增量设计流程针对需要变更部分进行优化

将综合工具的功能和集成设计环境(IDE)结合在一起,提供高效的增量设计方法,管理工程设计变更通知(ECO)需求,使设计人员能对原设计作模块级变更,即只更改那些需要变更的部分。这种设计流程大大减少了变更对那些原已成熟的设计部分的影响,因此能够节省时间和资源。FPGA设计人员总     

标准欠缺 DFM问题困扰PCB设计和制造厂商

设计水平的提高、制造能力的提升,使可制造性设计(DesignforManufacturing,DFM)成为了时下最令IC设计厂商和Foundry厂商头痛的问题。与此同时,同样的问题也同样困扰着P C B设计和制造等上下游产业。建立标准有效沟通DFM问题涉及到PCB产业链上的很多环节——设计厂商、PCB制造厂     

您准备好起飞了吗?

台积电(TSMC)公司董事长兼执行长张忠谋日前在美国硅谷专题演讲时指出,中国将是全球半导体的市场兼制造中心,且最终将成为集成电路设计中心。的确,我国巨大的市场潜力,已吸引全球包括半导体行业在内的企业竞相投资,但相对于发展日渐成熟的制造业,我国目前在IC设计这块领域仍有许多发挥空间,而国内的IC设计人才与市场需求相比也还存在着相当大的鸿沟。编者日前走访中关村益华软件技术学院时,该学院院长王基元提出目前中国IC设计工程师仅4,000-6,000人,这与广大的市场需求显然是不相称的,但     

斜45度方向的布线技术

本文讨论了数字电路设计现场的新技术。日本东芝与美国Simplex Solutions公司共同发明斜45°方向的布线技术。如果该技术实用化,在不变更制造技术情况下,可能使工作频率提高20％,芯片面积减少20％。     

高压槽型SOI LDMOS槽区设计的普适方法

论文介绍了高压SOI槽型LDMOS不同槽介质,槽宽和槽深设计的普适方法。该方法考虑了击穿电压和导通电阻的折中关系。浅而宽的槽适合用高介电常数材料填充,深而窄的槽适合用低介电常数材料填充。论文还讨论了真空槽的情况。仿真结果表明由于器件总宽度的降低,采用低介电常数材料填充槽区可以获得更高的设计优值。     

超深亚微米与纳米级标准单元的可制造性设计与验证技术

当半导体工业进入到超深亚微米时代后,标准单元的设计面临着新的挑战.由于亚波长光刻的使用,图形转移质量将严重下降.在这种情况下,以集成电路的可制造性作为目标的"可制造性设计"方法在标准单元设计中变得至关重要.本文分析了超深亚微米与纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案,完成了实际90nm工艺下标准单元的可制造性设计工作.同时,文中提出了包括光刻模拟、测试电路组等技术在内的单元可制造性设计和验证的流程.     

幸存者游戏：中国IC设计服务业扫描

中国正在成为半导体制造大国,这已经成为全球不争的共识.随着半导体制造业的兴起,也同时带动了相关产业的发展,而设计服务(Design Service)业可以说是伴随着半导体代工(Foundry)这种商业模式的发展而诞生出来的一个新生产物.作为设计和制造中间环节的设计服务业在台湾、日本,甚至欧美市场都获得了巨大的成功.     

124 600 m~3空间8.2 s RT_(60)游泳馆声系统工程(待续)——昆山游泳馆跳水馆建声电声综合设计STIPA探讨

STIPA指标是建声电声综合设计之本。昆山游泳跳水馆比赛大厅的棚顶,采用大跨度桁架上张拉浅色的具有自然采光功能的PTFE膜结构,其玻璃幕墙面积超过墙体50%的面积,是造成建声RT60难以控制、STIPA难以达标的主因。在该馆第一次扩声系统工程验收时的第三方检测发现,最终的RT60达到8.2 s严重超标程度,同时STIPA也没达标。通过介绍在昆山游泳跳水馆扩声系统工程施工前的STIPA计算和EASE论证与该工程施工变更前的第二次STIPA计算与EASE论证,包括施工变更前、变更后的两次第三方检测各相同位置的STIPA指标测量对比情况,证明扩声施工变更方案是确实可行的,也证明了为实现STIPA目标的电声弥补建声设计理念的精确性和实用性。     

微波材料选用及微波印制电路制造技术（连载）

2．2．16 RO3210 RO3210高频线路板材料,是编织玻璃纤维增强的、陶瓷粉填充的PTFE层压板材料,它专为高介电常数应用需求而设计开发。这种材料结合了非编织类PTFE层压板表面光滑的优点,同时,具有刚性玻璃布编织PTFE层压板制造之特性,对于精细线路之蚀刻制造有利。     

冲模设计与制造技术讲座 2：冲模设计与制造基础概论

冲模设计与制造技术讲座（２）冲模设计与制造基础概论机电部第１１设计研究院张正修一个优秀的冲模设计师，同时也应该是一个技术熟练的冲压工艺员，还应该通晓冲模制造工艺及设备。否则，就难以设计出技术先进、结构合理、制模工艺性好的冲模。冲模设计人员的技术素质就...     

国内新闻

华虹无锡项目荣获LEED v4认证金奖 及“二星级绿色建筑设计标识证书”,近日,华虹无锡集成电路研发和制造基地项目又迎来一重要成果,华虹半导体(无锡)有限公司承担的300㎜生产线(华虹七厂),以其建筑及配套厂务设施设计的绿色节能特点,荣获美国绿色建筑委员会(USGBC)认证的“能源与环境设计先锋”(LEED v4)金奖,并且还获得了中国城市科学研究院认证的“二星级绿色建筑设计标识证书”。这是继上海华力二期(华虹六厂)之后获得LEED金奖认证的第二座华虹集团集成电路制造工厂。     

电子装联可制造性设计

电子装联可制造性设计是一个全新的设计理念,主要解决电路设计和工艺制造之间的接口关系."设计要为制造而设计",强化电子装联的可制造性,使电路设计按照规范化、标准化的要求进行设计,是电子装联可制造性设计的主要要求.通过对可制造性设计(DFM)的基本理念、电子装联可制造性设计和应用先进电子装联技术的可制造性设计的详细论述,阐明了什么是电子装联可制造性设计,电子装联可制造性设计的必要性、重要性及实施途径.     

TSMC和UMC推出不同的65nmDFM解决方案

TSMC刚推出了一种65 nm可制造性设计(DFM)方案,它是一种柔性设计支持生态系统,采用可制造性统一数据格式,通过精选的EDA工具将DFM能力直接传递至设计人员的工作站。提出这个方案是为了使DFM工具,如,光刻工艺检测、CMP     

小型音箱的设计与制作（三十五）

一、桌上QWT型音箱的微调与一回介绍了可用做计算机音箱放在显示器背后的QWT型音箱的设计与制作,但是吸音材料的填充觉得还没有达到最佳状态还有改善的必要。所以在这一回打算对吸音材料的填充量进行少量调整。如照片1所示的那样,将填入A处的吸音材料的量减少一半,     

提高DFT设计测试覆盖率的一种有效方法

伴随着现代大规模集成电路制造工艺的快速发展，设计工程师必需直面芯片制造过程中可能产生的物理缺陷。现今流行的可测试性设计（DFT：Design For Testability）应运而生，并为保证芯片的良品率担任着越来越重要的角色。     

一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法

化学机械研磨(CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响,所以必须在设计时就进行慎重的考虑。众所周知,插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法,通常基于规则的方法广泛用于65纳米及以上工艺中,但是该技术在比较先进制程中显示不出其优越性。本文阐述了一种基于模型的冗余金属填充方法,它是根据设计版图中的周围环境用计算机算法来填充。这一方法的优点有以下几方面:在设计规则检查(DRC)中更少的违规数量,更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量,更小的密度和周长梯度。在使用40纳米工艺的晶圆上,基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当,但是比公开的其它填充方法要好。     

市场要闻

SEMI在京举办移动互联与IC设计制造研讨会由SEMI China、北京半导体行业协会和北京集成电路设计园共同主办的"移动互联与IC设计制造研讨会"近日在北京召开,会议邀请了从芯片制造、设计、封装及测试的行业精英共同探讨由当今炙手可热的移动互联技术给硬件发展带来的机遇和挑战。由于移动互联网是目前IC设计领域的重要发展方向,本次论坛将围绕着移动互联网中移动终端产品手机,从系统架构,芯片设计,EDA设计工具,     

特许半导体制造公司携手中国IC设计孵化基地及服务中心扶持新兴企业

新加坡特许半导体制造公司,近期正式与中国四家孵化基地及服务中心建立合作联盟,以协助本地新兴集成电路设计公司成功的完成系统产品设计与集成并且顺利进展到原型制造以及生产阶段。该孵化基地及服务中心联盟包括上海集成电路设计研究中心、中国科学院 EDA中心、深圳集成电路设计创业发展有限公司和国家集成电路设计西安产业化基地。新兴公司通过这些中心将可获得特许半导体的工艺和设计解决方案 —如设计规则、电学参数、 仿真模型、技术档案、工艺库、已验证的知识产权模块(IP)和设计程序包。除此以外,新兴公司还可加入特许半导体的多…     

突破SoC电气设计的挑战与解决方针

近三十多年来,半导体产业的发展大致遵循着英特尔前总裁摩尔(Moore)在70年代的大胆预测,集成电路的集成度及运算频率每隔18个月将会加倍(图1)。摩尔定律(Moore’s Law)建立了集成电路设计制造的复杂度呈现定期级数增长的时代走向,也造就了今日产值数以百兆的大型高科技产业。为了降低单位制造成本及增加正品率和效能,半导体必须要极力缩减(shrink)其特征大小(feature size),许多制造及设计的困难度油然而生。为了达成此一目标,必要的超大型资本密集及智力密集拉高了企业入门的门槛,也升高了竞赛的困难度。此一产业的特征造就了英特尔数十年来在微处理器产业近乎独占的地位。个人计算机微处理器设计的复杂度使得目前仅存数家公司,超微电子(AMD)及威盛电子(Via)可算是硕果仅存的其中之二。     

面板过孔设计对聚酰亚胺液扩散的影响

为提高产能,笔记本电脑超高级超维场开关(HADS)产品的聚酰亚胺(PI)膜涂布方式从辊涂的感光树脂转印版(APR版)转印变更为喷墨打印,涂布方式的变更造成了PI液滴无法填充到高段差钝化层(PVX)过孔内,进而在过孔周围PI液堆积产生宏观"线Mura"不良。我们通过变更产品设计与工艺参数调整以及工艺过程优化,设法降低或消除不良产品,使良率满足量产需求。首先,通过变更钝化层掩膜版使得钝化层过孔和Com走线有一定偏移量(钝化层半过孔),半过孔设计利于PI液通过半过孔缺口设计进入钝化层过孔内。为了减小钝化层过孔尺寸和数量对PI液扩散的不利影响,钝化层过孔周期从1/3变更为1/6,过孔尺寸从5.7μm增大到7.5μm。钝化层掩膜版设计的变更极大改善了PI液进入过孔内,将"线Mura"不良率从100%降为15%。其次,从提高PI液滴涂布均匀性方向出发,将喷墨打印涂布方式从1次涂布变更为2次涂布,2次涂布的叠加效果使相邻液滴间扩散时间更久,液滴间距更小,膜厚更均匀,使"线Mura"不良率从15%降为1%。再次,通过改变PI液滴在过孔周围走线的扩散方向来提高扩散均匀性,通过将喷墨打印机台角度从0°变为2°,进一步使"线Mura"不良率从1%降为0.2%。