成膜与热处理参数对溅射沉积ITO 膜电性能的影响

采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜，在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺。对制备的ITO薄膜进行了退火热处理，研究不同温度热处理后膜的方块阻值的变化。实验表明，对一定的基片加热温度，ITO膜的方块电阻与溅射气氛中的补氧流量有关，并存在一个最佳补氧的值，在该条件下制备ITO的方块电阻最小，在膜厚为40nm埃时仅有不到100Ω／□。影响溅射沉积ITO透明导电薄膜方阻的，除了溅射沉积时基片的烘烤温度和补氧流量外，还包括后期大气退火热处理的温度。     

ITO薄膜的电阻并联效应研究

采用电子束蒸发镀膜方法在K9玻璃基底上分别镀制了ITO/SiO₂/ITO,ITO/Ti₂O₃/ITO和ITO/MgF₂/ITO结构的多层薄膜,用四探针方块电阻仪测量薄膜表面的方块电阻,用原子力显微镜观测样品的表面微观形貌。结果显示,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜的物理厚度小于100nm时,各层ITO薄膜之间通过山峰状的凸起结构相连通,导致样片表面的方块电阻测量值与各层ITO薄膜电阻的并联值相当。这表明,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜厚度较小时,各层ITO薄膜表现出电阻并联效应。利用多层ITO薄膜的电阻并联效应设计并制备了450～1200nm超宽光谱透明导电薄膜,用四探针方块电阻仪测量了试验样片的表面方块电阻,用紫外-可见-近红外分光光度计测试了样片的光谱透射率。结果显示,在相同表面方块电阻条件下,相比于单层ITO薄膜,利用ITO薄膜电阻并联效应所制备的多层透明导电薄膜具有更高的光谱透射率。     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜的光电性能研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜工艺,在普通玻璃基片上制备了掺锡氧化铟(ITO)纳米透明导电薄膜。采用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同Sn掺杂量、不同热处理温度和热处理时间以及不同涂层对薄膜光学和电学性能的影响。结果表明薄膜的方块电阻随Sn掺杂量的增大和热处理温度的升高先降低后增加,在适宜的温度范围内薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高而增加。在一定的温度下,随着热处理时间的延长,ITO薄膜的方块电阻先降低后增加,透射率先增加后降低。在最佳工艺条件下,采用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜平均可见光透过率达86%,薄膜方阻为322Ω/□。     

ITO阻值的精确计算及影响因素

论述了ITO、方块电阻的定义及ITO阻值的精确计算，并结合实际应用讨论了影响ITO阻值的因素，对版图设计和LCD生产的过程控制有一定的借鉴意义。     

基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜，该薄膜具有较低的红外发射率。利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响，并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征。实验发现，随着基底温度的升高，薄膜的表面颗粒增大，透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低。本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系。     

低翘曲度ITO透明导电膜玻璃的工艺研究

研究了不同厚度ITO膜的大尺寸超薄导电玻璃的翘曲度,ITO膜形成期间基片温度对ITO膜层晶体化程度的影响及不同基片温度下形成的ITO膜层在不同的退火条件下的退火前、后的电阻率和膜压应力.实验发现,ITO膜层的很高的压应力是导致导电膜玻璃翘曲的直接原因;采用室温沉积非晶ITO膜,然后经高温热退火可获得低膜压应力多晶相ITO膜.基于实验结论,提出了一种适合批量生产的低翘曲度ITO膜导电玻璃的制备工艺.     

退火处理对ITO表面特性及有机发光器件性能的影响

为了改善有机发光器件（OLEDs）的性能，在0～600℃不同温度下对ITO透明导电玻璃进行了退火处理。SEM观察到随退火温度的升高，ITO表面粗糙度增加；四探针电阻测试结果显示，在300℃以上温度退火后ITO表面电阻率有明显增加。用退火前后的ITO玻璃作为阳极制备了OLEDs，器件结构为ITO／TPD／Alq3／Al，比较器件的电流密度-电压特性曲线测试结果表明，ITO薄膜的热处理温度对OLEDs性能有显著的影响。     

快速热退火对ITO薄膜及LED芯片性能的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响.结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33 Ω/口和93.1％,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3％;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70 Ω/口和95.9％,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8％;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58 Ω/口和95.4％,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9％.     

有机玻璃衬底磁控溅射ITO膜的制备与性能研究

在低温条件下采用直流磁控溅射法在有机玻璃(PMMA)衬底上制备了ITO薄膜。分别采用分光光度计、四探针测试仪研究了底涂层、衬底温度、氧流量、溅射时间对PMMA上沉积的ITO薄膜性能的影响。研究结果表明:涂覆底涂层有助于ITO成膜;衬底温度影响薄膜的方块电阻值;适当增大O2流量可以提高薄膜的透射率,但过高的O2流量降低薄膜的导电性;溅射时间延长,方块电阻值减小。优化工艺后制备的ITO薄膜为非晶态膜,可见光平均透过率达83.5%,方块电阻为22Ω/□。     

有机玻璃衬底磁控溅射ITO膜的制备与性能研究

在低温条件下采用直流磁控溅射法在有机玻璃(PMMA)衬底上制备了ITO薄膜。分别采用分光光度计、四探针测试仪研究了底涂层、衬底温度、氧流量、溅射时间对PMMA上沉积的ITO薄膜性能的影响。研究结果表明: 涂覆底涂层有助于ITO成膜; 衬底温度影响薄膜的方块电阻值; 适当增大O2流量可以提高薄膜的透射率, 但过高的O2流量降低薄膜的导电性; 溅射时间延长, 方块电阻值减小。优化工艺后制备的ITO薄膜为非晶态膜, 可见光平均透过率达83.5%, 方块电阻为22Ω/□。     

半导体激光对兔眼视网膜损伤及修复的观察

目的：用半导体激光（波长810nm)照射兔眼视网膜，观察随着功率及脉冲数的增加视网膜损伤的变化，并长期随访眼底的修复情况。结果：810nm单脉冲激光照射兔眼视网膜功率为0.35-1.4W，脉宽为0.1秒的单脉冲时，检眼镜未发现兔眼视网膜的损伤，光镜下受照区视感受器与色素上皮层有轻度水肿及少许渗出；功率增至2.1-9.8W时，随着激光功率的增大，造成视网膜光凝斑，出血及玻璃体出血，光镜下可见受照区视网膜微隆起，内颗粒层部分细胞明显显核固缩或光凝处视网膜破裂消失。损伤后观察：当损伤轻微，由周围正常细胞修复，损伤严重最后由纤维组织和胶质细胞增生修复，为不可逆损伤。     

躯体化症状患者红外热像的特点及临床价值探讨

通过红外热像检测技术,获得了躯体化症状患者体表温度分布的特点,能为临床提供识别躯体化症状的指标。用躯体化症状自评量表筛查出躯体化症状患者162人。以这些患者为观察组,以非躯体化症状患者145人为对照组,全部进行规范性红外热像检查。每人撷取5帧图像,辨识其图形特点及图像异常情况,并比较两组间的差别。观察组图像的结果是,3例正常,107例（66.1%）轻度异常,42例（26%）中度异常,10例（6.2%）重度异常。对照组图像的结果是,127例（87.6%）正常,18例（12.4%）轻度异常,0例（0%）中度异常,0例（0 %）重度异常。观察组患者的红外热像温度分布总异常率为98%。因此,躯体化症状患者出现的异常温度分布图像可作为躯体化症状的识别指标。     

脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙齿硬组织的临床研究

目的:观察脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙硬组织后增加与复合树脂结合力的临床效果方法:观察组采用脉冲Nd:YAG激光照射窝洞后进行光固化治疗,对照组以常规酸处理后光固化治疗。结果:观察组115个牙齿成功105,有效6个,失败4个;对照组成功76,有效21,失败18个。两组间有非常显著性差异(P<0.01)。结论:脉冲Nd:YAG激光代替酸处理蚀剂牙硬组织进行光固化治疗上一种可行的方法。     

微波组件典型质量问题分析及对策

总结目前微波组件生产的特点,通过对微波组件生产中典型质量问题的案例剖析,论述微波组件质量问题具有的滞后性和隐蔽性的特征,分析主要失效模式及失效机理,从产品设计、工艺过程控制、元器件质量等方面对影响产品质量的因素进行探讨,并在技术方法上提出具体的解决对策.     

去细胞神经移植后再生神经纤维超微结构的观察

应用化学方法去除神经中的细胞成分并经γ射线辐照后进行家兔同种异体移植实验,分别对移植后6、8、12周再生的神经进行超微结构观察。结果表明：去细胞神经中的雪旺氏细胞成分基本缺失,仅残存一些膜状结构碎片。有髓神经纤维髓鞘明显破坏,神经纤维外周胶原纤维及其组成的膜结构基本保持完整。移植术后植入物内可观察到增生的雪旺氏细胞包裹再生的轴突形成有髓神经纤维和无髓神经纤维,其轴突内可见线粒体、神经微管、微丝。再生神经纤维的形态、结构及直径均与正常神经相似。表明植入物逐渐被新生的神经纤维所取代。     

高山被孢霉的扫描电镜观察

本文对三株高山被孢霉(Mortierella alpina)菌株200012201、88335和87649进行了研究。PDA(potato dextrose agar,马铃薯葡萄糖琼脂培养基)平板观察,200012201菌株的菌落呈波浪状或高山状,菌丝为白色;扫描电镜观察,菌丝发达,分支繁密,很少发现孢囊孢子,但观察到少量的高山被孢霉接合孢子。而88335和87649菌株的PDA平板的菌落平铺于表面,菌丝白色,呈绒毛状;扫描电镜观察,与200012201菌的菌丝相比,菌丝较细,同样分支繁密,容易观察到大量由菌丝梗分化产生的成串的分生孢子。     

冷球蛋白血症肾损害的超微结构特征及其诊断意义

为探讨冷球蛋白血症肾损害的超微结构特征及其在本病诊断中的作用,对冷球蛋白血症肾损害的肾活检标本进行系统的电镜超微结构观察,并分析其临床、病理特点及超微结构的改变。12例冷球蛋白血症肾损害病例中,原发性冷球蛋白血症5倒,继发性冷球蛋白血症7例。膜增生性肾小球肾炎是其最常见的病理类型。其次为非典型膜性肾病及毛细血管内增生性肾小球肾炎;可见肾小球内皮细胞下及毛细血管腔内大量嗜复红蛋白沉积形成白金耳或微血栓样结构。电镜检查可见肾小球内的电子致密物形成多种有形结构,包括微管状、纤维状、晶格样及颗粒样结构等,主要分布于肾小球内皮细胞下及毛细血管腔内,也可见于上皮细胞下、基底膜内及系膜区;并可见毛细血管腔内含大量吞噬溶酶体的单核细胞浸润。肾组织内形成特殊有形结构的电子致密沉积物是冷球蛋白血症肾损害的突出超微结构特征,在冷球蛋白血症肾损害的诊断中具有重要意义。     

环签名研究进展

综述了环签名及其应用方面的研究成果和发展状况。概括了现有的环签名方案，分析了现有环签名方案的优缺点。指出了环签名目前所存在的问题，并对其研究前景进行了展望。     

两种低压高速BiCMOS开关电流存储器

为了提高数字通信电路的速度,设计了两种BiCMOS开关电流存储器.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),但在电路的主体部分则设置MOS器件.推导出了存储电路的传输延迟时间估算式,优选了元器件参数,并采取了提速措施.进行了仿真试验和硬件电路实验.结果表明,所设计的两种开关电流存储器在低电源电压(VDD)为2.6～4.0V时,综合性能指标--时延-功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18.8pJ,特别适用于低压高速数字通信系统.     

堇青石红外辐射复相陶瓷的结构与性能研究

使用铁氧体生料和堇青石生料,在合适的工艺制度下,制备了堇青石红外辐射复相陶瓷.用红外辐射测量仪测定了样品的红外发射率,用XRD方法分析了样品的物相组成,用电子探针分析了样品中元素的面分布和其显微结构特征,并综合分析了影响制品红外发射率的因素,结果表明:复相陶瓷的主晶相为堇青石和铁氧体共存,和复合前铁氧体的发射率值相比,复合体陶瓷的全波段红外发射率和光谱发射率均得到了一定程度的提高,全波段红外发射率提高了4%-5%,光谱发射率提高了l%-5%;复相陶瓷中,铁氧体含量的变化,对复相陶瓷的红外发射率没有影响.