As_2S_8薄膜光致折射率效应及其在条波导制备中的应用研究

分别采用紫外光和He—Cd激光辐照,实验研究了As2S8非晶态薄膜的光致折射率变化以及膜厚变 化的现象,归纳了实验规律,初步分析了机理。利用光诱起折射率变化效应试制了As2S8玻璃条波导,实现了良好 的导波特性。     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

As2S8平面波导：退火-光照-退火循环作用下折射率的变化及光传输特性

蒸发沉积态的非晶半导体As2S8薄膜在退火-饱和光照-退火循环处理下,其折射率变化存在可逆。而对于在退火-非饱和光照-退火的连续处理,发现As2S8薄膜折射率先增加达到最大值,然后在退火作用下才出现可逆。退火处理引起S-S键态变化,导致非晶半导体As2S8薄膜结构达到一定稳定状态,伴随着薄膜厚度的减小。As2S8平面波导在130C 温度退火,然饱和光照,又经过130C 温度退火处理后,显示出约为0.27 dB/cm低的传输损耗,在波长632.8 nm导模下有良好的光传输性能。     

As2S8非晶态薄膜波导光学截止效应研究

报告了As2S8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping)效应的实验过程，初步结果和机理分析，介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺。以及实验光路和光学截止现象的过程，在实验基础上，结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道，我们提出了以微结构变动为前提，结合半导体能级理论的电子泵浦模型，解释了实验现象。     

用于产生中红外超连续谱的硫系玻璃色散研究

硫系材料由于具有较长波长的红外透光截止波段,且具有较高的线性折射率和高非线性系数,是产生中红外超连续谱激光的理想非线性介质材料。由于泵浦非线性介质一般多采用波长2 m以下的激光源,所以研究材料的色散很有意义。利用4种不同形式的方程拟合了3种硫系玻璃材料As2S3、As2Se3、Ge33As12Se55的折射率随波长的变化曲线,并计算了材料色散曲线,得到了较为理想的结果,3种材料的零色散波长分别为4.8 m、7.2 m、6.1 m。同时证明了对于硫系玻璃材料,不能只利用短波长下的折射率值拟合计算长波长下的折射率。     

采用激光外差干涉仪测量光学材料光弹特性的研究

将外差干涉用于给定光学材料的光弹特性测量领域 ,提出了一种测定光弹性某些参数的新方法 ,并研制了一套气压加载装置用以测量不同应力下的折射率变化情况 ,通过实验给出了应力 折射率关系曲线 ,并对实验结果进行了分析。该方法测试方便 ,装置简单 ,可通过很小应力 (1～ 2个大气压 )获得折射率变化与应力的关系 ,折射率变化的测试精度可达 8 4× 10 - 8。     

包层折射率变化的光纤温度传感器机理研究

本文从实验角度研究了两种光纤材料的折射率随温度变化的特性，讨论了包层折射率变化的光纤温度传感器机理，设计了一种高精度的包层折射率变化光纤温度传感器系统。     

基于SPR光谱分析的液体折射率计

为了更好地测量液体折射率，提出了一种基于表面等离子共振波长测量液体折射率的方法，采用Kretschman结构建立了模型，进行了软件仿真，并搭建实验平台进行了实验研究，分析了实验和理论之间的误差来源。结果表明，当折射率在1.33RIU~1.36RIU的范围内变化时，表面等离子共振吸收峰随液体样品折射率的变化产生了频移，其灵敏度可达4808.94nm/RIU。该方法可以准确测量液体的折射率，且系统结构简单，具有较高的灵敏度。     

As_2S_8非晶态薄膜波导光学截止效应研究

报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping）效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道,我们提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子泵浦模型,解释了实验现象.     

复合氧化剂界面聚合制备导电聚苯胺纳米纤维

利用盐酸和四氯化碳的水/油两相界面,以过硫酸铵(APS)和重铬酸钾为复合氧化剂,首次采用复合氧化剂界面聚合法制备纳米纤维状聚苯胺(PANI)。研究了复合氧化剂配比对掺杂态聚苯胺电导率和产率的影响。结果表明,在室温下,当采用摩尔分数90%APS和10%重铬酸钾复合氧化剂时,产物形貌呈网状纤维状,直径为50～80 nm,长度为500 nm至几微米不等,电导率和产率分别为1.89 S/cm,49.03%。     

非晶As2S3半导体薄膜在激光作用下的性能及结构研究

在激光辐照或退火作用下 ,As2 S3非晶半导体薄膜的光学吸收边出现红移现象 ,并且随着激光功率的增大和辐照时间的延长 ,红移值增大 ,并最后达到饱和。这种红移在先经过退火处理再激光辐照的薄膜中是可逆的。从扫描电镜的形貌图中也可以看出 ,经激光辐照后 ,薄膜表面有晶相出现 ,且随着激光功率的增加 ,晶相出现增多。As2 S3非晶半导体薄膜中光致效应的产生是由于光致结构变化所致 ,对其产生原因 ,进行了机理分析     

低温烧结CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷及其性能研究

低温烧结制备了添加晶核剂S(CaCO3,H3BO3,SiO2为原料)的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃陶瓷。研究了晶核剂S对所制CBS的主晶相及其性能的影响。结果表明:在CBS玻璃陶瓷中,包含β-CaSiO3、α-SiO2和CaB2O4三种晶相,晶核剂S能促进主晶相的形成,提高析晶度。S的添加量为质量分数8%时,所得到CBS性能最好:εr=6.11,tanδ=0.0009,弯曲强度σf≥220 Mpa。     

Morphology Control of Li2S Deposition via Geometrical Effect of Cobalt-Edged Nickel Alloy to Improve Performance of Lithium–Sulfur Batteries

Rechargeable lithium–sulfur batteries operate based on the interconversion between sulfur and Li₂S. Due to its insoluble and insulated nature, Li₂S deposition is kinetically sluggish, which has an important effect on performance of lithium–sulfur batteries. In this work, cobalt-edged nickel alloy is designed and used as host material of sulfur cathodes to manipulate the behavior and morphology of Li₂S deposition. It is found that Co and Ni have different catalytic kinetic characteristics for Li₂S deposition reactions, and the difference in nucleation and growth rates of Li₂S and geometrical effect of Co-edged Ni alloy can cause a well-spaced morphology to prevent premature surface passivation, thereby improving sulfur utilization and rate capability of the cathodes. As a result, the thick sulfur cathode using cobalt-edged nickel as host material with a sulfur loading of 4.0 mg cm⁻² shows an initial capacity of 1229.3 mA h g⁻¹ at electrolyte/sulfur ratio of 8 µL mg⁻¹, as well as high capacity retention of 92.2% at 0.2 C during 100 cycles. These results provide an alternative perspective not only for developing new mixed host materials for lithium–sulfur batteries, and also for further understanding the existing works using composite host materials.     

As2S3-CdI2系统玻璃的微结构与热属性

运用传统的熔融淬冷技术成功地制备出了均匀的玻璃样品(1-x)As2S3-xCdI2(x=0．015，0．035，0．050)。对样品进行了X线衍射和热综合分析以及拉曼散射等测试。随着CdI2含量的添加，样品系统玻璃的热属性基本上没有变化。基于实验结果，被研究玻璃系统的微结构被认为是：离散的AsS3分子和Cd-S原子键或原子簇均匀地分散在由硫桥连接的[AsS3／2]单元组成的玻璃网络中。     

Simultaneous optimization of short-channel effects and junctioncapacitance in pMOSFET using large-angle-tilt-implantation of nitrogen(LATIN)

A widely used halo implant process of counter doping has a tradeoff between the short channel effects and the parasitic junction capacitance. In this letter, we propose a novel drain engineering concept, large-angle-tilt-implantation of nitrogen (LATIN) to improve the short-channel effects without the increase of the junction capacitance in the buried-channel pMOSFET using sub-0.25-μm CMOS technology. We compare the electrical characteristics of devices fabricated using LATIN, a conventional arsenic halo implant process (As HALO), and BF₂⁺ source/drain (S/D) implantation only. The LATIN improves the short-channel effects when compared to the case of BF₂⁺ S/D implant only. In addition, the LATIN reduces junction capacitance by 18% when compared to As HALO. As a consequence, the LATIN is shown to be a drain engineering concept to simultaneously optimize the short-channel effects and junction capacitance. Calibrated two-dimensional simulations confirm the improvement with LATIN     

An Improved Moment-Matching Algorithm for Evaluating Top-Event Probability Bounds

This paper proposes improvements in the momentmatching algorithm developed by Apostolakis & Lee (A&L algorithm). The moment-matching method in the A&L algorithm evaluates reliability uncertainty by: 1) assuming that system reliability is governed by the Johnson SB distribution; and 2) calculating reliability bounds by using the moment-matching method, given the reliability mean value and variance. The proposed (T.S.S.) algorithm deletes the singular points and the strict peak in the numerical integration by variable transformation in step 2 above, and uses Newton's method in the convergence calculation. As a result, an increase in calculation accuracy and reduction of computation time are realized. Some numerical examples demonstrate the effect of the T.S.S. algorithm.     

Ultra-strong, well-apodised Bragg gratings in chalcogenide rib waveguides

The first ultra-strong, near-perfect, raised-apodised Bragg gratings in As/sub 2/S/sub 3/ chalcogenide rib waveguides using /spl lambda/=532 nm light and a modified Sagnac holographic writing setup are demonstrated. Good agreement is achieved between the experimental results and the numerical modelling of the gratings using the transfer matrix analysis for thin film structures.