SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要.理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象.     

SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱

报道了用光谱的手段研究 Si C纳米棒 (NR)的结果 .对于在实验中观察到 L O模的大幅度红移及新出现的喇曼峰 ,认为在类似 Si C NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中 ,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要 .理论计算证实了这一点 ,并解释了实验观察到的异常现象     

中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,与实验结果符合很好.     

光纤中二次谐波的产生及机理的电镜分析

本文报导了石英光纤中的二次谐波产生及用透射电子显微镜观察光纤内部物质结构变化的实验结果,观察到了已“预置”光纤中缺陷的存在.     

PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.     

原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察

本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型漩涡缺陷是一种沉淀物.实验表明这种沉淀物的结构是板片状α-方英石(SiO_2).在原生CZ硅中还观察到一种尺寸小于100埃的高密度(约10~(13)-10~(14)/厘米~3)Ⅲ型缺陷.     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析.并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质.     

大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验.结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度.     

激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性

用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞(MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件P-N结光电特性,实验表明在MCT晶片中探测到激光束感应电流,在光伏型P-N结构的器件中,观察到周期结构的激光束感应电流分布.定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个P-N结的感应电流分布形状可以判断器件的均匀性和器件的质量.     

a—Si：H中第二类亚稳缺陷的观察

我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅带隙态密度及其分布的亚稳变化效应，实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系。首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点，定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系。     

a－Si∶H中第二类亚稳缺陷的观察

我们用光电导谱技术和光电流相移分析技术研究了氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度及其分布的亚稳变化效应．实验发现光致亚稳缺陷分布在整个光学带隙中，它们的退火行为与它们在带隙中的位置相联系．首次从实验上直接观察到第二类亚稳缺陷在带隙中的能量位置，这类缺陷具有易产生和难退火的特点．定性地确定出了亚稳缺陷的退火激活能与其在带隙中能量位置的关系．     

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.     

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.     

用高分辨扫描电镜观察多晶银中的缺陷

用配有常规电子枪和高分辨二次电子探头的扫描电镜对多晶银(99.9％)厚样品中缺陷进行了以下三方面观察:1.用显微切削法制得样品观察面的质量;2.退火和不同形变量下的样品中缺陷的分布及组态;3.经真空时效形变试样观察面上的缺陷象衬的变化。由观察结果可得下述结论:1.切削平面光净,未观察到刀迹与范性形变;2.缺陷分布很不均匀,多为线状缺陷,也有少量点状缺陷。随形变量增加,形成胞状结构愈多。从     

一种用来精确测定材料价电子分布和界面点阵位移的电子衍射技术

作者开发了一种新的电子衍射技术来测量大单胞复杂晶体的电荷密度.该技术是在透射电子显微镜中把电子束聚焦在样品的上方从而在很多Bragg衍射盘中得到阴影像(简称为PARODI).对于楔型晶体,该技术提供了可同时记录许多衍射的厚度条纹的方法,它确保了所有衍射盘中的厚度变化和入射方向等实验条件是相同的.PARODI技术还被进一步扩展到使用相干光源这一新领域并用来精确测定晶体中缺陷的位移矢量.本文用该技术研究了Bi-2212高温超导体中的层错和扭转晶界并观察到了由面缺陷引起的相干条纹.通过使用相干PARODI技术,测量的Bi-2212中面缺陷的位移矢量的精度达到了1皮米(10-12 m),这是目前在测量缺陷位移方面达到的最高精度,比以前的技术提高了将近一个数量级.     

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷 (voids)的影响 .样品在 10 5 0～ 12 0 0℃范围进行氢退火 ,退火前后样品上的流水花样缺陷 (FPD)和晶体原生粒子 (COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察 .实验结果表明在氢退火以后 ,FPD缺陷的密度随温度升高不变 ,而样品上的 COP密度大量减少 .分析可知 ,氢气退火仅仅消除了硅片表面的 voids,而对于硅片体内的 voids不产生影响 ,并在实验的基础上 ,讨论了氢退火消除 voids的机理 .     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

基于旋涂的纳米压印技术研究

尝试使用一种新的工艺——旋涂法来达到图案复制的目的，介绍了旋涂法完成图案复制的实验过程，就印章及其复制品的尺寸作了对比，并分析了实验中观察到的缺陷。得出在精确控制实验条件的前提下，可以通过旋涂方法得到高品质微纳米级图案的结论。     

基于机器视觉的瓷砖素坯表面缺陷无损检测算法研究

针对瓷砖生产中对瓷砖素坯表面缺陷检测的高速度和高准确率的要求,本文提出了基于机器视觉的表面缺陷无损检测算法.首先对采集到的瓷砖素坯图像采用双边滤波器进行图像预处理,降低噪声,提高图像质量,然后利用Canny边缘算子提取图像边缘,在图像边缘的基础上,采用最佳阈值分割算法,实现图像分割,利用圆形度对缺陷特征进行描述,并实现缺陷判别,最后,通过实验验证表面缺陷检测的准确度和稳定性.实验结果表明,该方法可以实现瓷砖素坯表面缺陷的无损检测,准确率达到95％以上,能应用于瓷砖表面缺陷质量检测的生产实践中.