非晶硅太阳能电池的新进展

对非晶硅材料的物理性能及工艺优势进行了阐述,其中介绍了一种新型的刻划成图工艺,即等离子CVM,简单回顾了非晶硅太阳电池的历史发展,分析了非晶硅太阳电池当前所存在的问题,提出了其发展的方向,其中,主要论述了叠层非晶硅太阳电池,并介绍了几种新型的非晶硅电池.最后,概括了非晶硅太阳电池的应用现状及前景。     

非晶硅太阳电池效率研究

介绍了近年来用辉光放电法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池的效率问题，文中讨论了有效光电能量转换的条件；ａ－Ｓｉ：Ｈ电池的结构，新型的高效率非晶硅太阳电池的改进；非晶硅ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池的展望等。     

薄膜太阳电池的最新进展

介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况.多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平的提高,CdTe和CIGS等新型太阳电池商业化必将带来能源领域的新变革.文章同时还给出了这些太阳电池的未来研究方向.     

非晶硅太阳电池的衰减与退火

讨论了影响非晶硅太阳电池稳定性的因素,介绍了改善非晶硅材料稳定性的方法,进行了非晶硅太阳电池光致衰减测试.描述了电流注入退火和热退火对非晶硅太阳电池性能的改善.     

高效率非晶硅薄膜太阳电池进展

本文综述了非晶硅薄膜太阳电池的发展进程,介绍了非晶硅电池的结构改进和集成型结构的非晶硅电池组件,激光切割技术.     

非晶硅太阳电池的研究与发展

本文介绍了非晶硅太阳电池的发展概况和当前的现状,并较为详细地论述了非晶硅p-i-n结构太阳电池中的材料与器件方面的关键问题。最后对尚存的问题和今后研究与发展方向也作了讨论。     

高效率太阳电池

日本TDK公司最近研制成功一种非晶硅太阳电池,其转换效率可达8%.这种太阳电池是PIN结构.它的本征光-电转换效率达8%(开路电压0.868伏,短路电流17.3毫安/厘米~2).在照度为300勒克斯的荧光照射下,其转换效率仍可达5.5%.据称,这种新型非晶硅太阳电池的转换效率比现有其他非晶硅太阳     

非晶硅太阳电池及其在通信中的应用

介绍了非晶硅太阳电池的发电原理、概况及生产工艺流程;论述了非晶硅太阳电池在现代通信工程设计中的配套应用问题及经济分析,并举例说明。     

非晶硅太阳电池的激光刻划

对一台用于非晶硅太阳电池的激光刻划和计算机控制系统进行了理论分析,成功地完成了非晶硅和透明导电膜的刻划工艺。     

光诱导化学汽相淀积非晶硅薄膜及其在太阳电池中的应用

本文较系统地评述了光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术淀积非晶硅薄膜的开发现状,主要介绍了LCVD淀积非晶硅薄膜 的机理.评价了LCVD淀积非晶硅薄膜的电学和光学特性,最后介绍了这种薄在制备晶硅太阳电池方面的应用.     

弱光非晶硅太阳电池的研制

讨论了弱光下影响非晶硅太阳电池性能的主要因素,指出要提高弱光下太阳电池开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻.用辉光放电法顺序沉积p, i, n三层非晶硅,制作出了弱光非晶硅太阳电池,在200lx白荧光灯照射下,其单位面积最大输出功率达7.76μW/cm2.     

纳米结构在新型太阳电池中的应用进展

介绍了应用低维纳米结构提高转换效率的新型太阳电池的研究现状,分别说明了基于量子点、量子线、量子阱结构新型太阳电池的工作原理、制备工艺、存在的问题及最新进展.同时,给出了这些太阳电池未来的发展方向,指出其在太阳电池领域中的重要地位.     

16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺

研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性，实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高沉积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。     

薄膜太阳电池研究综述

薄膜太阳电池是最具发展潜力的新型能源之一,对缓解能源危机、保护人类生存环境提供了一种新的切实可行的方法。综述了目前国际上研究较多的几种薄膜太阳电池的最新进展,包括硅基薄膜(非晶硅、多晶硅)、多元化合物类(碲化镉、铜铟硒、铜铟镓硒、铜锌锡硫等)、有机薄膜太阳电池以及染料敏化太阳电池等。分析并总结了其在成本、转换效率等方面的优劣。为更有效地降低成本及提高电池效率,新技术、新结构的不断创新应该是未来薄膜太阳电池的发展趋势。     

a—Si薄膜太阳电池状况介绍

非晶硅薄膜电池是一种最有前途的廉价光伏电池。目前的光电转换效率约为10%。本文根据a-Si薄膜材料的性质和特点,分析了a-Si薄膜太阳电池优于常规单晶硅厚膜太阳电池的原因。同时介绍了日本、美国以及中国的a-Si薄膜太阳电池的现状、前景及提高其转换效率的途径。     

用太阳电池板制作凉帽

<正> 单晶硅太阳电池可将光能转换成电能,因其成本高,很难在一般产品上应用。以氢化非晶硅为基本材料的非晶砖太阳电池不仅工艺费用低,而且光吸收系数比单晶硅太阳电池大一个数量级。它可用多种廉价的材料作衬底,因此造价约为单晶硅太阳电池的1/2。这种太阳电池现已在各方面得到应用。 本文介绍用太阳电池板制作凉帽的方法。所用太阳电池板是以玻璃材料作底衬的,所以可根据用途切割成不同的大小、形状,使用起来非常方便,其构造如图1所示。为60×     

非晶硅太阳电池的光致衰减效应

本文论述了非晶硅太阳电池光致衰减的一般特点,以及减缓和防止光致衰减的途径,即采用能增强非晶硅太阳电池内电场强度的多结结构和杂质含量、SiH_2键密度较低的材料。     

陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si：H/i-a-Si：H/n-a-Si：H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅（a-Si：H）PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si：H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。     

陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响

利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特性的影响。模拟实验表明,氢化非晶硅(a-Si:H)PIN结构太阳电池本征层厚度存在一个最佳区间,在该区间电池总体性能较为理想,包括对应的光电转换效率达到峰值。得到的a-Si:H太阳电池填充因子可达到约0.8,最高光电转换效率可达到约13%。     

单晶硅太阳电池

日本某公司最近研制成功一种价格便宜、用于电子计算器的单晶硅太阳电池.单晶硅太阳电池与非晶硅太阳电池相比较,前者具有以下一些优点:一、稳定度高,抗环境影响能力强;二、体积小;三、输出功率为非晶硅太阳电池的5倍.