GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明, 该系统行之有效     

GaAs IC CAD及其在通信电路中的应用技术

介绍了自主开发的多个完整实用的ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ软件,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波ＩＣ ＣＡＤ、光电集成电路ＣＡＤ、ＧａＡｓ ＶＨＳＩＣ ＣＡＤ、微波高速ＭＣＭ ＣＡＤ等,并简要介绍了针对ＧａＡｓ工艺线的建库工作。以上软件和库已用于多个通信电路的设计。     

GaAs IC CAD方法

本文重点论述ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓ ＭＥｓＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化；砷化镓门阵等。还评述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ集成软件包及进一步工作。     

砷化镓ASIC电路实用库的研究

本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．     

GaAs MMIC在移动通信中的应用

便携式无线通信系统是ＧａＡｓＭＭＩＣ潜在的民用大户。在简要陈述该新兴市场现状及前景的基础上，着重讨论ＧａＡｓＭＭＩＣ占据该市场并成为其核心技术的策略。     

高速激光驱动器GaAs集成电路

介绍了用于高速光纤通信系统的具有ＮＲＺ／ＲＺ变换选择的激光二极管驱动器ＧａＡｓ集成电路设计。     

GaAsIC数字微波逻辑单元微波参量特性研究

介绍了根据微波ＩＣ单元设计概念来分析设计ＧａＡｓ数字ＩＣ单元的一种新的方法。采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。对两个典型的ＧａＡｓ数字ＩＣ单元运用电路模拟程序ＰＳＰＩＣＥ进行了微波Ｓ参数特性分析。     

GaAs／Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究

Ｓｉ衬底上外延ＧａＡｓ材料是微电子学研究的重要课题之一，本文介绍了以大直径的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料取代ＧａＡｓ衬底的工艺技术，对Ｇｅ元素在ＧａＡｓ／Ｓｉ集成电路中的分布影响进行了俄联电子能谱分析研究，并确定了该技术在大规模集成电路中的应用价值。     

GaAs MMIC应用展望

ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ应用展望本刊主编林金庭中图分类号：ＴＮ４５４ＰｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｏｆＧａＡｓＭＭＩＣｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ￥ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ１９９０年以前，砷化镓（ＧａＡｓ）技术的８０％是用于军事，随着冷战结束，高性能的ＧａＡｓＩＣ向何处去...     

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。     

新型GaAsD－MESFETDCFL单元电路

本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ构成的单电源ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ直接耦合逻辑ＦＥＴ单元电路．该单元电路比已有的各种ＧａＡｓ数字集成电路单元电路有明显优点，是ＧａＡｓ数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路．     

AlGaAs基质氧化膜的生长及性质

利用ＡｌＧａＡｓ的水汽氧化技术（湿法氧化）成功地在ＡｌＧａＡｓ层上生长出基质氧化膜。测量表明：膜厚为１００－２００ｎｍ，折射率范围为１．６－１．８。该膜具有优良的电绝缘特性，电阻率大于１０＾１０Ω．ｃｍ击穿场强大于５×１０＾６Ｖ／ｃｍ。硅上用ＭＢＥ生长的ＱＷ－ＧａＡｓ材料在生长基质氧化膜后，经ＲＴＡ处理（１０５０℃１５ｓ）后，产生明显的ＩＩＬＤ（杂质诱导层无序）作用，ＧａＡｓ量子阱中ＰＬ峰蓝移...     

10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽１．２ｍｍ ＧａＡｓＦＥＴ器件为基础的两级ＧａＡｓ功率单片集成电路的设计、制作及其性能，该两级单片集成电路在１０￣１１ＧＨｚ频带内，输出功率１Ｗ，增益１０ｄＢ。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

微波器件及IC用SI—GaAs材料现状及展望

本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外相比所存在的差距作了分析，提出了今后的方向。     

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ技术开发应用方面的建议。     

高速InGaAsHBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ＿０．４８Ｉｎ＿０．５２Ａｓ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ＿０．５３Ｇａ＿０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

集成电路工艺技术及其应用的发展趋势

扼要介绍了通常的硅ＣＭＯＳ、双极和ＢｉＣＭＯＳ技术以及ＧａＡｓ、ＧｅＳｉ技术的发展趋势,同时也介绍了高速集成技术发展中引入的一些新技术。     

蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE GaAs IC讨论会侧记

本文简要介绍了１９９４年ＧａＡｓＩＣ讨论会概况以及所展示的ＧａＡｓＭＭＩＣ的进展，并侧重于其应用领域的介绍。     

关于砷化镓活化电镀金的研究

描述了在活化的半绝缘砷化镓（Ｓ、Ｉ、ＧａＡｓ）衬底上直接活化电镀金的毫米波集成电路（ＭＭＩＣ）热沉制造工艺，活化剂由ＰｄＣｌ２和ＨＣｌ组成，根据ＧａＡｓ（１００）面的微观结构，讨论了经过程中ＧａＡｓ表面同Ｐｄ＾２＋离子的作用机理，业已表明，活化中生成的Ｐｄ／ＧａＡｓ结构与一般非金属材料活化不同，是一种很化学结合。