11Π→11Σ 跃迁。另外,在Xe/Li混合蒸气中观察到的186nm和189nm辐射带也被标识为准分子离子Xe Li对应能级之间的跃迁。     

空心阴极灯中激光泵浦铥原子荧光谱的测量

在铥空心阴极灯中,用波长分别为567.584,571.579,576.020,576.429,589.563及597.126nm的激光泵浦铥原子,对应各泵浦波长在371～684nm谱区内观察到相同的约74条荧光谱线,本文确定了相应荧光的跃迁能级及荧光强度。实验证明在空心阴极灯中铥原子能量的碰撞转移现象很剧烈。     

p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对Si掺杂p型GaAs样品PL谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺Zn的p型GaAs样品的PL谱,与掺Si样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。