一种超低相噪参考源的设计与实现

本文设计并实现了超低相位噪声参考源.分析了锁相频率合成相位噪声的影响因素,提出了一种采用梳谱发生器合成宽带、大步进、超低噪声参考源的频率合成方案.实验测试结果:频率覆盖范围3~6GHz,频率步进75MHz,3.1125GHz时,10kHz频偏处的相位噪声约为-130dBc/Hz,具有较高的工程实用价值.     

脉冲锁相技术及其应用

结合工程应用,探讨了几种采用脉冲锁相技术实现频率合成的解决方案,提出了一种新型的采用脉冲锁相与数字锁相结合的频率合成方法,既可实现宽带、低噪声输出,又能有效克服错锁现象的发生。     

低噪声CMOS图像传感器技术研究综述

文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。     

甚小天线地面站(VSAT)卫星通信系统高频本振信号源设计

为满足甚小口径天线地面站(Very Small Aperture Terminal,VSAT)卫星通信系统对低噪声高频信号源(10.7~14.5 GHz)的要求,分析了当前频率合成的各种方法,提出了利用Zarlink公司的高频分频器ZL40813和低噪声的单芯片锁相环(PLL)频率合成器SP5769构建一种便宜的低噪声高频信号源方案。     

高性能小数频率合成器的研究与设计

小数频率合成技术是实现高分辨率低噪声频率合成器的重要技术手段之一。在分析研究小数频率合成的基本原理及其杂散抑制技术方法上,基于通用灵活的设计思想,采用FPGA集成技术设计了一种基于-Δ调制技术的高性能小数分频器,利用该分频器实现的频率合成器,频率范围800~1 200 MHz,频率分辨率达到nHz量级,偏离主频10 kHz处单边带相位噪声优于-105 dBc/Hz,应用于某高纯微波合成信号发生器中,获得了令人满意的效果。     

W频段机场异物探测雷达收发前端

主要介绍了一种用于机场异物探测雷达的W频段调频连续波( FMCW)收发前端的研究工作。基于波导T形接头的等效计算公式,对W频段波导合成电路进行了集中参数的电路建模,通过优化设计波导合成电路的参数,提高了波导合成电路的容差特性,解决了W频段波导功率合成电路加工精度要求高的问题,实现了W频段4路功率合成;采用低损耗的石英基材设计开发了微带薄膜滤波器技术,实现了W频段FMCW雷达接收前端的一体化集成设计;通过对低噪声放大器芯片键和金丝的匹配设计,实现了W频段收发前端的低噪声接收。最终实现的W频段FMCW收发前端的发射功率优于360 mW,接收机噪声系数优于5 dB。研制的收发前端为W频段FMCW雷达提供了一种有效的射频前端的解决方案。     

W频段机场异物探测雷达收发前端

主要介绍了一种用于机场异物探测雷达的W频段调频连续波（FMCW）收发前端的研究工作。基于波导T形接头的等效计算公式,对W频段波导合成电路进行了集中参数的电路建模,通过优化设计波导合成电路的参数,提高了波导合成电路的容差特性,解决了W频段波导功率合成电路加工精度要求高的问题,实现了W频段4路功率合成;采用低损耗的石英基材设计开发了微带薄膜滤波器技术,实现了W频段FMCW雷达接收前端的一体化集成设计;通过对低噪声放大器芯片键和金丝的匹配设计,实现了W频段收发前端的低噪声接收。最终实现的W频段FMCW收发前端的发射功率优于360 mW,接收机噪声系数优于5 dB。研制的收发前端为W频段FMCW雷达提供了一种有效的射频前端的解决方案。     

锗硅低噪声放大器的研究进展

介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况.最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景.     

低噪声柴油发电机组的结构设计

文章系统的论述了低噪声柴油发电机纽结构设计的原则和各部分结构设计必须考虑的各种因素,介绍了低噪声柴油发电机组结构设计的技术亮点。旨在使低噪声柴油发电机组最大限度的满足不同用户的个性化使用要求,不断提高低噪声柴油发电机组的应用水平。     

全球LNB市场大观(上)

卫星高频头(LNB,也称电视低噪声下变频器或卫星电视室外单元,台湾称低杂讯降频器)是卫星电视接收系统中不可获缺的器材,它由微波低噪声放大器、微波混频器、第一本振和第一中频前置放大器组成。LNB中的低噪声放大器一般是将波导同轴转换器与低噪声放大器合成一个部件,包含3～4级放大,前两级为低噪声放大器,采用高电子迁移率晶体管HEMT器件,后两级为高增益放大器,采用砷化镓场效应晶体管GaAsFET。     

低相位噪声微波频率合成器的研究

本文讨论了在采用等效微波单环的情况下,如何实现低相位噪声的理论及具休措施。实施方案采用了窄带VCXO环、低噪声倍频源,微波宽带晶体管机械调谐VCO和ECL程序分频器,实现了C波段上两种方案的锁相与频率合成。本文还结合电路实际,提供了一种使相噪最佳的办法,并明确给出了各主要部分对合成器总噪声贡献的综合性曲线,使合成器的相位噪声指标与理论值趋于一致,并达到国内先进水平     

超宽带低噪声放大器线性化技术综述

介绍了四种主要的超宽带低噪声放大器结构,分析了超宽带低噪声放大器主要的非线性来源,阐述了放大器线性化技术原理及研究现状,展望了线性化技术的研究方向。     

超宽带低噪声放大器线性化技术综述

介绍了四种主要的超宽带低噪声放大器结构,分析了超宽带低噪声放大器主要的非线性来源,阐述了放大器线性化技术原理及研究现状,展望了线性化技术的研究方向。     

基于ADS的平衡式低噪声放大器设计

平衡放大技术有着驻波特性好,增益高、易级联的优点。本文将平衡放大技术应用到低噪声放大器的设计中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪声放大器的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果表明,在5.3-6.3 GHz的频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤1.182 dB,功率增益达到10 dB,并且通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.3∶1,带内波动≤1dB,提高了低噪声放大器的有效工作带宽。     

一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器

提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz.     

一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器

提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz.     

《电讯技术》专题资料《时间频率技术》题要（十八）

一种新的模拟环频率预置方法（赵海清） 主要介绍了一种新的模拟环频率预置方法。将该方法用到低噪声频综器中,既可以去掉传统模拟环频率预置电路中运算放大器及其外围电路对环路的噪声贡献,又可以使预置电路不会给环路参数带来影响,并能避免使用过高的预置电压。     

低噪声频率合成器及其应用

SP5730是支持快速FC总线协议的低噪声PLL频率合成器：其合成频率高达1．3GHz，参考时钟如采用4MHz晶振，最小步长可达8．9kHz.主要应用于数字电视的电缆和地面接收系统.介绍该电路的工作原理及使用方法，并给出它的典型应用.     

高质量微波信号源发生器的研制

信号源的合成技术按频率合成的方法可分为三大类:直接式频率合成,锁相式频率合成和直接数字式频率合成.以Peregrine公司的一款高性能单片锁相环频率合成器PE3236为例,介绍了微波信号源发生器研制中的关键实现技术,并给出部分实验测试数据.     

基于FPGA的小数频率合成器的设计

小数分频是实现高分辨率低噪声频率合成器的主要技术手段。在分析了小数频率合成以及杂散抑制技术的基础上,采用高阶Σ-Δ调制技术可以将量化噪声功率的绝大部分移到信号频带之外,从而可通过滤波有效抑制噪声。仿真结果表明,该高阶数字Σ-Δ调制可以很好地抑制小数分频频率合成器中的杂散问题,具有很高的实用性。