变容管宽带倍频器设计

本文着重分析变容管宽带倍频器的电路模型和实现宽带倍频条件;讨论了这种倍频器的工程设计方法;介绍倍频效率为65％,带宽为25％的二千兆赫变容管宽带二倍频器的设计参数、电路结构及性能曲线。     

X波段微带低相噪三倍频器的设计

介绍了SRD(阶跃恢复二极管)三倍频器的具体设计方法,据此设计研制了一种微带结构的由S波段倍频到X波段的三倍频器,给出了该电路的印制电路图和性能指标。该倍频器具有频带宽、效率高、结构简单的特点,在宽温范围内能够稳定工作,测试结果表明倍频后的相位噪声恶化接近理论值。     

一种用于LVDS驱动器的PLL时钟倍频器的设计

设计了一个结构新颖的3.5倍频锁相环(PLL)倍频器,该电路应用自适应电荷泵和压控振荡器工作频率范围复用技术,调整环路带宽,减小压控振荡器的工作范围.采用1st Silicon 0.25 μm CMOS混合信号工艺仿真.结果表明,PLL倍频器具有较低的噪声和较高的捕获速度.     

微波集成二极管倍频组件

本文首先对微波集成二极管倍频器作了简单介绍,并以微波集成17次倍频组件为例,论述多次倍频器的原理、设计、电路结构和测试调整方法.     

基于CSMRC的WR-3全频段三倍频器设计

给出了覆盖WR-3波导全频段的基于石英基片的高效率全频段平衡式三次倍频器的设计方法.采用紧凑悬置微带谐振器(Compact Suspended Microstrip Resonator Cell(CSMRC))作为倍频器的输入端滤波及匹配电路,不但提高了带外抑制,还有效地降低了电路尺寸和所需的腔体宽度.倍频器电路包括两个波导/悬置微带转换电路,一个反向并联二极管对、一个SCMRC和两段匹配传输线构成.通过仿真和测试结果的比对可以看出,设计及仿真方法是准确有效的.在225~330 GHz范围内,两套样品的测试输出功率为45~95μW,平均功率约为60μW.倍频器的最佳倍频效率对应的输入功率约为+5 d Bm,全频段范围内倍频效率为1.5%~3%.     

W波段宽带高效率电阻性三倍频器设计

本文基于TSC-AP-03020混频二极管设计了W频带全波段三倍频器,考虑到二极管各种寄生参数的影响,采用去嵌入阻抗的方法,提取二极管物理结构的S参数文件,结合二极管SPICE模型,提取二极管的输入阻抗和三次谐波输出阻抗.基于计算的阻抗,综合分析输入输出阻抗匹配网络和波导-鳍线过渡,采用一体化设计方法,提取倍频器无源电路的整体S参数,通过谐波平衡分析方法,优化倍频器的倍频效率.设计的W波段倍频器在100GHz测得最高倍频效率4.2％.在75-110GHz倍频效率典型值为3.5％,倍频效率响应曲线平坦,性能优于国外同类产品水平,解决了W波段宽带信号源的问题.     

基于肖特基二极管的太赫兹二倍频器设计

固态倍频器是太赫兹源应用中的关键器件,如何利用非线性器件提高太赫兹倍频器件的效率是设计太赫兹固态电路的关键。本文介绍了利用肖特基二极管非线性特性设计固态太赫兹二倍频器的2种方法,即采用直接阻抗匹配和传输模式匹配设计了2种不同拓扑结构的170 GHz二倍频器,针对设计的结构模型,分别进行三维有限元电磁仿真和非线性谐波平衡仿真。仿真结果表明,在17 dBm输入功率的驱动下,倍频器在160 GHz~180 GHz输出频率范围内,倍频效率在15%左右,输出功率大于7 mW。最后对2种方法设计的倍频器结构进行了简单对比和分析,为今后太赫兹倍频研究和设计提供仿真方法。     

S波段集成功率倍频部件的研制

本文介绍一种S波段功率倍频部件.该部件由一个有空闲电路的阶跃管高次(14次)倍频器及一条无隔离器的平衡功率放大链组成.其输出功率大于1.5W,谐波抑制高于50dB,输出噪声电平优于-70dBm.该部件采用微波集成大面积组合一体化、双面结构工艺,体积小,重量轻,工作可靠,满足工程需要.文中讨论了有空闲的阶跃高次倍频器设计及平衡功率放大器在微波整机上的应用.     

丙类倍频器的设计与仿真

基于晶体管丙类功率放大器的原理,设计晶体管丙类倍频器,给出了倍频器中基极偏置电路元件参数设计过程。利用Multisim软件对所设计电路进行了仿真,通过调整LC并联回路的谐振频率实现对输入信号的三倍频,根据输出信号的频谱图提出进一步优化电路的办法。仿真表明应用Multisim软件辅助设计丙类倍频器,可以使电路设计更加直观高效。     

一种非常简单的晶体管参量倍频器

介绍和分析了一种电路非常简单的晶体管参量二倍频/三倍频器并从实验上对其进行了测量.理论分析的结果与实验结果一致.这种有效的倍频放大器已经成功地用于CTS(无绳电话)主机发射通道之中.     

一种基于倍频技术的低相噪X波段频率源设计

为得到低相噪的X波段微波信号,运用微波倍频技术的原理设计了一种频率源。分别针对双极晶体管和场效应管倍频电路进行了具体分析和工程调试。最终完成的频率源实现了低相噪性能,相噪指标为-87 dBc@100 Hz,-102 dBc@1 kHz,-110 dBc@10 kHz。测试结果表明倍频电路除损失理论上的相位噪声外,基本不附加噪声。     

微波PIN二极管倍频器研究

用理想的开关模型对反向并联PIN二极管对的输出频谱和倍频损耗进行分析,与混频二极管倍频器和变容二极管倍频器进行了比较,分析了PIN二极管的倍频机理。对微波PIN二极管倍频器进行了实验研究,得出了有益的结论。研制的S波段和C波段五倍频器倍频损耗分别达到15.4 dB和10.6 dB,而S波段的倍频源相位噪声达到—136 dBc/Hz@10 kHz,具有低噪声性能。     

MMIC毫米波倍频器的研究

在介绍倍频器工作原理、各种实现方法及其优缺点的基础上,阐明了采用MMIC(单片微波集成电路)工艺实现高性能、高可靠性、小型化毫米波倍频器芯片的技术特点及应用需求,比较了单管和平衡两种不同结构MMIC毫米波倍频器的优点与不足,全面综述了国内外对MMIC毫米波倍频器的研究情况,介绍了MMIC毫米波倍频器的最新研究进展,展望了MMIC毫米波倍频器的发展趋势,提出了一些建议。     

铷原子频标低噪声9次倍频链设计

铷原子频标短期频率稳定度由物理系统和电路系统共同决定.微波链的相位噪声是电路系统影响铷频标短期频率稳定度的主要因素.本文分析了传统铷频标微波链的结构和工作原理,指出9次倍频器和调制器是微波链相噪的主要来源.为抑制微波链噪声,采用肖特基二极管倍频和提高载波频率的调制方案,设计出一种低噪声9次倍频链.实验结果表明,该倍频链输出90MHz信号的相噪比传统方案降低了12dB以上,可将微波链噪声对铷频标1s频率稳定度的贡献控制在1.9E-13.将该倍频链应用于铷频标,测得铷频标短稳为3.53E-13（1s）、1.27E-13（10s）和3.97E-14（100s）.     

AD9858在超短波无线电通信领域中的一种应用

介绍了AD9858在超短波无线电通信领域中的一种应用.基于AD9858设计一种频率合成器,该频率合成器采用"DDS 倍频"的方案,具有相噪低、跳速快等优点,可用于超短波无线电通信系统.     

一种精度可调的数字控制移相原理

介绍了一种可编程数字控制的移相原理,通过该原理可以设计一种精度可调的数字控制移相器。该原理主要通过一种倍频器倍频因子可调的方式来实现。文中设计的移相器可以在0~360°中达到任意度数的移相,其精度可以达到1°。并可通过精度控制输入信号,进一步提高精度。最后的仿真波形证实了这种原理的可行性。     

基于光学频率乘法器的THz通信载波研究

为解决THz波无线通信系统载波存在的频率稳定性及精度问题,提出基于光学频率乘法器的THz载波产生方法.该乘法器由光梳信号生成器、光学可调滤波器和UTC-PD光学混频器组成.光梳信号和可调光纤进行光学频率相乘产生双模相干光信号,通过UTC-PD进行光外差混频产生高频率和高饱和输出功率的THz载波,并对载波的线宽、单边带相...     

基于数字锁相的Ku波段频综器研究

针对一种Ku波段频综器阐述了基于数字锁相的跳频环路参数选择及对其相位噪声、杂散、稳定性的影响,研究了Ku波段频综器的设计思想,并对整体相位噪声进行了估计。工程实现结果表明,理论估值与实现结果基本一致。     

基于功率合成技术的V波段倍频源*

赫兹倍频链通过对低频段微波信号多次倍频,可以获得高稳定、低相位噪声的太赫兹频率源,应用前景广阔。倍频链越高频,需要驱动功率越不容易达到,为提高V波段倍频链功率,尝试了倍频功率合成方法,该方式与放大器功率合成相比,具有相位差影响和频率加倍的特点。研制出了V波段4路倍频源,对倍频合成工作原理、倍频效率和高次谐波抑制效果进行了验证。测试结果表明:在66～75GHz范围内,V波段倍频器均可获得20dBm以上的2次谐波倍频功率输出,最大功率为24dBm,带内波动约为4dB,功率合成效率大于85%。     

X波段低相噪频率综合器设计

介绍了一种X波段低相噪频率综合器的实现方法。采用混频环与模拟高次倍频相结合的技术,实现X波段跳频信号的产生。采用该技术实现的频率综合器杂散抑制可达-68 d Bc,相噪优于-99 d Bc/Hz@1 k Hz,-104 d Bc/Hz@10 k Hz,-106 d Bc/Hz@100 k Hz。重点论述了所采用的低相噪阶跃倍频的关键技术,详细分析了重要指标及其实现方法,实测结果证明采用该方法可实现给定指标下的X波段低相噪频率综合器。