毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.     

1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片

采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。     

GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片

采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。     

8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插人损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的同波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为     

C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.     

C波段GaAs PIN二极管单片单刀单掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,开关正向导通时的插入损耗低于1.6dB,回波损耗大于10dB,开关关断状态的隔离度大于23dB.     

8~20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关

基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关. 在8~20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB. 开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm. 在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.     

单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅱ、宽带单刀单掷和单刀双掷开关电路

本文介绍了单片集成GaAs MESFET微波开关的设计方法和制作工艺.利用空气桥和通孔接地等工艺技术,研制成的调配型宽带单刀单掷开关在0.01～7GHz内,插损为2～3.5dB,隔离度不小于32dB;分布型宽带单刀双掷开关在4.5～7GHz内,插损为1～2dB,隔离度不小于21dB,5GHz下的最大功率容量为3瓦.实验也证实电路的开通时间小于0.6ns.     

基于滤波器综合分析法的118 GHz单刀二掷开关（英文）

采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1mm~3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118GHz开关模块,在110~120GHz,测得开关插损小于3.0dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18ns、20ns、10ns、18ns,该准单片作为通道切换开关可集成应用于118GHz收发组件中.     

91～98GHz集成单刀单掷开关设计

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。