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Steve Knoth 《今日电子》2012,(2):39-42
超级电容器一直用于常规电容器和电池之间的专门市场,随着更多新应用的发现,这一专门市场也在不断增长。在数据存储应用中,超级电容器正在取代电池,这类应用由于突然断接问题,需要中到大电流/短持续时间的备份电源和电池备份。具体应用包括3.3V内存备份固态硬盘(SSD)、电池供电的便携式工业和医疗设备、工业警报器以及智能功率计。 相似文献
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本文设计了一种3.3V 14位210MSPS电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构,同时还采取了电流源调整技术,改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计,芯片面积3.8mm2。测试表明,其刷新率可达210MSPS,INL为±0.8LSB,DNL为±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233873.htm 相似文献
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《电子设计工程》2014,(20):177-177
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出用于拖动和重载应用的新系列螺丝接头的功率铝电容器—110 PHT-ST系列。Vishay BCcomponents 110 PHT-ST系列中的器件在+85℃下的寿命长达1万小时,+85℃下的纹波电流达19.76 A,采用76 mm×146 mm和76 mm×220 mm大外形尺寸。今天发布的电容器的圆柱形铝外壳与蓝色套筒和密封圆盘里的压力释放口绝缘,使用寿命长,在250-450 V电压范围内的容量高达6000μF。Vishay还可根据客户要求提供其他容量和电压。这些器件具有-10%/+30%的严格公差, 相似文献
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高频PWM DC/DC转换器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
设计了一种基于0.6μm CMOS工艺的高频PWM升压型DC/DC转换芯片.采用恒定频率、电流模式的控制结构以提供稳定的电压.本芯片在XFAB公司流片成功,测试结果表明,芯片的开关频率高达为1.2MHz,在输入电压分别为3.3V、5V的情况下能稳定地分别驱动4个、6个白光LED,输出电压分别为12.8V、18.6V. 相似文献
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采用UMC 0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路.介绍了几种典型的负电压型电荷泵电路,比较其优缺点,在此基础上设计了一个新型4级交叉耦合型负电压电荷泵.和现有的结构相比,该电路在启动过程和工作过程中都不存在过压问题,器件任意两端口之间的电压均小于电源电压VDD,同时降低了MOS器件衬底效应、反向漏电流对电荷泵效率的影响.电荷泵的电容采用MIM电容,升压电容为50 pF,输出电容为100 pF.芯片面积为2.3 mm×1.3 mm,测试结果表明负电压型电荷泵电路输出电压为-10.3 V,系统最高效率为56%.当输出电流为3.5 mA时,输出电容为100 pF时,纹波电压为150 mV. 相似文献
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电容器高过载稳定性电容器由 Du San Industrial公司生产的 SMD片式电容器采用 1类介质瓷料 ,其电容量等随时间、电压和温度的变化可保持稳定的性能。这一优良特性使其可广泛应用于振荡器、滤波器和定时电路。NP0 - 40 3型 SMD片式电容器在 1k Hz、 1V (rms)、 2 5℃时的 tgδ小于 0 .1%。最大电流为 5 0 m A时 ,介电强度小于 2 .5倍工作电压。电容量偏差小于 10 p F。体积为 1.0 2 mm(长 )×0 .76 2 mm (宽 )× 0 .76 2 mm (高 )。Matsushita电子公司的片式瓷介电容器由 Matsushita公司生产的 ECK系列片式瓷介电容器比传统电容器的… 相似文献
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《今日电子》2009,(4)
146 RTI器件可采用13种封装尺寸,从10mm×12mm至较大的18mm×35mm。为实现更高的性能及可靠性,这些电容器在100kHz时具有低至18mΩ的超低额定阻抗、在+125℃时3200mA的高额定纹波电流,以及在16~63V的电压范围内具有68~6800μF的电容范围。146 RTI电容器在+125℃时具有长达2500~6000小时的超长使用寿命。符合RoHS规定的这些器件具有充电和放电保护,因此并无峰值电流限制。此新系列极化铝电解电容器具有非固态、自修复的电解质以及径向引线的特点。螺钉安装式高电压圆盘电容器715CxxKT。 相似文献