有源器件端口反射系数测量方法分析

有源器件的端口反射系数是器件的主要参数,端口反射系数的大小直接影响信号的输出功率。为实现有源器件在“射频开”状态下端口反射系数的测量,开展了阻抗调谐器法和网络分析仪频率偏移法的源端口反射系数测量方法研究,并针对信号源和放大器开展了相应的实验。测量结果表明,10 dBm输出时2种方法测得反射系数模值的差别小于0.06,相位变化差别优于10°,为有源器件端口反射系数的测量提供了可行的方法。     

基于FPGA的COTS器件辐射效应测试系统

为了满足航天商业现货(COTS)器件辐射效应评估的高效率、低成本、批量测试需求,通过分析典型COTS器件不同辐射效应测试的异同,设计了COTS器件通用辐射效应测试系统。测试系统由面向仪器系统的外围组件互连(PCI)扩展(PXI)系统和基于现场可编程门阵列(FPGA)的监测主板组成,适用于FPGA、模数转换器(ADC)、静态随机存储器(SRAM)、运算放大器、电源芯片等典型COTS器件单粒子和总剂量效应地面模拟试验,能够在线实时测量被测器件的功耗电流、逻辑功能、输出信号等参数,可对被测器件的输入电压、输入电流、输出电压等需要高精度测量的功能性能参数进行离线测量。通过典型器件的单粒子与总剂量效应试验,对测试系统的在线与离线测试功能进行了验证,结果表明该测试系统能够满足测试需求。     

恒功率激光脉冲电源的设计

设计与实现了用于激光切割机的脉冲电源,采用功率器件IGBT构成功率驱动单元,利用单片机实现电流的恒功率算法快速控制输出电流,并对功率器件IGBT进行安全可靠的保护。该电源工作频率在超声频段,无电流噪声,输出电流的波纹极小,电流稳定度高。     

100A/1200V Si/SiC混合模块对比研究（英文）

采取对比的方法将Si IGBT/Si FRD模块与Si IGBT/SiC SBD模块静态及动态特性进行了测量与分析。测试表明,将Si IGBT模块中Si FRD替换为SiC SBD后开关损耗减小明显,提升效率的同时可大大提高功率模块的工作频率,降低系统体积。为了解释Si IGBT/SiC SBD混合模块开通过程中电流电压振荡现象,本文对模块开通与关断过程中电流的流通路径进行了对比,用以解释产生开通振荡的原因。分析中发现,开通振荡主要来自于模块封装杂散电感与IGBT输出电容及SiC SBD结电容产生的LC谐振。SiC SBD由于结电容较大而导致开通振荡较为明显。因此,为了提高SiC器件系统的可靠性,需要找到一种低电感封装技术,满足SiC器件封装要求。     

IPM智能功率模块的设计与分析

引言 IPM智能功率模块是先进的混合集成功率器件,由高速、低功耗的IGBT芯片和优化的门极驱动以及保护电路构成.由于采用了能连续监测功率器件电流的、有电流传感功能的IGBT芯片,从而可实现高效的过流保护和短路保护.由于IPM智能功率模块集成了过热和欠压锁定保护电路,因而系统的可靠性得到了进一步提高.     

温度对压接型IGBT器件内部接触热阻的影响

温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性.压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场的多物理量耦合场,器件内部各组件间的接触热阻是温度场与结构场双向耦合的重要桥梁,也是器件可靠性的重要影响因素.通过单芯片子模组有限元模型分析了各组件间的接触热阻,重点研究了温度对接触热阻的影响,计算了热阻测量前后的接触热阻值,并进行了对比.鉴于目前接触热阻测量方法的局限性,通过测量单个快恢复二极管(FRD)芯片子模组结到壳热阻值与温度的变化关系间接得到接触热阻与温度的关系,并对有限元计算结果进行了验证.     

一种IGBT热阻测试系统的研制

为了解决国内绝缘栅双极型晶体管(IGBT)生产和使用中热阻测试问题,采用电学法的测量原理并与嵌入式技术相结合的方式,设计了一种以现场可编程门阵列(FPGA)为控制核心的IGBT自动测试系统.该系统采用模块化的设计思想,各模块间进行隔离设计,其中14 bit隔离型高速数据采集卡可以快速采集IGBT温度敏感参数的变化,从而使系统可以快速可靠的工作.使用该测试系统对IGBT器件的热特性进行测试,将测试数据与美国生产的Phase1 1热特性分析仪进行对比,测试结果经过修正后误差约为1％.验证了该热阻测试系统可用于测试IGBT器件的热特性,并具有速度快、稳定性好等优点,对我国功率器件的可靠性技术研究具有重要意义.     

结温在线控制系统的IGBT功率模块热耦合模型

应用有限元法，对IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，得到了器件的稳态热阻及瞬态热阻抗。研究了功率模块各芯片之间的相互热影响，提出了热耦合效应热模型的统一结构，基于对瞬态热阻抗曲线的拟合，得到热模型的相关参数，从而建立了热耦合效应热模型。以一个降压变换器为例，阐述了结温在线控制系统的工作原理，并将热模型应用于该系统中，计算结果与测量结果非常一致。     

多芯片贴片式LED器件结温测量

结温是多芯片LED器件热性能的关键参数。以SMD5050 LED器件为例,研究了多芯片贴片式LED器件结温测量方法。SMD5050 LED是一种多芯片贴片式封装的LED器件,器件内封装有3颗芯片,3颗芯片之间并联。根据单芯片LED器件热阻测试原理,模拟SMD5050 LED器件正常工作时的状态,对SMD5050 LED器件的结温进行了测量,并根据LED芯片特性,验证了测量结果的准确性,这种方法适用于封装结构相似的其他多芯片LED器件结温的测量。     

基于NPR效应及NOLM的多波长SOA光纤激光器

为了获得具有超窄波长间隔的稳定多波长输出,设 计并实验验证了一种基于非线性偏振旋转(NPR)效应及NOLM的多波长SOA光纤激光器。利用 SOA的NPR效应,将SOA与其他偏振器件组合引起强度相关损耗(IDL)效应,从而抑制SOA均 匀加宽线宽内的模式竞争,实现稳定的多波长输出。Lyot-sagnac滤波器作为波长选择器件 ,选用71 m长保偏光纤(PMF)得到超窄波长间隔。另外NOLM作为功率 均衡器进一步抑制了模式竞争效应并且实现了功率均衡,提高了边模抑制比(SMSR)。通过调 节偏振控制器(PCs),最终在室温下实现了稳定且功率均衡的多波长输出,10 dB带宽内输出的波长数量为184,波长间隔为0.08 nm,SMSR高达22 dB。该激光器可作为DWDM光通信系统 中的光源。     

背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭

本文讨论了在光折变晶体中,通过特殊的背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭波的理论,并指出散射波的频偏是由于极化光折变晶体中的光生伏打效应引起相位栅的运动而产生的。     

The meta-stable dip (MSD) effect in SOI FinFETs

The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (V_G1), the magnitude of drain current (I_D) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (g_m). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (V_G2), drain voltage (V_D) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates.     

光学双稳系统的耗散与合作效应

本文基于作者所导出的混合型光学双稳系统与原子相关的耗散表达式,详细地讨论了光学双稳系统中原子间的相关效应,即合作效应。证明了在低透支上原子的合作行为,以及在高透支上的单原子行为,是—种普遍现象,不局限于理想化的二能级原子物质。     

The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

无源谐振腔激光陀螺的背散射

从理论上证明了在闭环无源谐振腔激光陀螺中，谐振腔的腔镜背散射不但会引起闭锁效应，而且会引起模牵引效应。探讨了消除闭锁效应的根本方法。     

钛酸钡（BaTiO3）的光束Fanning效应

我们通过实验对激光束透过光折变晶体(BaTiO_3)产生的Fanning效应作了研究。晶体光轴取向、入射光束的偏振状态和入射角是影响光束Fanning效应的主要因素。本文给出实验结果并作了扼要的理论分析。     

Recent Progress of Methods to Enhance Photovoltaic Effect for Self-Powered Heterojunction Photodetectors and Their Applications in Inorganic Low-Dimensional Structures

An important class of photoelectronic devices, self-powered photodetectors, has attracted worldwide attention because of its crucial role in both basic scientific research and commercial/public applications. Thanks to a special synergistic effect, excellent photoelectric properties, and outstanding mechanical stability, the study of heterojunction devices can provide valuable insights and new possibilities for the future of self-powered photodetectors. This paper reviews the recent years of fundamental research of photovoltaic efficiency based on the ferroelectric-enhanced photovoltaic effect, the pyro-phototronic effect, and the piezo-phototronic effect. It also highlights important topics related to heterojunctions and materials that are suitable for self-powered photodetectors. The article concludes with an outlook of the future development in this important and rapidly advancing field.     

KDP二维声电光器件

使用ＫＤＰ晶体作为声电光互作用介质制作了二维反常喇曼奈斯声电光器件,分析了这种器实现激光的二维偏转与强度调制的工作原理,并测量了调制曲线。     

多路径反射对舰载侦察设备侦收信号的影响

结合侦察设备的研制试验,分析了海上多路径反射效应对侦察设备侦收信号的影响。结果表明不同类型的多路径反射效应的影响是不同的,有时会导致信号幅度的变化,有时会使脉冲波形产生畸变,有时会导致信号增批。     

q－光子湮没算符K次方本征态及其量子统计性质

通过构造算符的Ｋ个正交归一本征态，本文讨论了光场振幅Ｎ次方压缩和反聚束效应．