怎样选用元器件讲座(十七) 磁敏二极管

磁敏二极管是基于霍耳效应研制出来的,其特点是体积小,灵敏度高。磁敏二极管外形如图1所示。较长的管脚为正极(P 区),较短的管脚为负极(N 区)。凸出面为磁敏感面,即图中箭头所指的那面。图2为磁敏二极管的图形符号。磁敏二极管在正向磁场或负向磁场的作用下,其输出信号增量的方向是不同的。     

基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究

设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量，实验结果表明在磁场B=0．1T时，这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic≈20%，并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。     

扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路

介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2．62 V/T。     

怎样选用元器件讲座（十八）磁敏三极管

磁敏三极管,是在磁敏二极管的基础上设计的一种磁电转换器件。由于采用的是硅材料,因而其稳定性比较高,温漂系数比较小。磁敏三极管属双极型晶体管结构,它具有正、反向磁灵敏度极性和有确定的磁敏感面。典型的磁敏三极管有3CCM。图1(a)是3CCM的正视图,图1(b)是侧视图,标     

价格跟踪

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半导体制冷器△T-I曲线的曲率半径与制冷器性能的关系

本文通过对半导体制冷器△T—I关系在最佳电流处的曲率的研究,发现这种制冷器的敏感特性和输入功率都与曲线在最佳电流处的位置和曲率有关;同时曲率本身又与制冷器的设计参量(面长比A/l)和材料参量(比值k/p)有关。这表明在制冷器设计时,必须考虑到这两个参量的影响,才能尽可能地发挥材料的潜力和保证设计更为合理。     

CMOS荧光波长检测芯片的设计与仿真

双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I2/I1随入射光波长单调增加.文章基于0.5μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真.设计了片上信号处理电路,将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出.仿真结果表明,信号处理电路的输出与ln(I2/I1)具有良好的线性关系.单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析.     

重庆光电技术研究所产品价目表(1986年起实行)

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ATS软件符号定义表

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CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计

研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。     

三组三元合金异质结的价带带阶

采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质结的Mv（x）值随合金组分x的变化接近于线性；（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs和（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs的△Ev（x）值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev（x）的理论计算值与实验结果相当符合。     

晶体管放大器的闪变调相噪声

本文导出了由晶体管高频调谐放大器的闪变调相噪声,决定的频率稳定度(频域的表征相位功率谱密度S△'1(f)和时域的表征阿伦方差y2())与晶体管参数的关系式,并进行了实验验证。     

Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

^39K2分子C^1Ⅱu→X^1Σg^＋跃迁的碰掸诱导光谱

用441.56nm CW He-Cd+激光获得了39K2分子C1Ⅱu→X1∑g+跃迁的碰撞诱导(CI)光谱。光谱分析表明:来自C1Ⅱu(u′=0,J′=53)的碰撞诱导跃迁是P(△J=±2)、R(△J=±2)、Q(△J=±1)。碰撞诱导谱的波数计算值和实验值之间有令人满意的符合。研究了碰撞诱导(CI)伴线和激光诱导荧光(LIF)光谱主线的强度比ρ与缓冲气体压强、样品池温度的关系,给出了物理解释。     

YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究

本文采用YON界面钝化层来改善HfO₂栅介质Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法：在Ar+N₂氛围中溅射Y₂O₃靶直接淀积获得以及先在Ar+N₂氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性：较小的CET（1.66 nm）,较大的k值（18.8）,较低的界面态密度（7.79×10¹¹ eV^-1cm^-2）和等效氧化物电荷密度（-4.83×10¹² cm^-2）,低的栅极漏电流（3.40×10^-4 A/cm²@V_g=V_fb+1 V）以及好的高场应力可靠性.     

An integrated silicon magnetic field sensor using the magnetodiode principle

We report a novel integrated magnetic field sensitive device. Its structure is reminiscent of the bipolar transistor, but its operation is essentially that of a magnetodiode: a reverse-biased p-n (collector) junction plays a role similar to that of the high recombining surface of classical magnetodiodes. The device can be manufactured in standard bulk CMOS or bipolar technology. Sensitivity up to 25 V/T at 10-mA current is achieved. Voltage-current characteristics shows saturation and negative resistance regions, which are explained by JFET and UJT effects, respectively.     

TOD效应对超短光孤子脉冲自频移的影响研究

对包括拉曼散射和TOD（Third-Order Dispersion）效应在内的超短光孤子脉冲传输的特性分析的基础上，通过数值模拟、分析、拟合得出了TOD效应引起的孤子自频移量与距离（Z）、脉冲宽度（T0）和参量 之间的量化关系。完善了以前只考虑拉曼散射效应的孤子频移量的计算公式。对孤子自频移引起的脉冲延时进行了研究。研究结果表明由TOD效应引起的孤子频移量 ，孤子总的脉冲延时量 ，由TOD效应引起的孤子脉冲延时 。该结果为研究基于飞秒量级的高速光开关有重要的意义。     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

Ab␣Initio Study of Aluminium Impurity and Interstitial-Substitutional Complexes in Ge Using a Hybrid Functional (HSE)

The results of an ab?initio modelling of aluminium substitutional impurity (\({\hbox {Al}}_{\rm Ge}\)), aluminium interstitial in Ge [\({\hbox {I}}_{\rm Al}\) for the tetrahedral (T) and hexagonal (H) configurations] and aluminium interstitial-substitutional pairs in Ge (\({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\)) are presented. For all calculations, the hybrid functional of Heyd, Scuseria, and Ernzerhof in the framework of density functional theory was used. Defects formation energies, charge state transition levels and minimum energy configurations of the \({\hbox {Al}}_{\rm Ge}\), \({\hbox {I}}_{\rm Al}\) and \({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) were obtained for ?2, ?1, 0, \(+\)1 and \(+\)2 charge states. The calculated formation energy shows that for the neutral charge state, the \({\hbox {I}}_{\rm Al}\) is energetically more favourable in the T than the H configuration. The \({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) forms with formation energies of ?2.37 eV and ?2.32 eV, when the interstitial atom is at the T and H sites, respectively. The \({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) is energetically more favourable when the interstitial atom is at the T site with a binding energy of 0.8 eV. The \({\hbox {I}}_{\rm Al}\) in the T configuration, induced a deep donor (\(+\)2/\(+1\)) level at \(E_{\mathrm {V}}+0.23\) eV and the \({\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) induced a single acceptor level (0/?1) at \(E_{\mathrm {V}}+0.14\) eV in the band gap of Ge. The \({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) induced double-donor levels are at \(E_{\rm V}+0.06\) and \(E_{\rm V}+0.12\) eV, when the interstitial atom is at the T and H sites, respectively. The \({\hbox {I}}_{\rm Al}\) and \({\hbox {I}}_{\rm Al}{\hbox {Al}}_{\rm Ge}\) exhibit properties of charge state-controlled metastability.     

应变Sil-xGex/Si △i能谷附近色散关系的KP理论推导

基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不同于弛豫Si-xGex的△1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m*l,m*t)相同.△i和△1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.