光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

精密掩模清洗及保护膜安装工艺

光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高.通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性.基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺,通过试验形成了最终工艺.新清洗工艺的开发满足了0.5μm掩模加工洁净度要求.     

用于提高光刻分辨率的光学成像算法的研究

通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程.建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务.     

掩模自动检查系统提高了大规模集成电路的成品率、性能和可靠性

在日本,大规模集成电路光刻掩模的缺陷自动检查,现已成为不可缺少的事了。掩模缺陷自动检查设备是四前年投入实际使用的,它的迅速普及已使人们能用到优质的光刻掩模。进而,这又大大提高了大规模集成电路的性能,可靠性和生产成品率。近来,用常规光刻掩模制造高集成度集成电路——超大规模集成电路的可能性也终于得到证实。     

反应溅射氧化铁光刻掩模试制小结

一、概述 在以往的集成电路的生产中,尤其是在中、大规模集成电路的试制中,深深感到高质量光刻掩模的需要。举例说:在多层布线工艺试验工作中,目前最难于解决的问题莫过于光刻中所产生的针孔,而针孔的产生,掩模的质量是问题的主要方面之一。在中、大规模集成电路的试制中,由于芯片的集成度提高,芯片尺寸增加,掩模图形质量对电路成品率产生巨大影响,不解决掩模质量问题,中、大规模电路的批量生产看来是困难的。由于生产和科研工作开展的实际需要,促使我们开展了选择性透光掩模(即彩色版)的试制。 选择性透光掩模之所以受人注意,主要是它们具有以下几方面优点: a.具有选择性透光,便于光刻时图形套准,而且不必在掩模上作对准标记。 b.光反射率低,改善了边缘锐度,提高了分辨率,有利于细线条光刻。光反射率低,使光刻操作者眼睛不致疲劳。 c.透光掩模本身具有优良的薄膜特性,如针孔密度小,粘附性好,耐划伤等。 目前,一般认为具有代表性的有发展前途的透光掩模大致有三种:即硅、氧化铬和氧化铁。硅掩模是一种相当出色的掩模。据称硅掩模针孔密度最小,可认为无针孔     

文摘

用于X射线光刻掩摸的SiN_x薄膜X射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一,X射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光刻掩模制造工艺.报道了在高温下采用LPCVD方法制备低张应力SIN_x薄膜的工艺过程,获得的SiN_x薄膜具有低张应力,高透光率特性,成品率和重复性增多有大幅度提高, 可用于X射线掩模制造.(N.10)     

光刻设备

<正> 将半导体电路图形转移到晶片的光刻技术是半导体制造工艺的核心,其发展相当快。几年前,主要采用掩模与片子紧密接触或使两者约离开10μm 的间隙的一次光刻法(接触、接近式),但因图形对准精度、成品率等问题,正在向投影式光刻方向转变(见图1)。     

软X射线复印

高集成化、高速化是目前技术革新的一个方向。在集成电路制造工艺中,正在研制以提高成品率、速度、集成度为目标的表面弹性波器件、磁泡、光集成电路及超大规模集成电路等一直到亚微领域的各种器件。作为光刻法亚微米加工有(相似)掩模法和缩小投影曝光法。     

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相称掩模用于准分子激光光刻实验,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。     

适于亚微米光刻的高精度莫尔对准技术研究

大规模集成电路生产中,光刻机是一关键设备,而光刻机中的掩模——硅片对准系统又是集成电路生产中提高器件的成品率和生产效率、实现光刻操作全自动化的关键,其研究一直受到有关半导体设备研制、生产单位的重视。     

X射线光刻法——一种新的高分辨率复印法

阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成本高。显然,两者可通过新近发展的 X 射线光刻法来克服,用类似于接触影印光刻方法的 X 射线光刻可获得复印亚微米分辨率图形。还有一个优越性是容许掩模与祥片间有一定间隔。本文叙述了 X 射线光刻法并且对制作亚微米分辨率图形清晰度的实施的前途作了估价。     

高分辨率离子束微细加工技术

只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚焦镓离子束以扫描方式进行无掩模微细加工、掺杂和抗蚀剂曝光的结果。其次介绍一种离子束透射掩模。并给出用普通尺寸的150KV 质子束照射这种掩模,在 PMMA 抗蚀剂中得到的曝光结果,从而表明该方法具有对0.6μm 分辨率的掩模图形进行1X 复印的能力。最后讨论了仿模离子束光刻和聚焦离子束光刻的潜力。     

采用透明硬光刻掩模版的光刻法

本文描述采用泰勒透明硬光刻掩模版和施普莱AZ-1350光致抗蚀剂的高分辨率光刻掩模的制造过程。稍经修改,此过程可与其他光致抗蚀系统同用并能得到同样的良好结果。光刻版的光吸收特性见说明。     

全自对准槽栅IGBT设计

本文设计了一种全自对准的楷栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构，其工艺简单，全套工艺只有两块光刻版，且两次光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效地防止器件闩锁。用氧化层硬掩模和先进的硅化物工艺实现全自对准的多晶硅反刻和金属连接，可使元胞尺寸缩小到2μm甚至更小；增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度，提高了电流。用砷(As)掺杂代替磷(P)，可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。     

基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术研究进展

随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术

报道了用Ｘ射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３ＢＩＡ光刻束线获得的０．５μｍ的光刻分辨率的实验结果。     

版面质量和版面设计对电路成品率的影响

对电路生产来说,不能单凭工艺手段来保证成品率和参数水平,我们认为光刻版的质量好坏、设计的合理与否也是左右这两方面的重要因素。一个版面设计合理图形完好的光刻版会大幅度地提高管芯成品率和高档电路比例。     

在半导体光掩模制备工艺中超微粒干版的使用条件

随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面敷有防止反射膜的掩模以及橙色透明金属氧化物的掩模所取代。但是在初缩、精缩的过程中母版的制作及在通常的光学照相系统中,暂时还找不到更理想的替代物。所以,如何提高乳胶干版的质量,找出最佳的使用工艺成为从事制版工作的人们不断探讨的课题。本文仅对乳胶掩模版的制备工艺提出一些方法和意见。     

工件台振动低敏感光刻系统协同优化方法

计算光刻是提高光刻成像性能的有效方法。但是，大多数计算光刻技术建立在理想光刻系统下而忽略了系统误差的影响。系统误差中的工件台振动会导致光刻图形误差增大和工艺窗口下降。因此，必须要降低工件台振动对光刻性能的影响。建立了一种对工件台振动低敏感的光刻系统协同优化方法。首先利用Zernike多项式表征光源来降低算法计算量并提高光源优化自由度。然后创建一项涵盖工件台振动影响的综合评价函数。最后采用基于梯度的统计优化算法建立优化流程。14 nm节点一维掩模图形仿真表明极端工件台振动下，该方法的特征尺寸误差降低28.7%，工艺窗口增大67.3%。结果证明该方法可以有效降低工件台振动敏感度并提高光刻工艺稳定性。