Optimizing structure for constructing a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode with stable electroluminescent spectra

We demonstrate a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode （TOLED） having stable electroluminescent spectra and color coordination with variation of viewing angles by simply tuning the reso- nance wavelength corresponding to the free emission of the emitter. Using a doped fluorescent emitting system, the inverted TOLED exhibits an enhanced maximum current efficiency of 19 cd/A and a power efficiency of 17 lm/W, which are much higher than those （11 cd/A and 5 lm/W） of the counterpart with normal structure, although both TOLEDs behave with similar stable electroluminescent spectra characteristics. The results indicate that we provide a simple and effective method of constructing an excellent inverted TOLED for potentially practical applications.     

Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜的制备及其性能研究

采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜,研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响,分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明,所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104~106,在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态,Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大,介电损耗则随退火温度的升高而减小,高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主,在高阻态的高压区以空间电荷限制电流（SCLC）传导为主。     

LiSbO3含量对BiMnO3掺杂K0.5Na0.5NbO3陶瓷的结构与压电性能的影响研究

采用传统陶瓷常压烧结工艺制备(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06)无铅压电陶瓷,着重研究了LS的含量对(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS陶瓷相结构和压电性能的影响。结果表明,当x≤0.02时,陶瓷具有单一的正交相结构;当0.03≤x≤0.05时,陶瓷具有正交相与四方相共存的过渡结构;当x=0.06时,陶瓷具有单一的四方相结构。陶瓷的MPB成分范围在0.03≤x≤0.05。随着LS含量的增加,陶瓷材料的d33和kp均先增加后减小,当x=0.05时,均达到最大值,分别为230 pC/N和0.42;陶瓷的To-t和Tc均向低温方向移动;当x=0时,陶瓷的To-t和Tc分别为455和215℃;当x=0.02时,陶瓷的To-t和Tc分别为385和150℃;当x=0.06时,To-t和Tc分别降至370℃和75℃。     

从“做实验”来讨论学生对实验的认识不足和改善措施

本文从大学物理实验的三个环节出发,归纳了大学物理实验课程中学生存在的认识不足,分析其存在的原因并提出了相应的解决措施。     

聚甲基丙烯酸丁酯/聚醚酰亚胺的共混及性能研究

将甲基丙烯酸丁酯（BMA）与聚醚酰亚胺（PEI）溶液混合,通过自由基聚合得到聚甲基丙烯酸丁酯/聚醚酰亚胺共混高分子体系(PBMA/PEI);将PBMA/PEI作为有机功能层制备三明治结构的阻变存储器件ITO/（PBMA/PEI）/Ag,对PBMA/PEI进行结构表征,分析其热性能和ITO/（PBMA/PEI）/Ag的阻变性能。结果表明：制备的PBMA/PEI具有良好的耐热性能,其初始分解温度为250℃;制备的阻变存储器件具有较好的阻变存储特性,即较高的电流开关比(106)、较低的跳变电压(1.8 V)、较低的开态电流(约为10-4 A)。     

储能用无铅铁电陶瓷介质材料研究进展

铁电体特有的自发极化效应使其成为储能功率电容器的重要介电材料之一。铁电陶瓷的高温稳定性优于铁电聚合物,被大量用于电介质储能。整体而言,铅基铁电材料的性能优于无铅铁电材料,但大量铅元素的使用会严重危害环境和人体健康。因此,具有高性能的无铅铁电材料的研究和使用对人类健康和环境保护具有重要意义。本文从储能用无铅铁电陶瓷块体和薄膜材料两方面出发,综述了近年来国内外学者在无铅储能铁电陶瓷方面的研究进展,并对无铅铁电陶瓷在电介质储能领域的发展进行了展望。     

基于ADSP的视频SoC验证方案及其接口的设计

视频SoC规模的飞速增长,给FPGA验证带来了很大的挑战,大容量的外部SDRAM以及更多的外设模块的采用,不但增加了硬件的复杂度,也给相应驱动程序的调试带来了很大的难度.为了全面有效地进行FPGA验证,提出了一种在SoC验证平台中利用ADSP-BF537作为处理器的验证方案,并重点介绍了ADSP外部Memory总线和SoC系统总线(AHB)转换模块的设计.该方案已成功运用于视频SoC的验证系统中,既降低了开发成本,又提高了系统验证的效率和功能的完整性.     

(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3-Co0.85Cu0.15Fe2O4复合陶瓷的磁电性能研究

以压电体(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和压磁体Co0.85Cu0.15Fe2O4为原料,通过传统的固相反应法制备了(1-x)[(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3]-xCo0.85Cu0.15Fe2O4多铁性复合陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、压电测试仪、铁电测试仪和磁电耦合测试仪对物相、显微结构、压电、铁电、磁电耦合性能进行了分析。结果表明,复合陶瓷的相结构保持为(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和Co0.85Cu0.15Fe2O4两种物相,但两者之间发生了轻微的化学反应。随着Co0.85Cu0.15Fe2O4压磁相含量的增加,复合陶瓷的压电系数从56pC/N减小到21pC/N,剩余极化强度略有降低。在压磁相含量为0.2时可获得4.3mV·cm-1·Oe-1的最佳磁电耦合系数。     

复合离子(W0.5Mg0.5)4+掺杂BNBT陶瓷的微结构及低场/高场压电性能

采用固相烧结法制备了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂的(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)(W_(0.5)Mg_(0.5))_xO_3(BNBT-x WM)无铅陶瓷,研究了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂量对BNBT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、应变、压电、介电等电学性能的影响。结果表明:(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子进入了BNBT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构,且陶瓷样品晶界清晰,结构致密。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)掺杂增大了剩余极化强度和饱和极化强度。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子的掺杂使电致应变曲线由蝴蝶形变为嫩芽形,在x=0.03时获得0.429%(质量分数)的高电致应变响应,d_(33)*的最大值为833.1 pm/V,其外加高场仅有60 k V/cm。在x=0.02时其低场小信号的压电性能d_(33)有235 p C/N。BNBT-x WM陶瓷的介电常数随着掺杂含量的增多逐渐降低且平坦化,同时向弛豫铁电体转变。     

湿法刻蚀对ZnO∶Al透明导电薄膜结构与性能的影响

室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3％(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜.研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响.结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响;经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7mnΩ· cm、8.8mQ·cm和8.6mΩ·cm;透光率略有下降,从80％分别下降到76％、77％和78％.0.5％的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构.薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶;在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留;在王水中刻蚀图案清晰且无残留.