P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究

用分子束外延的方法ＧａＡｓ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好，在适当的热处理条件，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性。     

碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能

用液相外延的方法在ＣｄＺｎＴｅ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料,获得了表面形貌好,位错密度低,组份均匀的碲匐汞外延材料,生长工艺对材料的参数控制有较好重复性,外延材料经热处理后,材料的Ｐ型和Ｎ型电学参数都达到较好的水平,并具有良好的可重复性。     

变温长波碲镉汞光电导现象研究

变温长波碲镉汞光电导现象研究郑为建，朱惜辰，保红珍（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文报导了ｎ型Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系研究；并考察了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到了一组光电导的实验...     

高性能碲镉汞光伏长波红外探测器

高性能碲镉汞光伏长波红外探测器唐剑，张土山，张建平（华北光电技术研究所北京１０００１５）为配合串─并扫型“红外成象导引头”原理样机的研制，我们研制成功了高性能ＭＣＴ光伏长波红外探测器阵列。由于在高质量Ｐ型ＭＣＴ晶片处理和有效检测方法、ｐｎ结表面钝化工...     

采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1—xCdxTe位错密度研究

报道了用MBE的方法,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果.研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关.通过衬底制备以及生长条件的优化,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到4.2×105cm-2,标准差为3.5×105cm-2,接近ZnCdTe衬底的位错极限.可重复性良好,材料位错合格率为73.7%,可满足高性能Hg1-xCdxTe焦平面探测器对材料位错密度的要求.     

碲镉汞p-on-n长波异质结探测器材料的制备研究

报道了碲镉汞p+-on-n长波双层异质结材料和异质结台面器件的研究结果,重点研究了p+-on-n型双层异质结材料制备技术。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再采用富汞垂直液相外延技术制备p型As原位掺杂的碲镉汞cap层材料,从而获得p+-on-n型双层异质结材料,并通过湿法腐蚀、台面刻蚀以及钝化等工艺得到碲镉汞 p+-on-n长波异质结台面型器件。p+-on-n异质结器件结构可以有效克服少子寿命偏低等问题,在长波及甚长波波段具有更低的暗电流和更高的R0A值,这对于解决目前长波碲镉汞红外探测器暗电流大、结阻抗低的问题,提高长波及甚长波波段碲镉汞红外焦平面器件的性能具有重要的意义。     

32×32碲镉汞长波焦平面器件的研制

３２×３２碲镉汞长波焦平面器件的研制王戎兴（上海技术物理研究所上海２０００８３）１９９２年起，我们在前几年工作的基础上，为提高器件性能，在面阵器件工艺、混成互连等主要工艺技术继续进行深入的研究，取得了明显的进展。１９９２年，在研制成功３２×３２长波Ｍ...     

32×32长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路

３２×３２长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路倪云芝，江美玲，曾萌，王新德，梁平治（上海技术物理研究所上海２０Ｏ０８３）采用ＣＭＯＳ技术，研制成功了一个适用于３２×３２长波碲镉汞光伏探测器列阵的信号读出电路。由于长波ＭＣＴ二极管的结阻抗较低，很难在自身的...     

推拉型有机化合物的非线性特性研究

合成一种新的推拉型偶氮化合物并将掺入ＰＭＭＡ中制成光学薄膜器件，用Ｚ扫描技术测量了该材料的非线性折射率，用ＤＦＷＭ装置研究了该材料在可见光长波区光存储特性，获得了良好的实时和短时存储信息，存储功率密度小于０．１Ｗ／ｃｍ＾２。分析了这种非共振吸收区光存储机理。     

ZnCdTe衬底上HgCdTe分子束外延的位错密度

报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd Te焦平面探测器对材料位错密度的要求     

Extrema of sin x/x function

An accurate, closed-form approximation that gives the extrema of the sin x/x function is derived. A simple, rapid recursion formula for exact determination of the extrema is also presented     

Microstructure of GaN1−x Bi x

In this paper we describe detailed transmission electron microscopy studies of GaN_1?x Bi _x with 0.05 < x < 0.18 grown by low-temperature molecular beam epitaxy under Ga-rich conditions. Microstructural transformation from columnar growth separated by thin amorphous areas in the films with lowest Bi content (5%) to pseudo-amorphous structure with crystalline grains embedded in the amorphous matrix in the samples with higher Bi content (13% to 18%) was observed. In addition, metallic Bi segregation occurred in the samples with the highest Bi concentration. An abrupt decrease in absorption edge energy is found in samples with higher Bi content.     

ZnSxTe1—x三元混晶的光学性质研究

报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ〈１）混晶的喇曼菜射和光致姚研究，室温下的喇曼散实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为，研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱，背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光至发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光，ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子自陷激子的     

Molecular beam epitaxy of CdSe and the derivative alloys Zn1−x Cd x Se and Cd1−x M x Se

We report the epitaxial growth of CdSe, Zn_1−x Cd _x Se (0 ≤x ≤ 1) and Cd_1−x Mn _x Se (0 ≤x ≤ 0.8) on (100) GaAs. X-ray diffraction (XRD), electron diffraction and transmission electron microscopy (TEM) indicate that all the epilayers have the cubic (zinc-blende) structure of the GaAs substrate. The energy gaps of these materials were measured using reflectivity measurements. We also report the growth of ZnSe/Zn_1−x Cd _x Se superlattices. TEM and XRD measurements show that high quality modulated structures with sharp interfaces are possible.     

ADV320x:32×32模拟交叉点开关

ADI推出低功耗32×32模拟交叉点开关——ADV320x,扩展了其视频交叉点解决方案。ADV320x适用于复合视频路由,如CCTV(闭路电视)监控及分量视频路由,如视频会议与数字签名中使用的高清视频路由器。     

GaAs／AlxGa1—xAs和AlxGa1—xAs／AlAs超晶格的喇曼散射对比研究

报道不同层厚的ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ及ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果．在非共振条件下,观察到ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＧａＡｓＬＯ限制模和限制在ＡｌＡｓ层中的ＡｌＡｓＬＯ限制模,还观察到ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中限制在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶层中的类ＡｌＡｓＬＯ限制模和限制在ＧａＡｓ层中的ＧａＡｓＬＯ限制模．在近共振条件下,还观察到了ＡｌＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中ＡｌＡｓ的界面模．根据线性链模型,把测量的ＬＯ限制模的频率按照ｑ＝ｍｎ＋１２πα０展开,给出了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混晶的类ＡｌＡｓ支和类ＧａＡｓ支光学声子色散曲线．     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

一种 1x2x4分布式空时编码异步协作方案

协作分集技术可以有效提高移动通信系统的容量和可靠性。近年来,分布式空时码（DSTC）被广泛应用到协作分集系统以实现空间分集增益。然而,时间异步和频率异步会使正交DSTC的码字结构受到破坏,严重影响系统性能。本文针对时间异步的协作通信系统,提出一种基于分布式Alamouti STBC的1x2x4异步协作方案。对这种方案进行了理论分析和算法推导,并且重新定义了中继节点归一化后的发射信号幅度。仿真结果表明该方案的误比特率性能具有明显优势,能在时间异步的协作通信系统中很好地发挥多天线接收性能。     

Plasma resonance in Pb1 − x Ag x Te alloys

From the data of reflectance measurements for Pb_{1 ? x} Ag _x Te (x = 0.001–0.007) alloy single crystals, the hole concentration and conductivity are calculated as functions of the Ag content. It is established that, for all of the samples, the plasma minimum is in the infra-red region and shifts to shorter wavelengths, as the Ag content is increased. In this case, the hole concentration and conductivity increase.