电子探针分析用单质金属标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用单质金属标准样品的制作方法。其中包括:①电子探针分析对标准样品的要求。②单质金属标准样品材料的制备方法。包括:材料的熔炼,杂质的检验,加工成形等。③标准样品的制作方法。包括:样品柱和样品座的设计,样品与样品柱之间的接合,样品工作面的研磨和抛光等。④标准样品的检验方法。包括:平面性,粗糙度,均匀性,稳定性,污染等。文中还介绍了自己研制的几种单质金属标准样品,以及部分检验数据。     

RoHS分析标准样品的均匀性与稳定性研究

采用熔融法制备标准样品,并根据X射线荧光光谱仪在进行RoHS标准样品分析中所表现的特点,采用方差分析法(F检验法)对系列标准样品的均匀性进行检验;采用平均值一致性检验法(t检验)来评价标准样品的稳定性。结果表明,所制备的标准样品单元内和单元间的均匀程度以及标准物质样品的稳定性均达到国家一级标准物质的制备要求。     

电子探针分析用人工晶体标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用人工晶体标准样品的制作方法。其中包括:(1)人工晶体的制作方法。(2)晶体标准样品的制作方法。(3)材料结构对于标准样品信号的影响。(4)自己研制的几种人工晶体标准样品。(5)使用标准样品进行定量分析应注意的事项。     

急冷Al-Pb-Si合金粉末的微观组织的研究

急冷方法制备的金属或合金粉末,可用来制备高强度、韧性和抗腐性的非晶微晶材料。对于一些互相不固溶的合金材料,采用急冷工艺可以使合金元素第二相粒子在基体中分布均匀。由于急冷是一个不稳定的热力学过程,材料的组织结构及稳定性对急冷过程的变化十分敏感。本工作对急冷Al-Pb-Si合金粉末的微观组织结构及稳定性进行了观察和研究,探索出了μm级微粉粒子的电     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以Si2H6和GeH4作为源气体,用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Sil-xGex合金材料和Si1-xGex/Si多量子阱结构.用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究.结果表明样品的表面平整光滑,平均粗糙度为1.2nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好,各处生长速率平均偏差为3.31％,合金组分x值的平均偏差为2.01％;Si1-xGex/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰,而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹,表明晶格质量和界面质量都很好;Si1-xGex/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在.     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si     

红外热成像列阵组件检验结构

美国专利US7462920 (2008年12月9日授权)本发明提供一种红外热成像列阵检验结构及其制作方法。该检验结构的实施步骤如下:制备单器件型敏感器件,通过在低温下进行测量和定标以及改变温度和电压的方式检验温度变化时的光电子测量值;制备焦平面列阵,检验光电子均匀性并测试暗电流均匀性;制备焦平面列阵和读出集成电路并检验它们的连接和减薄情况;用铟柱焊接方法将焦平面敏感组件与读出集成电路连接起来;用敏感列阵组件进行光电信号转换;对热图像质量的综合测试进行检验;调节最佳驱动和控制输出参数,对敏感组件的热图像质量进行分析和测试;制作热成像列阵组件,至此,热成像列阵组件原型便制作完毕。本发明可以克服传统的热成像敏感材料、异质结、成像结构以及制作工艺的缺点,同时还可以提高制备各     

在汞蒸汽等离子体中溅射Cd_xHg_(1-x)Te薄膜

引言 Cd_xHg_(1-x)Te化合物的电性能随x值而变化,x>0.15时是半导体,x<0.15时是半金属。其中小禁带宽度的合金(0.18相似文献   

"声音质量主观评价用节目源标准样品"的论述

结合标准样品的基本概念,对节目源标准样品进行理论分析,并对几个主要的特性进行了介绍.电声产品和电声产品的声音质量(音质)是个心理量,它需要通过音质主观评价来获得结果,并用评价尺度来表示它的大小.同任何一个检测结果一样,音质主观评价结果同样必须具有溯源性和离散性这两个属性.标准样品的主要特性包括:溯源性、均匀性及稳定性、测量不确定度等.有证节目源国家标准样品的成功研制,对促进音质主观评价事业的技术发展和提高国内音响产品的音质水平具有重大意义.     

GaN1-xPx三元合金的MOCVD生长

用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P 组分的GaN1-xPx三元合金.俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1 -xPx中P的掺入量最高达到20%且分布均匀;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga-P键的存在.对不同P组分的GaN1-xPx样品进行了低温光致发光 (PL)测试,与来自GaN衬底的带边发射相比,随三元合金中P组分的变化,GaN1-x Px的PL峰呈现出了不同程度的红移.在GaN1-xPx的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰,表明该合金材料没有发生相分离.