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利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构,结果表明真空度对其生长和结构有较大的影响。当真空度为4000Pa和2000Pa时,准直碳纳米管较容易生长,并且真空度为2000Pa时生长的碳纳米管平均长度大于真空度为4000Pa时碳纳米管的平均长度。但真空度为667Pa时碳纳米管生长困难。根据热力学和辉光放电理论,分析了真空度对准直碳纳米管生长和结构的影响。 相似文献
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纳米金刚石在不同沉积条件下的生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用CH4和H2为反应气体,在热丝化学气相沉积系统中用不同的沉积条件直接在Si衬底上制备了纳米金刚石,并用高分辨扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对它们进行了表征。结果表明,在热丝化学气相沉积系统中用连续辉光放电在Si衬底上沉积的金刚石是纳米金刚石颗粒;而用辉光放电在Si衬底上先进行金刚石核化,然后再用热丝化学气相沉积生长,可形成纳米金刚石膜。不同结构纳米金刚石的形成主要是由于在不同的沉积条件下非金刚石相被刻蚀的程度不同以及形成金刚石前驱物的运动不同所致。 相似文献
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利用负偏压增强热丝化学气相沉积 ,在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后 ,碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大 ,并且随着负偏压的增大而增大 ,即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响 ,结果表明在生长碳纳米管的过程中 ,由于辉光放电的产生 ,碳在催化剂中的活度得到增强 ,从而增大了碳纳米管的生长速率。 相似文献
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SiC在异质衬底生长金刚石膜的作用分析 总被引:2,自引:0,他引:2
利用扫描电子显微镜 (SEM)、Raman光谱分析了Si衬底上金刚石膜核化和生长的过程 ,并着重分析了核化过程产生的SiC的性能。利用划痕法测量了在WC衬底上沉积SiC和未沉积SiC时生长金刚石膜的粘附力 ,同时还分析了WC衬底上有和没有SiC沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明 ,SiC层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性 ,降低了金刚石膜与衬底之间的内应力 相似文献
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利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱分析了Si衬底上金刚石膜核化和生长的过程,并着重分析了核化过程产生的SiC的性能。利用划痕法测量了WC衬底上沉积SiC和未沉积SiC时生长金刚石膜的粘附力,同时还分析了WC半底上有和没有SiC沉积层时表面附近金刚石膜的内应力。结果表明,SiC层大大地增强了含碳粒子的聚集和金刚石膜与衬底之间的粘附性,降低了金刚石膜与衬底之间的内应力。 相似文献
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