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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法直接在p-Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。 相似文献
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Si基Bi4Ti3O12薄膜电滞回线及铁电性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶(Sol—Gel)法直接在p—Si衬底上制备生长Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了Ag/Bi4Ti3O12/p—si异质结电滞回线的特征及Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能。空间电荷层的存在使Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜呈不对称的电滞回线并导致薄膜的极化减弱。退火温度同时影响了薄膜的晶粒尺寸和薄膜中的载流子浓度,而这两种因素对铁电性能的影响是相反的。Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能随退火温度的变化是两种因素共同作用的结果。 相似文献
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采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。 相似文献
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Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究 总被引:4,自引:1,他引:3
王华 《固体电子学研究与进展》2004,24(2):159-163,222
采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0~ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1~ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。 相似文献
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采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/SiO2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜.XRD、AFM分析及电学性能的测i式结果表明,600~650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有单一的层状钙钛矿结构;薄膜表面平整无裂纹、致密,薄膜为多晶生长;其剩余极化强度(2Pr)为27.09 μC/cm2,矫顽场E约为53.1 kV/cm;室温下,在测试频率为1 MHz,经1.0×1011极化反转后,剩余极化值下降约10%,具有良好的抗疲劳特性;薄膜的漏电流密度低于9×10-10 A/cm2.玻璃相提高了薄膜的致密度和抗疲劳特性,降低了薄膜的漏电流密度,对剩余极化强度影响有限. 相似文献
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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。 相似文献
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在室温下,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在7.62cmPt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜。Bi4Ti3O12薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射(RBS)和扩展电阻技术(SRP)来分析、表征;采用X射线衍射(XRD)技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Bi4Ti3O12薄膜中较容易出现Bi2Ti2O7杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Bi4Ti3O12薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的表面和界面特性。 相似文献
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Thin films Bi4Ti3O12 (BLT) were deposited using electron beam evaporation on silicon substrate at several times, also on AlN/Si and SiO2/Si substrates. Thin films morphology and thickness were measured via scanning electron microscopy (SEM). The crystallography was studied using X-ray diffraction (XRD) technique for films which have a (0010) preferred orientation in all substrate types. The capacitance values were contingent on frequency value in C-V measurement. The ferroelectric characterization was investigated for BLT film deposited on isolator layer (SiO2 or AlN) for Al/Bi4Ti3O12/SiO2/Si devices. Memory effect value varied from 1 V to 3 V depending on the thin films isolator on substrate. 相似文献
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Bi3.25La0.75Ti3O12超薄铁电薄膜的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了厚度小于100nm的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,测量了光子能量为2~4.5eV的紫外可见椭圆偏振光谱.根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型,拟合获得薄膜在透明区和吸收区的光学常数、表面粗糙度、薄膜与衬底界面层以及BLT薄膜的厚度.薄膜在透明区的折射率色散关系可以通过单电子Sellmeier模型成功地进行解释.最后,根据Tauc’s法则,得到Bi0.25La0.7Ti3O12薄膜的直接禁带宽度为3.96eV. 相似文献
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介绍了溶胶-凝胶法制备掺Dy元素的Bi4Ti3O12(Bi3.4Dy0.6Ti3O12,BDT)薄膜的工艺过程,并研究了不同预退火气氛对沉积在Pt/Ti/SiO2/Si基片上的BDT薄膜铁电性能的影响。空气中的预退火,薄膜中的H,C等有机成分分解不彻底,有部分残留在薄膜中;而O2气氛下的预退火,由于O2充足,薄膜中的有机成分可以完全分解。退火过程中BDT薄膜晶粒的生长和取向可以受到残留的有机成分的影响,进而对BDT薄膜的铁电性有较为显著的影响。在外加400kV/cm的电场时,空气中预退火的BDT薄膜的剩余极化(2Pr)值和矫顽场(Ec)分别为26.37μC/cm2和114.2kV/cm,而O2气氛下预退火的BDT薄膜的2Pr和Ec分别为36.28μC/cm2和113.6kV/cm,表明O2气氛下预退火可显著提高BDT薄膜的剩余极化值,改善其铁电性能。 相似文献
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PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜。在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75。BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm。在室温、1 MHz和3×105 V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%。薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配。 相似文献
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PLZT薄膜的结构、介电与光学性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶一凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Pb,La)(Ti,Zr)O3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PLZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为10.3μC/cm^2和36kV/cm;在100kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为682和0.021。生长在石英基片上的薄膜具有好的透光性,当波长高于360nm,其透过率高达72%。 相似文献
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铁电材料在铁电存储器等领域具有良好的应用前景,受到极大的关注,其中铋层状铁电薄膜因为其良好的铁电性,得到了广泛的研究.采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底成功沉积出(Bi3.7Dy0.3)(Ti2.8V0.2)O12(BDTV)的A、B位同时掺杂的铁电薄膜,发现这种双掺能够显著改善薄膜的铁电性.研究了650~800℃不同退火温度下,BDTV铁电薄膜的铁电性能、晶体结构及表面形貌变化.通过SEM分析发现,温度为750℃时,薄膜的颗粒生长较好,薄膜的铁电性能最佳. 相似文献
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飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜 总被引:3,自引:3,他引:3
在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒c轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义。采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si(111)作为衬底,制备了a轴择优取向的钛酸铋薄膜。采用X射线衍射(XRD)的薄膜附件和场发射扫描电镜(FSEM)研究了薄膜的结构和形貌;采用傅里叶红外光谱仪测量了室温(20℃)下在石英基片上沉积的样品的光学特性;室温下沉积的钛酸铋薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均大小为20 nm,其光学禁带宽度约为1.0 eV。在500℃沉积的钛酸铋薄膜呈a轴择优取向,晶粒大小在30~300 nm之间,薄膜的剩余极化强度Pr为15μC/cm2,矫顽力Er为48 kV/cm。 相似文献
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Bi_(3.5)Yb_(0.5)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观结构以及铁电性能方面的区别。结果发现,在610,660,710和760℃不同温度下退火的BYT薄膜的结晶度不同,退火温度越高的BYT薄膜,其结晶度越高。并且发现,BYT薄膜的剩余极化值(2Pr)在710℃以下随退火温度增高而增大,在710℃达到最大;在外加400kV/cm电场时2Pr为36.7μC/cm2,然后随退火温度上升又有所下降。 相似文献