场发射显示技术的发展状况

介绍了微尖阵列、碳纳米管、表面传导、弹道式电子发射、薄膜内场致发射以及类金剐石薄膜等几种场发射显示技术的发射特性，分析了场发射的工作机理。讨论了国内外场发射技术发展状况与它们在技术、材料、工艺等方面的瓶颈。展望了几种场发射显示器的市场产业化前景以及加快我国在场发射技术方面的研究步伐的建议。     

碳纳米管的场发射特性

研究了碳纳米管的场致发射特性,实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性.通过对碳纳米管进行温度处理,得到了与基片附着力强的碳纳米管;测试了场发射特性,发现碳纳米管其开启电压较低(30V).     

镍/碳纳米管复合薄膜的制备及其性能的研究

结合电泳沉积碳纳米管和电镀金属镍的方法,在导电基片上成功制备了镍/碳纳米管复合薄膜.观察了薄膜的形貌和成份,测试了所制备的镍/碳纳米管复合薄膜的表面电阻和场发射特性,并与传统的电泳方法制备的碳纳米管薄膜进行了比较.实验结果表明,镍/碳纳米管复合薄膜表面碳纳米管大范围排布有序、密度可控;与传统电泳方法制备得到的碳纳米管薄膜相比,镍-碳纳米管复合薄膜具有更小的表面电阻和更好的场发射性能.镍层在薄膜中起到了固定碳纳米管、改善碳纳米管与基底以及碳纳米管与碳纳米管之间电接触的作用;由于镍在薄膜中含量较少(小于10%),薄膜整体仍体现出碳纳米管的优异性能.     

碳纳米管的场发射特性

研究了碳纳米管的场致发射特性,实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性.通过对碳纳米管进行温度处理,得到了与基片附着力强的碳纳米管;测试了场发射特性,发现碳纳米管其开启电压较低(30V).     

碳纳米管的光电特性及应用

碳纳米管是一种重要的纳米材料。本文讨论了碳纳米管的原子结构,分析了其结构对碳纳米管性能的影响。本文根据场致发射理论分析了碳纳米管的场致发射性能,在此基础上,本文还分析了碳纳米管在信息电子领域的短期和长期应用前景。     

碳纳米管场电子发射性能不稳定性的分析

利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备了多壁碳纳米管,并测试了它的场电子发射性能,发现碳纳米管的场电子发射性能在测量过程中发生了变化.利用X射线能谱仪对碳纳米管进行了表征,结果表明氧吸附在碳纳米管上.氧的吸附导致了碳纳米管的功函数发生了变化,造成碳纳米管场电子发射性能不稳定.同时,本工作还分析了氢的吸附可能对碳纳米管场电子性能的影响.因此,本工作对碳纳米管在微电子领域的应用有一定的意义.     

可印制碳纳米管冷阴极中碳纳米管含量的优化

采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极.研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系.实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响,具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性最佳.     

碳纳米管应用研究

随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管的电学特性,如导电特性、通流能力、电流特性及其场发射特性。在此基础上,讨论了碳纳米管在纳米电子学和电子场致发射等方面的应用。同时分析了碳纳米管的磁学特性、力学特性及敏感特性等并讨论了其在纳米机械系统、电磁吸收、传感器及其他领域中的应用。研究表明,碳纳米管在众多的领域具有广泛的应用前景。     

碳纳米管与外电路的连接技术进展

首先,介绍了碳纳米管电子器件应用中的关键工艺技术——碳纳米管与外电路的连接技术,回顾了碳纳米管与外电路装配的发展历程。从碳纳米管在电极间的随机连接到电场定位组装和原子力显微镜的可控操纵,描述了各种装配方法的特点。其次,讨论了碳纳米管与外电路连接的可靠性问题,并介绍了电子束、扫描探针显微镜和超声波等多种改善接触性能的焊接方法。最后,简单展望了碳纳米管与外电路连接的发展趋势,指出数目可控的碳纳米管组装技术和规模化的焊接工艺是今后研究工作的重点。     

有线电视网络产业化研究

阐述了我国有线电视网络的现状和进行产业化需要遇到的问题,分析了我国产业化的基本内容和有利条件,探讨了加快我国有线电视网络产业化的基本策略.     

微波管CAD技术进展

综述微波管CAD技术（包括微波管CAD中数值计算方法、广泛应用的大型电磁分析软件、微波管建模与模拟、微波管CAD集成环境等）的国际国内研究情况。并展望了我国微波管CAD技术的发展前景。     

可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备，并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上，自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管，配以简单的驱动电路，实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。     

Laser mode locking using a saturable absorber incorporating carbon nanotubes

This paper describes a new class of saturable absorber device based on single-wall carbon nanotube (SWNT)-the saturable absorber incorporating nano tube (SAINT). The device possesses ultrafast optical properties comparable to that of the industrial standard semiconductor saturable absorber mirror (SESAM). Passively mode-locked picosecond fiber lasers in different configurations are demonstrated using SAINTs as mode lockers. This is the first demonstration of optical pulsed lasers based on the carbon nanotube technology, and the first practical application of carbon nanotubes in the field of applied optics.     

纳米粒子掺杂的液晶显示技术

液晶显示器需要快速响应来显示动态画面,纳米粒子掺杂技术能够改善液晶材料的特性,提高液晶显示器的光电性能。本文介绍了四种主要的掺杂纳米粒子类型:碳纳米管、金属纳米粒子、金属氧化物纳米粒子和铁电性纳米粒子。     

单根碳纳米管场致发射表面电荷分布研究

考虑碳纳米管尺寸及端帽形状,计算得到了比较精确的金属型纳米管表面电荷密度相对分布曲线。与先前的理论结果作比较,消除了曲线上的波动,曲线相对抬高,尖端附近电荷量所占比例减小。进一步研究了长度、半径和长径比对电荷密度相对分布曲线的影响,表明长度主要影响管身电荷密度相对分布,半径主要影响尖端电荷密度相对分布。在忽略其他条件影响下,长径比相同的碳纳米管,电荷密度相对分布曲线趋势完全相同。     

Development of CRT＇s corner cutting repair systems

CRT Corner cutting tube is considered as a definitive reject and will be sent to reclaim at all times. It caused lots of material loss. In this paper, a novel technology used to save CRTs corner cutting tube is presented firstly. A set of repair system has been successfully developed to repair CRTs corner cutting tube. Then, the process technology for corner cutting repair has been excogitated by empirical studies. Finally, the correlative performances of repaired tube are evaluated. The experimental results show that the quality of repaired tube has no difference with that of normal product. The repair yield has reached above 97 percent. This new technology has contributed to improving the production yield, reducing the material consumption and decreasing the cost of color CRT production.     

低碳电力技术的研究现状及展望

在我国经济建设中,电力企业为社会提供电力能源,对整个社会的经济发展起着十分重要的作用.但是,电力企业在电力生产中,由于低碳技术发展不成熟,不仅导致了能量资源的浪费,同时也对环境造成了恶劣的影响.在此背景下,我国政府提出了低碳经济的口号,而在电力生产中加强研究低碳技术对于保护环境、提高资源利用效率具有重要意义.     

碳纳米管轴向压缩行为的分子动力学模拟

用分子动力学方法对轴向压缩下的单壁和双壁碳纳米管的屈曲行为进行了模拟研究。在分子动力学模拟中,采用Tersoff-Brenner势结合6～12形式的Lennard-Jones势描述碳原子之间的相互作用。计算结果表明:单壁碳纳米管的屈曲临界力随着半径的增大而增大,但半径对其临界应力的影响只是在管径较小的情况下比较明显;在载荷下,双壁碳纳米管的外管首先失稳;双壁碳纳米管的屈曲临界应变高于外管对应的单壁碳纳米管的临界应变,而低于内管对应的单壁碳纳米管的临界应变。但是,双壁碳纳米管的屈曲临界力明显高于内、外管对应的单壁碳纳米管的临界力。     

一体化电磁聚焦系统加载技术的研究

为了提高行波管用电磁聚焦系统的效率,在一体化电磁聚焦系统的无加载设计基础上,进行了加载技术的研究,通过使用CST软件和MTSS软件进行仿真设计,然后进行装管验证。研究结果表明：对某X波段大功率耦合腔行波管的一体化电磁聚焦系统进行加载后,可实现对电磁聚焦磁场的局部调节,且基本不影响相临区域的磁场,在获得相同磁场强度的条件下,线包的耗散功率降低了3%左右。因此,对一体化电磁聚焦系统进行加载技术的研究有较好的实际意义。     

光纤二次套塑工艺探讨

本文介绍PBT束管的成型与余长形成机理,常规的光纤二次套塑工艺的情况和存在的问题,并提出一种改进的光纤二次套塑工艺制作方法与装置,它能够使作为光纤松套管材料的PBT得到充分结晶从而避免光纤PBT束管的挤塑后收缩,保持束管中光纤余长的稳定。并能提高生产速度,从而提升生产效率。