CdS电子结构及光电特性的第一性原理研究

研究了各向极化对CdS电子结构及光电特性的影响。采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对CdS基态的电子结构和光电特性进行系统地计算,计算得到CdS是带隙宽带为1.943eV的直接带隙半导体材料。价带主要由S 3p态电子贡献,Cd 4p和Cd 4d态电子贡献较少;导带主要由Cd 4d5s和S 3p态电子决定,S 3s态电子贡献较少。在a、b、c三个方向的极化下研究CdS光学特性的各向异性,沿a方向和b方向极化的各个光学参量都完全相同,静态介电常数为7.234,但沿c方向的静态介电常数为6.273。其它光学参量的各向异性变化与介电函数相同,表明CdS晶体光学性质存在各向异性。计算结果为CdS光电特性的研究提供理论依据。     

BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究

用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。     

B位Ta/Zr共掺对无铅BNKT-ST-Ta_xZr_y陶瓷的储能特性和电性能的影响

采用固相合成法制备了B位Ta/Zr共掺杂的0.96[Bi_(1/2)(Na_(0.84)K_(0.16))_(1/2)(Ti_(1–x–y)Ta_xZr_y)O_3]-0.04Sr TiO_3(简称BNKT-ST-Ta_xZr_y)(x=0~0.025,y=0~0.20)无铅陶瓷。研究了B位Ta/Zr共掺对BNKT-ST-Ta_xZr_y无铅三元陶瓷微观结构、电性能和储能密度的影响。结果表明:随着Ta和Zr含量的增加,陶瓷的压电常数d_(33)减小,陶瓷向先兆性压电体转变;饱和极化强度、剩余极化和矫顽场降低,陶瓷的弛豫特性增加;储能密度先增加后降低,并且储能密度在x=0.01,y=0.05时达到最大值(1.005 J/cm~3),储能效率持续增加。     

卫星链路预算初步通俗解析（下）

2．124项干扰因素的估算在链路预算中,除了上行（c/t）u和下行（c/t）u外,通常还需考虑相邻信道干扰、庋极化干扰、邻星干扰和交调干扰等这4项主要干扰因素对载波C的影响,     

二、热电材料和简单的探测器

热电材料的基本特性及热电效应是:在没有外加电场的情况下,它有自发的或永久的极化 P_s,而自发极化是材料的温度的函数。衡量 P_s随温度 T 变化的热电系数 p 可规定为:p=(?)P_s/(?)T (1)因此,弄清热电材料自发极化和热特性的由来,是近代固态物理学和结晶学中的重要分支之一。自发极化的本质决定于晶体的对称性和形成晶体的键链。晶体对称性的研究已取得了许多有价值结果。1.热电性和晶体对称性:     

ZnCd(SCN)4晶体的电学性能和电光性能

测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。     

磁性材料、超导材料和器件

T入1271 01020060热处理对化学镀钻硼合金结构和磁学性能的影响/郑晓华,马晓春,宣天鹏,邓宗钢(浙江工业大学)办浙江工业大学学报.一2000,28(2).一104一107利用Dlll:1x/rb旋转阳极X射线衍射仪分析了化学镀C。-B合金镀层的晶化过程,并采用L DJ一9000振动试样型磁强计i9ll]定了镀层磁学参数.结果表明,镀层(B质量分数为5 .1%)在镀态时具有非晶态结构,经400℃ Zh热处卿昆镀层由非晶态向。一c。转变,并出现口一c。和COZB相:600℃lh热处理后,镀层由p一Co和CoZB相组成.镀层经热处理后,其矫顽力H。二大幅度上升(最大2 11‘goe),H。//基本不变…     

关于“用安全质数p、q的乘积M作模”的RSA公开密钥密码体制的分析

引言由安全质数p、q的乘积M作模的RSA体制是指采用如下加密和脱密方法的一种公开密钥密码体制。设有一个给定的数组(M,c,d,n),其中M是两个很大的安全质数p、q的乘积,并且M的这种p、q分解是被保密的;c是与φ(M)互质的公开加密指数[其中φ(M)=LCM(p—1,q—l)];d是对应的非公开脱密指数;n是用户号。发方对一个明文信息x(x是明文经数字化后的一个小段),作变换y=X~c mod M即得到密文信息y,并将它通过公开信道传送。当收方获得一个密文信息y后,便可利用仅由收方所掌握的非公开脱密指数d,作相应的变换     

普适性的本征型OBS动力学方程和稳定性分析

本文从慢包络近似的Maxwell方程出发,在优质腔极限下,用非线性介质的静态极化率描述动态极化行为,结合环形腔的边界条件,并在平均场近似和只考虑共振模的情况下,导出了输出光场标度化复振幅x(x=xe~(iφ))所遵循的动力学方程:     

Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3压电陶瓷的性能和微结构

利用传统陶瓷工艺制备了Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3(简写BNLT100x,其中x为摩尔含量)系无铅压电陶瓷,研究了该陶瓷的微结构、压电和介电性能。X-射线衍射分析(XRD)结果表明,在x=0~0.20时,Bi1/2(Na1-xLix)1/2TiO3陶瓷为单相三方晶系钙钛矿结构;在x=0.30时,会有影响压电性能的第二相产生。扫描电镜(SEM)结果表明,Li含量越高,陶瓷的烧结温度越低,Li促进了晶粒特定方向的生长;在x=0.15时,压电系数d33达极大值109 pC/N;同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响。     

Nb掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷铁电性能的影响

采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2(x=0～0.090,BTN)铁电陶瓷,研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明,适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度Pr,一定程度上降低矫顽场强Ec,并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸(1～2μm)。当x=0.045时,陶瓷的综合性能较好,即有较高的2Pr(0.27×10–4C/cm2)和较小的2Ec(7.43×104V/cm),其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比,提高了近3.8倍。     

基于π型结构双折射超表面的设计与应用

为了实现结构简单、透射率高的双折射超表面, 采用广义薄板跃迁条件分析了该超表面结构与其周围入射场、反射场和透射场的关系, 并利用介质空间域的表面极化率、磁化率等描述了相应超表面的等效特性, 设计出一种基于π型金属结构单元的双折射超表面。通过将具有梯度透射相位的7个单元按照顺序排列, 形成具有对垂直入射x, y极化电磁波双折射性能的超表面。结果表明, 在波束折射和偏振分束超表面中, 损失均低于-8dB; λ/4波片中达到全透射; 所设计的双折射超表面对垂直入射的电磁波具有高透射特性, 并且能够分离x极化电磁波和y极化电磁波的波束, 实现双折射。该研究结果对高性能超表面的设计与实现具有一定的指导意义。     

偶氮类电光聚合物薄膜非线性定量研究

介绍了主客掺杂NAEC/PMMA电光极化聚合物薄膜的制备方法，测得其紫外可见吸收光谱和在1064nm波长下的二阶非线性系数x33^(2)，为23.6pm/V，采用两态模型，对X33^(2)进行了理论估算，作出了其色散曲线，得到理论值与实验值符合较好的结论。估算极化电场强度为2.638MV/cm。     

肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 -     

混合信号IC和EDA工具

去年,模拟线路和混合信号集成电路的开发仍然是沿着产业界的要求:缩小体积,降低成本和减少功率消耗在进行。在模拟集成电路产品中,Analog Devices公司(位于马塞诸塞州的Norwood)提供的AD855x/857x自动归零运算放大器(参看《今日电子》1999第9期,p43)比较出色,是3到5V运放中精度最高的品种。当供应批量超过1000只时,每只的价格为1.14美     

飞思卡尔在LinuxWorld大会暨展会上展示嵌入式Linux产品

飞思卡尔的L i n u x展示面向多个市场,包括网络、消费型产品、汽车和无线产品。此次展示重申了飞思卡尔为客户提供所需的芯片、工具和L i n u x软件,帮助他们开发基于L i n u x操作系统的成功产品的承诺。欲了解关于飞思卡尔L i n u x解决方案的更多信息,请访问:w w w.f r e e s c a l e.c o m/l i n u x。“L i n u x是嵌入式市场上的一支生力军。飞思卡尔认为,芯片供应商必定在促进专业级嵌入式L i n u x解决方案发展方面发挥中心作用。”飞思卡尔的战略和业务发展高级副总裁S u m i t S a d a n a表示,“我们早就预见,L i n u x能将…     

铋层状化合物SrBi4-xCexTi4O15陶瓷的铁电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了SrBi4-xCexTi4O15(x=0.2~0.8)铁电陶瓷,X-射线衍射证实随着x掺杂量的增加,晶粒中a、b轴取向的晶粒逐渐增多,与扫描电镜的分析结果一致。介温谱表明样品的居里温度最大为590℃,通过研究铁电性发现,剩余极化和矫顽场先增大后减少,当x=0.6时它们分别达最大值为3.56μC/cm2和9.38 kV/cm,这是氧空位与晶格畸变共同作用的结果。     

高频地波雷达的三维极化滤波

本文提出了采用三维正交极化接收天线对高频地波雷达天波干扰进行极化滤波的方法,此法能在极化域和空域综合抑制二维正交极化滤波不能滤除的干扰.为了进一步提高抗干扰能力,文中给出了x,y分量最佳实数加权法,理论证明这种加权法可以减小极化损失、有效提高滤波器输出SINR、扩大极化域和空域内的干扰抑制范围.     

Ta掺杂钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能研究

采用传统固相反应法制备La2Ti2-xTaxO7(Ta摩尔分数x=0、0.1、0.2、0.3)陶瓷,对其晶体结构、表面形貌、铁电性能和介电性能进行了研究,实验结果表明,Ta掺杂La2Ti2O7陶瓷,Ta5+取代B位的Ti4+,形成La2Ti2-xTaxO7固溶体,提高钛酸镧陶瓷的铁电和介电性能,在x=0.2时,La2Ti2-xTaxO7陶瓷的铁电性能和介电性能达最大值(剩余极化强度Pr=0.3 μC/cm2,介电常数εr=5 600).同时研究发现该陶瓷在高频区性能稳定.     

太赫兹超材料极化转换器设计及其特性分析

提出了一种反射型太赫兹超材料极化转换器.该极化转换器结构单元由典型的三层结构组成,上、下两层为金属层,中间为介质层,顶层金属层由一个开口谐振环和一个镂空圆盘组成.研究结果表明:该极化转换器能够将x极化波转换为y极化波,在0.584 0～1.352 0 THz频带上极化转换率大于80％,在0.642 4、0.936 4和1.301 8 THz处极化转换率接近100％.该极化转换器结构简单、便于加工,且能实现宽频带极化转换,在太赫兹波通信、成像等方面有广阔的应用前景.