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为了改善界面费米能级钉扎,运用CH3CSNH2/NH4OH对GaAs(100)表面进行钝化,并对界面的形成过程进行研究。结果表明,经高温退火处理后,S在GaAS(100)表面以Ga—S的形式存在,没有形成化合物;研究了Fe生长过程中的成键特性和电子态,Fe淀积到S/GaAs(100)表面,引起0.5 eV的能带弯曲,Fe与Ga、S发生较强的化学反应,而与As的反映被消弱。随着Fe覆盖度的增加,S原子停留在界面处,起到绝缘层的作用,而As和Ga则存在扩散和偏析现象,Fe在S/GaAs(100)表面以岛状形式生长。 相似文献
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针对目前报导的磁定位算法存在多解、计算速度慢等问题,本文根据水下目标磁场的远场分布特征,提出了一种新的磁偶极子反演定位方法,并建立了目标磁场分布的定位模型,同时提出了双标量磁探仪探测定位方法,完成了水下目标磁异常定位仿真计算.仿真结果表明,定位误差在30 m以内的概率达到了96 %,定位误差在60 m以内的概率达到了100%,当目标处于不同方位时的定位结果均满足要求.该方法克服了现有算法的缺点,定位结果更为准确,可以满足水下目标准确定位的要求,具有较强的实际应用价值. 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构。在界面处,Fe与As形成稳定的化学键,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金,但反应只能在界面处发生,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构,重新钉扎了费米能级位置,引起费米能级向价带顶移动0.27eV。另外,Fe的生长模式在沉积过程中发生改变,而且存在As和Ga的扩散现象,同步辐射价带谱也证实了这一点。 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构,在界面处,Fe与As形成稳定的化学键,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金,但反庆只能在界面处发生,形成窄的反应层,Fe沉积后改变了GaAs表面的电存在As和Ga的扩散现象,同步辐射价带变也证实了这一点。 相似文献
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