深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备

介绍了深亚微米（０．３５／－．２５／０．１８μｍ）半导体器件制造的最新工艺及设备，包括新一代ＣＭＯＳ工艺、ＦＯＮＤ工艺、ＰＳＭ技术、电子束光刻工艺、Ｘ射线光刻工艺、Ｃｕ互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。     

数字BP机生产中的SMT技术及工艺

表面贴装技术（ＳＭＴ）是当代先进的电子组装技术，本文从工艺方案的确定至具体工艺实施，对ＳＭＴ技术在ＢＰ机生产中的应用开发作了介绍，最后总结了ＳＭＴ应用于ＢＰ机的优点。     

一种低压智能功率集成技术

本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。     

CMOS专用IC—步进电机分配器

ＣＭＯＳ专用ＩＣ──步进电机分配器毕玉国随着ｃＭＯＳ集成电路设计和制造技术的发展，制造一片新的ＩＣ的周期越来越短，成本也越来越低，加之ＣＭＯＳ工艺ＩＣ本身的优点，要求定制ＣＭＯＳ专用ＩＣ的用户正在增加，使ＣＭＯＳ专用ＩＣ成为ＣＭＯＳ集成电路领域中一个...     

摩托罗拉采用铜布线制作高速SRAM

摩托罗拉公司半导体研究中心开发了晶体管长为 0 15 μｍ、采用良好结点及铜布线技术的高性能ＣＭＯＳＳＲＡＭ工艺。由于采用铜替代原来铝布线 ,所以 ,可大幅度改善处理速度、可靠性、制作成本等。目前 ,本公司已采用此工艺成功地制作出 4Ｍ位ＳＲＡＭ制品 ,并采用铜布线制作出高速ＳＲＡＭ。摩托罗拉采用铜布线制作高速SRAM@嘉明     

SMT的PCB设计探讨

本文根据ＳＭＴ－ＰＣＢ的特点，概括介绍了在设计ＳＭＴ的ＰＣＢ时所需要考虑的几个技术问题，如：工艺问题、ＳＭＴ－ＰＣＢ的基本要求，布局布线规则以及测试点的设计。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

表面贴装工艺（SMT）,其趋势和未来

表面贴装工艺（ＳＭＴ）是一种当今制造生产先进水平微小型电子产品的工艺技术,本文首先介绍ＳＭＴ,然后着重阐述表面贴装的种类及工艺流程,所需设备,ＳＭＴ中的技术问题,最后就ＳＭＴ的趋势和它的未来进行探讨。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

薄膜全耗尽CMOS／SOI—下一代超高速Si IC主流工艺

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

一种车用高边智能功率开关电路的研制

介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率ＶＤＭＯＳ器件、隔离技术及ＣＭＯＳ／ＶＤＭＯＳ兼容工艺设计进行了详细分析，最后给出了实验结果。     

光通信设备CAD／CAPP／CAM集成技术

本文介绍了ＷＲＩ－ＣＩＭＳ系统的总体架构和技术特点,着重讨论了至今仍然妨碍ＣＩＭＳ系统深入开展的计算机辅助工艺设计（ＣＡＰＰ）的若干技术问题。     

SMT与COB技术在无线寻呼机中的开发应用

表面贴装技术（ＳＭＴ）和板载芯片技术（ＣＯＢ）在当今且装中起着愈来愈重要的作用。从工艺方案的确定至具体工艺实施，对ＳＭＴ及ＣＯＢ混装工艺在无线寻呼机生产中的应用开发作了介绍，最后阐述了功能测试架的设制。     

MMDS天线技术及其应用

近年来，由于我国有线电视的迅速发展，ＭＭＤＳ多路微波分配系统的传输与分配技术得到了广泛的应用。ＭＭＤＳ天线是ＭＭＤＳ系统的重要组成部分。为满足全方位、大范围内的区域覆盖或特定异形扇区覆盖或多点定向传输的需要，形成了各种全向和定向ＭＭＤＳ发射天线及接收天线。笔者通过对现有微波天线技术和工艺的分析发现，ＭＭＤＳ发射天线一般采用波导缝隙阵列式天线、圆柱形同轴振子阵列式天线、喇叭天线、抛物盒式天线等形式；ＭＭＤＳ接收天线多采用矩形栅状抛物面天线及圆形网状抛物面天线。这几种天线都具有电气性能好、结构简单、…     

1．5μm全耗尽CMOS／SIMOX门阵列的研制

本文介绍了可用于高速、高性能抗辐照专用集成电路设计的１．５μｍ薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列母版的研制．较为详细地讨论了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列基本阵列单元、输入／输出单元、单元库的设计技术以及１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列工艺开发过程．该门阵列在５Ｖ电源电压时的单级门延迟时间仅为４３０ｐｓ．     

硅基波导、光探测器和CMOS电路的集成

对于集成光学器件和微电子电路制作，应用了驻波监控指示技术（ＳＷＡＭＩ）、局部氧化技术（ＬＯＣＯＳ）、光波导和探测器的平接、漏波，以及镜耦合技术。文章介绍了硅基光波导、光探测器和ＣＭＯＳ电路的单片集成技术。讨论了集成工艺以及静态和动态测量结果     

低反压功率MOSFET UMOSⅡ工艺

近年来 ,随着笔记本式个人机及移动电话等移动器材向更小型、轻易、高功能化方向的发展 ,向移动器材供电的高功能锂离子电池也在急剧进展。移动器材中内置电源电路及功率控制电路中采用功率ＭＯＳＦＥＴ ,是器件高性能化所必需的。为满足此市场需求 ,ＮＥＣ由原平面结构功率ＭＯＳＦＥＴ开发了Ｕ型槽结构的ＵＭＯＳⅠ系列 ,并已用于实际生产。本次开发出了真正适应更高市场需求的ＵＭＯＳⅡ工艺技术 ,并于 1 998年春开始批量生产中应用。ＵＭＯＳⅡ工艺采用 0 5 μｍ设计规则及腐蚀、氧化技术 ,其集成度比ＵＭＯＳⅠ工艺提高约 3 6倍。该工…