GaAs衬底上Mn／Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应

利用超高真空电子束蒸发技术GaAs(100）上生长Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律,退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向（H//平面）克尔效应,经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性,能观测到显著的要有向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁带行为。     

石榴石单晶薄膜磁光调制器

磁光调制器是利用偏振光通过磁性介质使偏振面产生旋转——法拉第效应来调制光束.我们采用液相外延生长的(Bi,Tm)_3(Fe,Ga)_5O_(12)单晶薄膜,制成磁光调制器,在音频范围效果良好.我们用单     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用CH3CSNH2硫钝化的GaAs(100)表面铁超薄膜的电子结构和磁性.实验结果表明,硫钝化能阻止As向铁薄膜层的扩散,减弱As和Fe的相互作用并增强了在GaAs(100)表面生长的铁超薄膜的磁性.     

Fe3O4/P(St-AL)磁性微球的制备和复合微相结构

适当修饰磁性氧化铁粒子,并采用种子聚合法将苯乙烯和丙烯醛等单体的共聚控制在磁性氧化铁粒子表面,制备出内核是Fe3O4外壳为聚苯乙烯的复合微球.这种微球是一种既具有磁响应性,表面又含有反应性基团(醛基)的功能性复合微球.如果在其表面连接酶、抗体、亲和素等生物活性物质,即可制得高效、易分离的生物反应器.本文研究了Fe3O4/P(St-AL)磁性复合微球的制备及微相结构,考察了影响该微球粒径、磁响应性和表面特性的有关因素.     

不同底层对CoFeB/Pt多层膜垂直磁各向异性的影响研究

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了以Ru,Cu,Pt和Ta为底层的Co Fe B/Pt多层膜样品,研究了各底层对Co Fe B/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响。发现Ru和Cu作为Co Fe B/Pt多层膜的底层在保持样品的垂直磁各向异性方面的作用远不如Pt和Ta底层,而且样品的霍尔电阻比Pt和Ta做底层要小。Ta作为Co Fe B/Pt多层膜的底层与Pt作为底层相比能够更好地和多层膜晶格匹配,并且在400℃退火后反常霍尔效应得到增强。霍尔电阻提高近80%,矫顽力达到了5.7×10~3 A·m~(–1),有望作为垂直自由层应用到磁隧道结构中。     

p-InSb异质外延层在交叉电场和磁场下的发光

作者用体单晶样品研究了InSb在交叉电场和磁场下的带-带发光并报导了在MCE(磁浓度效应)条件下异质外延p-InSb薄层的带-带发光研究结果,对用体单晶制备样品的测量结果进行了对比。为了获得显著的MCE,薄半导体板的相应表面应具有明显不同的表面复合速率。在有较大晶格常数差的绝缘衬底上生长的异质外延半导体薄层可显示出这种特性。这种薄层是采用高真空热蒸发凝聚技术在半绝缘GaAs衬底上生长的,衬底的取向为(100),厚度为350μm。8μm厚的外延InSb薄层呈现出单晶结构和镜面晶格常数的极大不同(～14％)导致     

CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了CeO2作为高K（高介电常数）栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度,淀积速率,氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生成了具有（100）和（111）取向的CeO2外延薄膜,研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响,研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面／界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质。     

磁控溅射制备Co1-xPtx:C复合纳米颗粒薄膜的研究

采用组合靶，利用磁控共溅射技术制备了Co1-xPtx：C复合纳米颗粒薄膜，并从实验和理论上对不同Pt浓度CoPt：C薄膜的组分、微结构、磁性能、组分和微结构与磁性能之间的关系以及薄膜的应用进行了初步研究。发现CoPt粒子取向和磁性能与CoPt：C薄膜中的Pt浓度有密切关系，在较高Pt浓度的CoPt：C薄膜中观察到垂直各向异性现象。通过改变Pt浓度，可以获得粒子粒径小于10nm、矫顽力可控、垂直磁晶各向异性较高的薄膜。晶格结构和晶粒之间的作用力可认为是影响CoPt：C薄膜磁性能的主要因素。     

Ni80Fe20/Cu基磁性多层膜和自旋阀的微结构

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ni80Fe20/Cu基磁性多层膜和自旋阀的显微结构.高分辨像显示,磁性多层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构.Ni,Fe,Cu和Mn元素的成分分布图显示,柱晶内仍保持完整的层状结构.沿薄膜生长方向的自旋阀元素分布曲线分析表明,NiFe层中的Ni元素沿柱晶晶界向相邻Cu层扩散.讨论了这些低维磁电子学材料的显微结构对磁输运性能的影响.     

Microstructure in Ni_(80) Fe_(20)/Cu magneticmultilayers and spin valve

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ni80Fe20Cu基磁性多层膜和自旋阀的显微结构。高分辨像显示,磁性多层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构。Ni,Fe,Cu和Mn元素的成分分布图显示,柱晶内仍保持完整的层状结构。沿薄膜生长方向的自旋阀元素分布曲线分析表明,NiFe层中的Ni元素沿柱晶晶界向相邻Cu层扩散。讨论了这些低维磁电子学材料的显微结构对磁输运性能的影响。