染料掺液晶随机激光温控特性的研究

实验中研究了不同盒厚(100μm、188μm、300μm)及摩擦取向(双面平行、双面反向、双面垂直)的液晶盒在温度变化下出射随机激光的特性。实验结果表明,随着温度的升高,随机激光的强度降低直至完全消失,继续升温随机激光重新出现。样品表面摩擦取向也会影响染料掺液晶随机激光的温控特性,同向摩擦的液晶盒随机激光消失点温度值较低。因此可以通过改变样品表面摩擦取向将随机激光阈值设置在特定的温度,可应用于远程温度传感领域。     

对染料掺液晶随机激光电控特性的研究

实验研究了液晶盒盒厚及摩擦方式对随机激光电控特性的影响,并分析了其物理机制。实验制备了3种盒厚的液晶盒,每种盒厚的盒都采取了3种摩擦取向方式(双面平行、双面反向、双面垂直)。不同盒厚的样品随机激光消失的关断电压Vdis分别在2.4 V(100μm)、2.8 V(188μm)、3.3 V(300μm)左右,基本不受摩擦方式影响。该实验通过减小盒厚降低了随机激光的关断电压,为电控随机激光低功耗应用提供了一种可行的方法。     

TN型产品画面切换潮汐现象的分析与改善

TN型LCD产品在由L255向L0切换瞬间经常出现一种潮汐现象。该现象表现为像素边缘液晶响应延迟,有短暂的局部漏光,对品质影响较大。为改善该不良进行了研究。首先,根据不良表现出来的规律性,明确了只有摩擦弱区并不能导致不良;接着,通过大量的实测数据及电学实验分析证明了侧向电场增大到一定程度后才能使不良发生。分析表明,不良是摩擦弱区和侧向电场共同作用的结果,通过优化像素电极和数据线与摩擦弱区的位置关系,不良由2.7%下降到0.3%左右。     

液晶微胶囊制备宽波反射凝胶

手征向列相(N*)液晶能够选择性反射入射光,但其反射波宽一般小于150nm。利用负介电各向异性的向列相液晶SLC10V513-200与手性化合物R1011、CB15配制出5种N*液晶,其反射波长能够覆盖整个可见光波段。使用异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)界面聚合法制备出平均粒径为8.0μm的5种N*液晶聚脲微胶囊之后,将相同质量的5种微胶囊混入OP-10与IPDI中制备出微胶囊的凝胶。对80.0μm厚微胶囊凝胶薄膜施加交流电场,使微胶囊中的液晶处于平面织构状态,紫外固化微胶囊中的液晶性单体,固定微胶囊中N*液晶的平面织构,从而制备出可以反射可见光波段的微胶囊凝胶薄膜。     

摩擦Mura机理和设计改善方法

摩擦Mura是ADS型TFT-LCD中一种常见不良,本文主要对摩擦过程中固定位置的Mura进行理论研究和实验测试。摩擦Mura产生原因是TFT基板上的源极线附近的摩擦弱区漏光。从产品设计方面找出影响这种固定位置的摩擦Mura的主要因子为ITO材质、段差、过孔密度。ITO材质为金属材质,摩擦时对摩擦布损伤较大,摩擦方向上ITO越长对摩擦布损伤越大,摩擦Mura越明显。设计时需要尽力保证摩擦方向上ITO长度一致。段差会导致摩擦布经过高低不同区域时产生损伤,设计时需要尽力保证摩擦方向上段差一致。过孔是密度影响,孔径直径(5μm)摩擦布毛直径(11μm),密度越小则摩擦Mura越轻。以15.0FHD产品为例,对周边电路设计位置ITO材质/源极线/过孔密度等膜层进行设计优化,摩擦Mura发生率从5%降至0%,改善效果明显。     

摩擦工艺不良的探究

TFT-LCD的摩擦工艺中,容易产生摩擦Mura、L0条形不均、摩擦划伤等不良。分析及验证发现:摩擦Mura的发生与摩擦强度较弱,聚酰亚胺膜配向力不足引起像素漏光相关。选择摩擦强度好的尼龙布,并控制摩擦布寿命在100张基板以下,可以有效控制不良的发生。通过工艺调整加强摩擦强度时需考虑Zara发生情况,选择摩擦Mura和Zara总体发生较低的摩擦强度是必要的。采用摩擦辊垂直基板短边设计,可一定程度控制摩擦Mura的发生;长条型像素设计可从源头防止漏光产生。产品设计时避免显示区延伸区域大块金属的干涉可一定程度防止条形不均发生,以信号层作为绑定IC引线较之开关层做引线对条形不均改善有更好的效果。棉布的棉籽剪裁、摩擦设备机台的及时有效清洁、基板来料的超声波清洗是防止摩擦划伤发生的有效保证。     

ADS TFT-LCD贴合产品按压漏光研究及改善

按压漏光是发生在ADS TFT-LCD贴合产品上的一种漏光不良,本文对8.5G工厂1 225mm (55in)产品按压漏光的发生原因进行分析,发现漏光为玻璃基板固定位置受外部应力作用形变导致。同时分析了辅助封框胶排布、封框胶固化前外部应力对基板的影响等。通过改变翻转台运动方式,能有效改善按压漏光发生程度,按压漏光发生等级由Level 2(L2,客户不接受等级)下降至Level 1(L1,客户接受等级)。该方法的首次导入,为后续其他产品漏光的解决提供了思路。     

用液晶膜防护强激光损伤弱光探测器

基于向列型液晶自聚焦现象制成激光功率限制器。在本文实验中,液晶膜厚为100μm、200μm、300μm,测得当1.06μm激光入射功率分别为～3.3kW、～2.7kW和～1.6kW时,因自聚焦而有部分光偏离原光路,到达探测系统的激光能量仅为入射能量的较小份额,从而使弱光探测器免遭强激光损伤。该功率限制器在强激光使液晶炭化条件下,仍能对探测器起到保护作用。     

预倾角对超扭曲向列相液晶显示的影响

超扭曲向列相液晶显示(STN-LCD)在实际应用中经常会出现一种由周期性条纹织构引起的晶畴,这种晶畴引起光散射使显示性能下降。采用4种不同的PI作为超扭曲向列相(STN)液晶盒的取向膜,在相同的条件下用摩擦法取向并制成盒后用偏光显微镜观察,发现不同PI取向的盒其均匀性有显著差异,有的盒中有晶畴出现,有的盒则显示出了良好的均匀性。晶体旋转法测量结果表明,不同PI引起不同的预倾角,取向均匀的盒所用PI产生的预倾角比其他PI产生的预倾角要大3°左右。分析认为,较大的预倾角抑制了晶畴的产生,在合适的d/p值下,预倾角只要达到5°以上时即可以有效地抑制条纹的产生,满足生产要求,为解决STN-LCD存在的晶畴问题提供了依据和方法。     

粉末-溶胶法制备掺LaPZT0-3型厚膜

用粉末 -溶胶 0 - 3型厚膜技术制备出厚度为 10μm的 PL ZT厚膜。PL ZT超细陶瓷粉采用 sol- gel法制备 ,这样保证了其化学组分的准确 ,降低了合成温度。在 Pt底电极上 ,掺 L a PZT (PL ZT- 8/5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [111]与 Pt的取向一致 ,而纯 PZT(PL ZT- 0 /5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [10 0 ]。在同等工艺条件下 ,掺 L a PZT厚膜晶粒大于纯 PZT厚膜的晶粒。厚膜介电、铁电性能分别使用 HP4192 A低频阻抗分析仪和 ZT- 铁电材料参数测试仪进行测试 ,结果表明掺 L a PZT厚膜的频率特性较好 ,矫顽电场强度 Ec有显著降低。     

填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题

用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题.模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝,计算芯片的应力强度因子和能量释放率.模拟表明,由固化温度冷却到室温时,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为12μm,而填充传统底充胶时为20μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关,与胶的铺展关系不大.焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂.     

紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚

在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。     

3×10~(16)W/cm~2高反差亚皮秒激光脉冲照射凝聚态靶的辐射吸收机理

1　引言最近几年人们大力研究超强光场与固体的相互作用过程 ,研究是由物质在极限条件(固体密度的等离子体和 1～ 1 0 ke V温度 )下的可能性引起 ,它的应用关系到制造亚皮秒X射线辐射源。决定强亚皮秒激光脉冲与凝聚态靶相互作用的关键参数是脉冲的反差度峰值强度与预脉冲强度之比。例如 ,峰值强度为 1 0 1 7W/cm2脉冲的纳秒预脉冲强度不应超过靶物质烧蚀阈值～ 1 0 8W/cm2 ,即反差度应大于1 0 9。在相反情况下 ,主脉冲将与屏蔽靶面靶物质的低密度蒸气相互作用。现有亚皮秒激光系统 (λ～ 1μm)的反差度不超过 1 0 8,实际上唯一已知提高该…     

IPS液晶取向膜表面光学各向异性D△的研究

针对共面转换IPS(In-Plane-Switching)液晶显示模式取向膜,利用反射椭偏消光法测量了取向膜表面的光学各向异性D△值.研究了在不同摩擦条件和亚胺化温度条件下,取向膜表面光学各向异性值D△值的变化.研究结果表明,随着亚胺化温度升高,D△值呈现下降趋势.在摩擦强度各因子中,压入量和转速对于D△值影响较大.D△值可作为一种定量化评价取向膜取向状态的方法,并可作为生产过程中对于液晶稳定性取向的管控方法使用.     

缩短RFMEMS开关释放时间的上悬梁方法

针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近的振动,从而缩短RF MEMS开关的释放时间。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。通过ANSYS仿真雷声梁在设置上悬梁前后的动态特性:对于4μm高的梁,释放时间由设置上悬梁前的103μs(0.5μm厚),176μs(0.8μm厚)和232.5μs(1.1μm厚)分别下降为53.3,89和123.4μs;对于3μm高0.5μm厚的梁,释放时间由43.3μs下降为22μs。仿真结果均表明:在标准大气压下,当雷声梁高度为上悬梁高度的一半时,加入上悬梁后雷声梁的释放时间约为原来的1/2,即开关速度约为原来的2倍。     

填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题

用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题 .模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝 ,计算芯片的应力强度因子和能量释放率 .模拟表明 ,由固化温度冷却到室温时 ,所研究的倒装焊封装在填充不流动胶时芯片断裂临界裂纹长度为 12 μm,而填充传统底充胶时为 2 0 μm.模拟结果显示芯片断裂与胶的杨氏模量和热膨胀系数相关 ,与胶的铺展关系不大 .焊点阵列排布以及焊点位置也会影响封装整体翘曲和芯片断裂 .     

圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究

研究了基于圆片级苯并环丁烯(Benzocyclobutence,BCB)键合技术的Cu-Cu互连的界面情况。提出一种Cu凸点插针形式的圆片级BCB键合结构,研究BCB预固化程度、键合压力以及BCB与Cu厚度差等因素对晶圆界面键合质量的影响,并对此键合结构进行了键合空洞检测与剖面SEM分析,以及温循可靠性评价。结果表明,当预固化温度为210℃、键合压力为2×10~5 Pa,电流密度为20mA/cm~2、Cu与BCB厚度差值为3μm时,键合结构界面无空洞、键合质量高,并且Cu-Cu互连导通良好,接触电阻小于10mΩ。     

低噪声连续单频532 nm/1.06μm双波长激光器

研制出一台全固态低噪声连续单频Nd∶YVO_4-LBO双波长激光器,通过优化三硼酸锂(LBO)的匹配温度,获得了波长为1.06μm的激光功率为3.8 W、波长为532 nm的激光功率为7.8 W的连续单频双波长激光输出,并有效降低双波长激光的强度噪声和相位噪声。实测的1.06μm和532 nm波长激光的强度噪声均在分析频率大于3.5 MHz时达到散粒噪声极限,相位噪声均在分析频率大于5 MHz时达到散粒噪声极限。当采用Pound-Drever-Hall锁腔技术锁定激光器的腔长时,1.06μm波长激光在1 h内的频率漂移小于±0.8 MHz。实测的1.06μm和532 nm波长激光在5 h内的功率波动分别小于±0.63%和±0.47%,光束质量因子分别为1.04和1.12。     

用过氧化氢后处理多孔硅厚膜的一种新技术

提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜.在乙醇、氢氟酸、过氧化氢溶液中,多孔硅样片做阴极施加电流密度为10 m A/cm2 ,希望通过后处理增强多孔硅表面的稳定性、光滑度和机械强度.研究了厚度为2 0 μm和70 μm的多孔硅厚膜经过过氧化氢处理后的微结构.扫描电镜图显示经过过氧化氢处理后的多孔硅厚膜表面的光滑度有极大的提高,X光衍射光谱揭示经过过氧化氢后处理后多孔硅表面形成了一层氧化膜     

厚膜微波混合集成电路研究

研究比较了不同金属导电浆料、基片等厚膜材料的微波特性,发现通过改进厚膜工艺可使这种材料的应用领域大大扩展,并可推至微波频率下工作。引入厚膜腐蚀新工艺制得边缘齐整的、分辨率达25μm的厚膜精细线条及间隙。应用计算机辅助设计(CAD)技术及厚膜新工艺,设计制作了一种微波宽带放太器,其频带为3～7GHz,增益10±1dB,噪声小于5.7dB。另外还设计制作了性能优良的厚膜微波带通滤波器(中心频率7.7GHz)和3-dBLange耦合器,(中心频率为6GHz)。这些电路、元件用传统厚膜工艺是无法实现的。