片上集成三电极体系微电极阵列的表征

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列.工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100～900 μm,工作电极与对电极间距为50～200 μm.利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响,为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据.     

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100~900μm,工作电极与对电极间距为50~200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响,为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。     

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种，电极特征尺寸为100-900μm，工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法，在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下，对各三电极微系统进行了电极性能表征，具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响，为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。     

用于有机EL器件的电极材料

由于有机ＥＬ器件的载流子注入中起着重要作用，但这往往被人们所忽略。本文描述了正负电极材料的功函数、电极材料及结构等对ＥＬ器件性能有着重要影响，并对电极材料工作机制进行了讨论。     

多孔硫化镍薄膜制备及其电催化性能研究

针对硫化镍对电极的电催化性能有待提高问题,分别以氟掺杂氧化锡导电玻璃、二维聚苯乙烯阵列为衬底,采用反向恒压电沉积技术制备由纳米颗粒构成的硫化镍(NiS_x)薄膜及具有类蜂窝状结构的多孔硫化镍(P-NiS_x)薄膜。测试结果表明,以P-NiS_x薄膜作为对电极展现出了良好的电催化性能,并优于铂电极及NiS_x电极。原因是P-NiS_x电极的多孔结构拥有较大的比表面积,有利于提供较多的电催化活性位点及提高氧化还原电对I~-/I~-_3的扩散速率。因此,基于P-NiS_x对电极的染料敏化太阳能电池的光电转换效率达到6.66%,不仅高于由铂电极组装的电池器件效率(5.54%),而且也高于由NiS_x电极组装的电池器件效率(5.73%)。     

AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟

利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟分析,解释了该器件产生负阻的原因,即不断增加的集电极电压致使超薄基区穿通,器件由双极管工作状态向体势垒管工作状态转化造成的.另外,模拟结果表明器件可能具有较高频率特性(fT约为60～80GHz).     

AlGaAs/GaAs超薄基区负阻HBT的研制与模拟

利用化学湿法选择技术和监控电极技术设计并研制了一种新型台面结构超薄基区AlGaAs/GaAs负阻异质结双极晶体管,该器件具有独特且显著的电压控制型负阻特性,其峰谷比可高于120.通过器件模拟分析,解释了该器件产生负阻的原因,即不断增加的集电极电压致使超薄基区穿通,器件由双极管工作状态向体势垒管工作状态转化造成的.另外,模拟结果表明器件可能具有较高频率特性(fT约为60～80GHz).     

电光行波调制器电极特性参量的计算

本文采用简洁的静态求解的方法,考虑了电极厚度和缓冲层对电极特性参量的影响,对四种常用的LiNbO_3光波导行波调制器电极的特性参量进行了分析计算,并得出了一些对设计和优化较有意义的结论。     

改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声

针对工程研发中发现的两种碲镉汞中波光导探测器1 Kaz下噪声在封装前后变化幅度不同的现象,通过改变背景辐射条件测量得到了两种器件的低频噪声频谱.对两种器件的低频噪声频谱分析表明,噪声大的器件在改变背景辐射条件前后都以1/f噪声为主.为探明较大1/f噪声的来源问题,对器件铟金电极的成份做了SIMS测试.分析测试结果发现,噪声性能较差器件的电极中含有大量的杂质铝及锌,表明由于电极成份不纯带来的接触状况不良是造成器件较大低频1/f噪声的原因.     

电真空器件电极间打火的机理研究

本文对彩色显像管及电真空器件各种打火、击穿现象进行了全面分析,对电极表面存在的微突起、电极材料内含有挥发性杂质引起打火的内在机理作了详细讨论。     

优化GaN基发光二极管的电极

针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数.以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀.     

耦合垂直腔面发射激光器的阈值及输出特性

针对耦合垂直腔面发射激光器,利用边界条件,结合激光器的中间DBR层的耦合传输矩阵,推导出了不同激射波长工作时,两腔内光场应满足的方程,由此得到两腔光子之间的耦合因子,然后结合稳态载流子速率方程,按照激射波长,得出了器件的四种工作状态,并详细地讨论了顶腔和底腔注入电流对器件输出特性的影响.     

不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应

对1Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究.结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响.在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小.在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量.     

有机存储器有望更便宜更快

加州大学工程学院的研究人员开发了一种有机非易失性存储器件，这种器件比普通非易失性存储器便宜，而且快300万倍。因为这种器件重量更轻、响应时间更短，研究人员预计它在个人电脑、PDA和数码相机等方面有巨大的应用潜力。这种三层器件由两层有机薄膜夹一层嵌入式金属层构成，两层有机薄膜构成一个连接两个电极的组件。外加正电压接通器件。这种器件的工作原理是电的双稳性——即在同样外加电压下表现出两种不同的导电状态。这个特性对开关和存储应用非常理想。除重写能力外，这种器件的通断状态保持能力及其受压时的表现对实际应用也很…     

有机双层薄膜器件界面限制传导温度特性研究

通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模型分析了结构为“注入电极/有机层Ⅰ/有机层Ⅱ/收集电极”的双层薄膜器件在有机界面限制电流传导状态下的电流、电场和载流子分布与工作温度的变化关系.结果表明,在给定的工作电压下,温度升高时降落在层Ⅰ的电压升高,电场增强,而降落在层Ⅱ的电压降低,电场减弱,同时器件的电流增大.     

石墨烯纳米间隙电极对的制备研究进展

石墨烯的高晶体质量、高电导率、单层结构以及与有机半导体的良好兼容性使其成为纳米器件和分子器件的理想电极材料,纳米间隙电极对是构筑纳米器件的基础,发展了两种制备石墨烯纳米间隙电极对的方法——纳米线和金丝交替掩膜法以及原子力针尖裁剪法,其过程简单,制备的石墨烯间隙为100～200 nm.石墨烯纳米间隙电极对是制备纳米器件、...     

太阳能电池栅电极优化设计

本文通过对聚光电池中常用的两种电极结构进行理论模拟,全面具体地分析了电池尺寸以及与电池上电极有关的各种损耗对栅电极优化设计的影响;并且对电极优化设计在不同聚光因子下的影响也进行了模拟,使太阳电池栅电极的优化设计更加完整。     

电极材料对有机薄膜电致发光性能影响的研究

分别采用两种不同功函数的电子注入电极A1,Ca和三种不同功函数的空穴注入电极ITO,AZO(ZnO:A1),Au,制备出ITO/PPV/A1,Ca和ITO,AZO,Au/PPV/A1两个系列的电致发光器件.实验发现,采用不同的电极材料可使器件的J-V和B-V特性产生一定差异.我们还对其产生这种差异的原因进行了分析.     

成型工艺对超级电容器活性炭电极性能的影响

采用干法和湿法两种成型工艺制备了超级电容器用活性炭电极,考察了成型工艺对电极性能的影响。结果表明:干法电极碳颗粒之间接触更为紧密,干法电极密度达0.65 g/cm~3,相对于湿法电极提高了10%;干法电极在容量、内阻、循环性能上都优于湿法电极;干法成型工艺不使用任何溶剂,绿色环保、节省成本,是一种具有重要研究意义和商业应用价值的电极成型工艺。     

GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响

GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用.制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高.通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性.