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本文报导了ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射性质,通过改变激光发光强度,并在不同的方向接收样品的光发射,将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论,认为该材料的受激发射过程就是n=1重空穴激子参与的一系列过程。 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献
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本文首次报道用光调制光谱(PR)研究了Cd1-xMnxTe/CdTe半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁,观察到多量子阱的各子能级激子跃迁11H,11L,22H,33H等,并得到轻重空穴分裂为18meV。当能带偏移Qc=0.90时,理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好。发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强,并给出了初步解释,通过变温测量,测得各子能级的温度系数并与纯CdTe及Cd 相似文献
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在15K和1~3GPa静压范围内研究了ZnS0.02Te0.98混晶的共振喇曼散射,样品用MBE方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上,利用静压调制带隙实现也488.0nm线的共振喇曼散射,观察到类ZnTe和类ZnS两类LO声子模以及它们的倍频模和组合模-测得类ZnTe的LO声子模的压力系数为4.5cm^-1/GPa。 相似文献
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InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
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本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe和ZnSe/ZnS0.12Se0.88的光致发光谱.分析了影响激子线型展宽的主要因素.定量表征了4.4K下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献.理论分析表明,在低温(4.4K)下,合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用.对比结果显示,Zn0.77Cd0.23Se/ZnSe超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ZnSe/ZnS0.12Se0.88超晶格 相似文献
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In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
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采用宽频带导纳测试系统研究了Hg0.66Cd0.34Te-CdTe异质结构和Al-半绝缘CdTe-Hg0.66Cd0.34Te结构样品的变频导纳特性,分析了不同结构样吕的测试结果,表明:异质结HgCdTe表面空穴积累,CdTe表面空穴耗尽,界面处的势垒使载流子局限于HgCdTe体内,样品的光伏响应光谱在2970cm^-1和3650cm^-1处各有一个响应峰,前者对应于界面HgCdTe的本征光伏效庆 相似文献
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在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射.结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数为59.8meV/GPa.与(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格共振时的类ZnSe1LO声子模频率比与ZnSe势垒层共振时的类ZnSe1LO声子模频率低2.0cm-1,反映了(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中LO声子的限制效应 相似文献
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Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁 总被引:2,自引:0,他引:2
在80K-350K温度范围内测量研究了组分x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.45,0.5,0.6,0.7的Cd1-xMnxTe系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律,用单振子模型拟合实验结果,给出激子能量随组分和温度的变化规律,本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。 相似文献
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我们首次利用Z-扫描技术在室温下研究了ZnCdSe-ZnSe/CaF2多量子了进中的三阶非线性,得到非线性系数n2为-4.46×10^-8esu。其主要非线性机理归结为ZnCdSe-ZnSe/CaF2多量子阱中的带填充效应。 相似文献
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在国产CBE设备上,用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽(1 ̄18nm)的高质量的In0.53Ga0.47As/InP匹配量子阱结构材料,低温光致发光谱测试结果表明:量子阱材料发光谱峰强且锐,每个阱的激子跃迁峰清晰可辨,当阱宽大于6nm时,阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好;当阱宽小于6nm时,实验值小于理论值;对阱宽相同的窄阱而言,我们样品的实验值高于Tsang的实验 相似文献