氧化锌变阻器的应用（一）

本文讨论ZnO变阻器的应用,这是文献中还没有以系统的方式论述过的领域。本文开始主要叙述变阻器的电学特性、物理、化学以及微观结构。这些性质形成了确定直接与变阻器的非线性电流—电压特性相关的使用参数的基础。本文给出了这些参数以及它们与变阻器微观结构和工艺的关系。最后,根据设想的晶粒边界缺陷模型讨论了变阻器的可靠性。该模型解释了使用条件下的稳定性和不稳定性。     

SrTiO3基陶瓷多功能变阻器的研制

SrTiO_3基陶瓷变阻器是一种新型的多功能元件.它具有电容器和变阻器双重功能.这种变阻器采用传统的陶瓷工艺制造.其中关键的工艺是半导体化和绝缘化.本文简要介绍SrTiO_3基陶瓷变阻器的制造工艺和性能.     

氧化锌变阻器的应用（二）

在研究的早期阶段,ZnO变阻器在承受高电流过载时,I—V特性的老化超过10％—20％。但是,变阻器的应用要求一个可靠的变阻器的I—V特性,在使用时期和经受了由于吸收了下一个过载而产生的电负荷之后,必须保持其恢复原值的稳定能力。 为了弄清变阻器可靠性的物理和化学,首先必须了解稳定的和不稳定的变阻器之间的差别,之后才能尝试研究变阻器老化模式和它的可能解释。     

低压变阻器的晶粒控制

低压氧化锌(ZnO)变阻器因不均匀的晶粒生长与不均匀的微观结构,往往导致不一致的伏安特性。在陶瓷配料中加入籽晶是抑制个别大晶粒生长的一种有效方法,它能较易地控制细晶粒尺寸和电性能的一致性。籽晶通常是一种组成与原ZnO配比相同的单晶颗粒,而籽晶的晶粒尺寸要比原ZnO晶粒平均尺寸大。     

ZnO变阻器低压化研究及其在LCD中的应用

本文阐述了ＺｎＯ变阻器在两端有源矩阵ＬＣＤ器件的应用，指出该元件是驱动ＬＣＤ良好的非线性元件。针对ＺｎＯ变阻器阈值电压高的不足，通过改变材料配方，采用ＴｉＯ２添加剂取代传统传统配方中的Ｓｂ２Ｏ３添加剂，并选择合适的工艺参数，研制出了满足ＬＣＤ应用的低阈值电压高非线性系数的ＺｎＯ变阻器。     

变阻器用新材料

研制出一种由碳化硅,导体和绝缘体组成的复合变阻器材料。这种材料具有橡胶般的柔性,也易于成形。与碳化硅变阻器相比,它的漏电阻率(～10~(12)Ωcm)较高、非线性(～10)较大,所以可以用它做无间隙电涌抑制器。这种材料的击穿电压(1—10kV/cm)和其他特性随组份变化。同时,这种材料的电流容量大(>200A/cm~2),能量吸收强(>40J/cm~3),温度系数(～4×10~(-3)/K)和介电常数(～10)小,没出现峰值损耗。     

SrTiO3陶瓷变阻器

SrTiO_3陶瓷变阻器是一种新型的复合功能元件,它既具有电容器功能,又具有吸收浪涌的压敏电阻器作用的功能。在工业电子设备、家用电子设备中均有广泛的应用,并可大大地提高电子设备的抗干扰性能和抗噪声能力。本文简要介绍了SrTiO_3陶瓷变阻器的制造方法和电气特性,以及它们在电器设备中的主要应用。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

四价添加剂掺杂ZnO压敏电阻器的性能

基于理论研究的结果,用固相法研究了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理.结果表明,优选的四价添加剂掺杂能有效降低ZnO晶粒的电阻率和残压比;通过提高晶界氧的电离度,可使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度.     

平面型埋栅结构的静电感应晶体管

在表面栅和埋栅结构的基础上,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构,平面型埋栅结构.用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺.实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺.     

直流微电机用环形低压压敏电阻器的性能比较

测量了目前直流微电机消噪用 Zn O和 Sr Ti O3两类环形压敏电阻器的特性参数 ,分析了它们的介电 -频率和介电 -温度特性 ,并与所研制的用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻的性能相比较。比较测量结果说明 ,采用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻器 ,具有易于低压化且压敏特性良好的优点。尽管 Zn O的电容量不及 Sr Ti O3,但由于Zn O压敏电阻的制备属常规工艺且成本低廉 ,在要求价格低的直流微电机应用领域 ,只要提高 Zn O环形压敏电阻器的压敏特性 ,它仍具有较高的实用价值     

SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。     

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。     

液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂，能有效地改善大电流区的非线性。     

低压压敏电阻器的研究进展

综述了目前国内外研究最多的低压压敏电阻器(ZnO系)、电容–压敏双功能压敏电阻器(SrTiO3系、TiO2系)及新型压敏电阻器(WO3系)的基本组分、掺杂种类、制备工艺、性能及主要应用的研究进展。讨论了在低压压敏电阻器研究和生产方面存在的问题,并对其发展方向进行了展望。     

压敏电阻陶瓷材料的研究进展

详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。     

SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在...     

SrTiO_3环形压敏电阻器

以ＳｒＴｉＯ_３为主晶相，以Ｌａ_２Ｏ_３为施主杂质，在还原气氛下烧结使其充分半导化；掺杂多种金属氧化物，通过高温氧化处理形成晶界层，研制出环形压敏电阻器。其性能优于原有的ＺｎＯ环形压敏电阻器，不仅压敏特性优良，且具有很高的电容量，是一种双功能元件。更重要的是解决了ＺｎＯ压敏电阻器固有的在焊接挂锡后电压降低严重的问题。该成果填补了国内空白，并于１９９２年通过机电部设计定型鉴定。     

高能球磨法制备高电位梯度的ZnO压敏电阻

为了制备高电位梯度的ZnO压敏电阻,采用了新的粉体制备方法,即高能球磨Bi2O3和Sb2O3两种添加剂12 h,再与其它氧化物共同高能球磨5h。扫描电镜及各个烧结温度下电性能、致密度的实验结果证明:此法制备的粉体压片后,1000℃烧结时,其电位梯度高达1516V/mm,漏电流为3.0μA,非线性系数为22。     

环形压敏电阻器的导电模型

通过表面涂敷Ｉｎ－Ｇａ合金测量压敏电压和试样电阻率等实验手段，研究了ＺｎＯ和ＳｒＴｉＯ３两种环形压敏电阻器的导电行为，得到了二者的导电模型。分析了导电模型不同的原因，并给出简单的鉴别方法。