基于微流体的ZnO纳米线的合成

微流控芯片在纳米材料的合成方面具有突出的优势,在芯片中通过微流体的操控制备ZnO纳米线,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和能谱仪(EDS)对制备得到的ZnO纳米线的表面形貌、晶体结构及成分进行表征。实验结果表明,在具有微腔室结构的微通道中可以构建浓度梯度,从而在单一通道中制备得到形貌及尺寸不同的致密ZnO纳米线,成为高效探索纳米材料合成条件的便捷手段。分别以玻璃片、ZnO种子层和ZnO纳米线为载体,对异硫氰酸荧光素标记的羊抗牛IgG抗体进行荧光检测,发现ZnO纳米线可显著增强荧光信号。     

纳米线、纳米管的制备、表征及其应用

在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。     

钛酸铅超细纳米晶及纳米线的制备与结构表征

近来，一维纳米材料吸引了物理学、材料学和化学界的广泛关注，成为纳米材料研究的热点。纳米线是物质在纳米尺度上的一种特殊结构，其优异的光学、电学和力学性能，在纳米器件的应用领域极具发展前景。纳米线的制备技术及物性的测量是材料在纳米原型器件制作和应用的关键，不断探索低维纳米材料的制备新技术，合成出多种材料的纳米线具有重要意义。     

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。     

氮化法合成掺钇氮化铝纳米线

采用直流电弧等离子体辅助法,使钇铝合金(Al:Y)和氮气直接反应,成功合成了掺钇氮化铝(AlN:Y)纳米线。用XRD、SEM和拉曼光谱对所制样品的结构和形貌进行了表征,利用PL光谱和磁滞回线研究了AlN:Y纳米线的光学性质和磁性。AlN:Y纳米线长度约为10μm,直径在40～50 nm。纳米线的发光中心位于533 nm,展现出了良好的室温铁磁性。     

W~(6+)掺杂CeO_2纳米材料的合成及光学性质研究

以普通无机盐为原料,成功合成了W6+掺杂的CeO2纳米材料。利用X射线衍射和扫描电子显微镜等测试手段对产物的物相和形貌进行了表征。结果表明:当W6+掺入CeO2的摩尔分数小于等于30%时,所得产物均为具有单一立方萤石结构的纳米粒子。光学性质研究发现,与未掺杂的CeO2纳米材料相比,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料表现出了不同的光吸收性能,其发光光谱上出现的蓝光发射表明,Ce0.7W0.3O2.3纳米材料在发光材料领域具有潜在的应用前景。     

ZnSe纳米材料及界面的制备与表征

利用热蒸发法对ZnSe纳米材料的相控合成进行了研究,制备了多种具有稳定闪锌矿和亚稳纤锌矿结构的ZnSe纳米材料,如ZnSe纳米线、纳米圈、纳米轮及三晶纳米带。同时,在相控合成基础上,通过改变管式炉内反应压强获得了几种同质与异质界面。利用多种透射电子显微学手段对合成的ZnSe纳米材料及相关同质与异质界面进行了深入表征,并对ZnSe纳米材料的生长机理进行了探讨。     

碳纳米管制备及其生长机制研究

采用乙醇催化燃烧法，以钴盐作为催化剂先体、薄铜片作为基底制备碳纳米管。分别以氯化钴、硝酸钴和硫酸钴作为催化剂先体，研究了不同催化剂先体对碳纳米管生长的影响；利用扫描电镜，透射电镜对碳纳米材料的形貌和结构进行了表征，研究了不同钴盐的催化剂先体对碳纳米管形态与结构的影响，讨论了碳纳米管的生长机制。实验发现，其他制备条件相同，当催化剂先体为氯化钴时，碳纳米管与大量絮状杂质缠绕在一起；当催化剂先体为硝酸钴时，碳纳米管容易形成弯曲、不规则的波浪形结构；而当催化剂先体为硫酸钴时，实验所得的碳纳米材料几乎全为取向规则、直径均一的碳纳米纤维，只观察到少量碳纳米管。     

TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性

纤锌矿（WZ）/闪锌矿（ZB）结构以及WZ/ZB超结构广泛存在于一维Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中。本文采用TEM和CL（阴极荧光谱）准原位表征的方法,对GaN纳米线的各种结构进行了系统的表征,并且建立了材料纳米结构与对应发光性质之间的直接联系。研究发现相对于纯WZ结构的GaN单根纳米线,具有WZ/ZB结构纳米线的CL出现了蓝移。通过对CL发光谱的蓝移现象的分析和研究表明,蓝移是由于高密度的WZ/ZB结构单元及其各种超结构所引起的特殊效应。     

直接氮化法制备单晶AlN纳米线

采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线。利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45nm,长度5μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好。     

碳化硅纳米线中的一维无序结构

控制合成一维纳米材料是当前纳米材料的研究热点,纳米线的物理、力学等性能与他们的微观结构和几何形貌是密切相关的。SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,在高温、高频、大功率及高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力,也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,     

石墨烯上生长GaN纳米线的研究

在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和透射电子显微镜(TEM)等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征.结果表明,在1 100℃条件下,同时有石墨烯插层和催化剂的衬底表面能够获得低应力单晶GaN纳米线.石墨烯、催化剂对于获得低应力单晶GaN纳米线有重要的作用.     

ZnO纳米棒的制备与表征

近年来，一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米棒等由于在纳米电子器件和光电子器件中的潜在应用前景而吸引了众多科研小组的兴趣。ZnO纳米材料作为一种宽带系半导体，因其可以在各种高科技产品中的应用如光催化剂、气敏元件、光电二极管、变电阻等已引起人们广泛的研究，到现在为止，许多方法用来制备一维ZnO纳米材料，如电弧法、化学气相沉积、模板法和电化学沉积等。本文用溶液法合成ZnO纳米棒，并对其进行电子显微学的观察与表征。     

多种形貌Ag2S纳米颗粒的制备及表征

Ag2S是一种化学稳定性高的窄能带半导体材料，广泛应用于光电池、光电导器件、红外检测器和快离子导体等领域，而纳米Ag2S由于高的比表面积和量子尺寸效应，可以表现出与体材料不同的性能；除了尺度，纳米颗粒的形状也会影响其物性。因此，对特定形状纳米材料的合成与结构表征是纳米材料研究的一个重要内容。     

用FeCl3作催化剂先体制备碳纳米结构

以不同浓度的FeCl3溶液作为催化剂先体，利用乙醇催化燃烧法，在铜片上生长出了碳纳米管和碳纳米纤维。讨论了不同浓度的FeCl3催化剂先体对生长碳纳米材料产物和形貌的影响。利用扫描电镜，透射电镜和喇曼光谱对样品的形貌和结构进行了表征。实验结果表明，随着催化剂先体浓度增大，碳纳米材料产量增大，直径呈现增大趋势，其直径范围也逐渐变大。当催化剂先体浓度为0.01mol/L时，可以制备出直径较小的碳纳米管；当催化剂先体浓度为0.1mol/L时，可以制备出直径分布均匀的碳纳米管与碳纳米纤维的混合物；当催化剂先体浓度为1mol/L时，可以制备出直径分布不均匀的碳纳米纤维。     

用扫描电镜制备高性能AFM针尖

随着各种纳米材料研究的不断深入 ,扫描探针显微镜 (ＳＰＭ)已在这些领域中获得广泛应用 ,并迅速成为表征纳米材料形态及物性的重要手段。用ＳＰＭ对材料进行表征时 ,对结果起至关重要作用的是ＳＰＭ探针的质量及性质。以原子力显微镜 (ＡＦＭ)为例 ,在对各种材料作表征时 ,要求针尖曲率半径小、硬度强 ,在做电学性质测试时 ,还要求针尖有良好的导电性。但商用的ＡＦＭ针尖是用Ｓｉ3Ｎ4 或Ｓｉ通过化学腐蚀等方法制备的 ,因此针尖导电性不好 ,而且为了保证其硬度 ,尖体不可能太细 ,这些问题无疑对ＡＦＭ的应用带来限制 ,比如 :用ＡＦＭ对表…     

名词释义——准一维纳米材料

准一维纳米材料是指在两维方向上为纳米尺度，长度为宏观尺度的新型纳米材料。如纳米棒、纳米线、半导体纳米量子线、纳米线阵列等都属于准一维纳米材料。这些新型材料的实验研究，为进一步研究纳米结构和准一维纳米材料的性能，建立准一维纳米材料的新理论和推进它们在纳米结构器件中的应用奠定了基础。     

钴铂纳米线阵列的制备与性能研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上，用电化学方法成功地制备了CoPl3纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线衍射（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和超导量子干涉仪（SQUID）对样品进行测试与表征。形貌观察和物相分析表明，模板中的CoPl3纳米线构成的阵列，排列均匀有序，相互平行；而纳米线中的CoPl3为Ll2无序结构。磁性研究表明，纳米线的无序晶体结构决定了纳米线阵列弱的磁晶各向异性；同时纳米线中部分小晶粒在400K左右表现出顺磁性，导致纳米线阵列居里温度的下降。比较低温和室温下的磁滞回线，低温下有大的矫顽力，从另一方面证明纳米线中的小晶粒确实存在相转变。     

NiS纳米丝的制备和表征

纳米材料的性质与纳米粒子的大小和形状密切相关，因此，合成纳米粒子时，在控制其大小及尺寸分布的同时控制其形状是十分重要的。一维纳米结构如纳米棒、纳米线和纳米管等由于具有新奇的光、电等特性和潜在的应用前景，已引起人们极大的兴趣，是当前纳米材料研究中的热点之一。     

正交相SnO2纳米带的电子显微学研究

自从1991年，Iijima发现纳米碳管以来，一维纳米材料（包括纳米线、纳米带、纳米棒等）成为材料科学研究中一个崭新的热点。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广泛关注和研究。