室温连续激射的1.55μm质子轰击条型InGaAsP/InP激光器

制备了室温连续工作的1.55微米质子轰击条型 InGaAsP/InP 双异质结激光器。室温下的最低阈电流密度是2000 A/cm~2.平均归一化阈电流密度是5000 A/cm~2μm。室温附近的阈值特征温度是48 K。在1.3倍直流阈值下呈单纵模工作。     

发射波长为1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器在室温(300K)连续相干

本文报导了室温(300K)连续相干的InGaAsP/InP双异质结激光器的制作,对液相外延生长及激光器的特性进行了讨论。     

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.     

近1.3μm室温连续工作的InP/In_xGa_(1-x)P_y As_(1-y)双异质结激光器

用液相外延法制备了～1.3μm波长的InP/In_xGa_(1-x)P_yAs_(1-y)双异质结激光二极管。室温脉冲阈电流密度最低是j_(th)≈1800A/cm~2;室温直流工作阈值电流I_(th)=300mA,阈电流密度j_(th)=3600A/cm~2。制备的二极管是单台型和电极条形两种结构。     

1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长

本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采用阳极氧化处理,用InP、Sn合金熔液盖片保护衬底,减少衬底在加热过程申的热损伤等方法获得了高质量的外延片。用该外延片制作的1.3μm波长InGaAsP/InP(DC—PBH)激光器室温连续工作阈值电流最低达9mA,管芯单面输出功率最高达40mW,最高连续激射温度达115℃。     

采用双生长室方法汽相生长双异质结结构InGaAsP/InP

采用“双生长室”氯化物汽相输运外延技术已研制出异质结InGaAsP/InP。两个独立的生长室,其中一个用来生长InGaAsP,另一个用来生长InP,而它们都连接于一个出口端。衬底是在几秒钟内机械地从一个室传输到另一个室,因而在异质界面不会出现互相沾污的生长,获得了陡峭度小于50 的晶格匹配良好的异质结构界面。用这种技术制备的InGaAsP/InP DH激光器,在室温下CW溅射,发现其阈值相当于液相外延制备的激光器。     

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

用过冷法两次液相外延生长制作了波长 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBHLD).室温最低阈值电流15mA,典型值20mA;最高连续工作温度80℃,输出光功率2mW.4倍阈值电流时,仍可得到稳定的单纵模输出.     

分子束外延生长的连续工作InGaAs/InP隐埋异质结激光器

人们对用于1.0～1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子束外延生长制备的InGaAs/InP隐埋异质结激光器,该激光器的隐埋层是用液相外延生长的。InGaAs/InP隐埋异质结激光器的结构如图1所示。该激光器是以掺Sn(100)InP为衬底,用分子束外延生长:(1) n-InP限制层;(2) 非掺杂(n-型)InGaAs有源层;(3) p-InP限制层。接着用液相外延生长隐埋层(p-InP层和n-InP层),再用分子束外延生长p-InGaAs顶层。在分子束外延生长     

InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合

报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T_b以上到室温(255K     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

InGaAsP/InP双异质结激光器的研究

近年来,激光通讯技术在国内外迅速发展。作为长波长激光通讯光源的InGaAsP/InP激光器也在不断改进,目前国际上已开始进入实用化阶段。我们从1979年开始研制InGaAsP/InP双异质结激光器,同年实现室温脉冲激射,今年10月初做出18℃下连续激射的样品,11月份实现了室温以上连续激射。器件波长为1.1μ,连续工作温度最高可达40℃以上,室温连续激射阈值电流最低可低于200mA。目前正在进行加电工作试验,20～25℃下连续工作已超过500小时,未见失效,这一工作还在继续之中。本文分三个部分报告InGaAsP/InP双异质结激光器的研制情况。     

InGaAsP/InP双异质结的混合外延生长

本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。     

InGaAsP／InP激光器非平面液相外延生长的研究

本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。     

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.     

两相溶液法外延生长InGaAsP/InP系材料

本文主要描述了两相溶液法外延生长InGaAsP/InP系材料的实验方法及其结果。并给出了用该方法生长的InGaAsP/InP材料制作的1.3μm和1.5μm p-n结隔离条形激光器的参数特性。实验证明用两相溶液法外延生长InGaAsP/InP材料(特别对发射波长在1.5μm以上的InGaAsP/InP材料)具有组分均匀和重复性好等优点。     

带激射窗口区的1.57μm InGaAsP/InP分布反馈隐埋异质结激光器

InGaAsP/InP分布反馈(DFB)激光器是1.5～1.6μm波段单模光纤通信中一种很有希望的光源。最近研制成了室温连续工作的隐埋异质结分布反馈激光器。GaAs/AlGaAs分布反馈激光器有人曾经作过介绍。本文报导一种带激射窗口区的InGaAsP/InP分布反馈隐埋异质结激光器(DFBWH-WR)。该激光器能有效抑制法布里—珀罗模,而且输出—电流特性良好,既无扭折,也无磁后。     

用液相外延生长的1.3微米InGaAsP/InP多量子阱激光器

我们用低温(T_g=589℃)液相外延生长技术二成功地制成了具有多量子阱有源层的1.3μm InGaAsP/InP双异质结构激光器.薄外延层的厚度小于De Brogile(德布罗意)波长.激光器的阈值电流为19mA,外微分量子效率为～40%,在—5℃～20℃范围内的T_0值为～145K;在20～70℃范围内的T_0值为～60K.     

低阈值1.25微米汽相生长InGaAsP连续波激光器

汽相生长的 InGaAsP/InP 双异质结激光器已经制成,在1.25微米下具有85毫安的室温连续阈值电流和超过50%的微分量子效率。在合适的电流范围下,从一些激光器看到了基纵模式和基横模式的工作。已经观察了超过4000小时的室温连续工作,至今尚无明显的退化。     

用液相外延技术在GaAs_(0.69)P_(0.39)衬底上生长晶格匹配的GaAsInP低阈值可见光激光器

短波长激光器有很多优点,如可见度高,衍射极限扩展,对感光剂的灵敏度高,许多研究人员从事短波长激光器的研究。我们已经进行了在 GaAs_(0.61)P_(0.9)衬底上用液相外延方法生长 InGaAsP/InGaAsP 双异质结激光器的工作,这种激光器能够在室温下以脉冲方式工作,波长范围620—640nm,波长为630nm 的激光器,直到197K 都能连续工作。GaAs_(0.01)P_(0.39)衬底的使用主要是为了使激光器短波化.但因激活层的组份接近     

InGaAsP/InP激光二极管与异质结双极晶体管的单片集成

本文报导了1.3μm 波长范围的激光二极管及其高速激励电路首次成功地集成在一起的情况。在这种光电子集成电路中,利用在同一衬底上生长的 InGaAsP 和 InP 液相外延层制作了隐埋异质结激光二极管和三个异质结双极晶体管。因异质结构的发射极效率较高,故做出的异质结双极晶体管具有高速性能。结果证实了这种新型的光电集成电路可在频率高达1.6GHz下工作并观测到调制的激光器输出。