综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

SiCl_4-H_2外延系统的Si迁移反应

本文用热力学方法研究了SiCl_4-H_2外延系统中的各种腐蚀反应和沉积反应。所得结果可以用于认识硅外延生长过程中的硅迁移效应。     

钽在集成电路中的应用

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽，碳化钽，氮化钽，硅化钽，氮化硅化钽，氮化碳化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。     

访问美国“硅谷”观感——发展硅材料工业刻不容缓

今年六月初,上海有色金属研究所副所长兼总工程师曹国琛赴美国“硅谷”进行考察,参观了有关工厂的生产车间、部件、组装调试和检验车间,应用实验室、测试检验室,设计室,超净试验室,酸洗间以及劳动防护等设施;参观了红外辐射加热外延炉、等离子刻蚀设备、高频等离子沉积设备、减压化学气相沉积系统、高压硅连续氧化系统、光刻机、单晶炉、无腊抛光机等新型先进设备;还参观了世界闻名的斯坦福大学的电子加速器试验车间,并应邀参加了AMI外延设备工艺技术讨论会;曹国琛高级工程师还就半导体材料、设备的发展前景,多晶硅、单晶硅、太阳能级硅、硅的外延生长、减压CVD等工艺技术和经济效益问题,     

硅外延的新工艺——低温液相外延

据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸     

电沉积硅技术的历史和发展趋势

介绍了沉积硅的几种方法。常规的沉积方法为固体粉末法和气相沉积法。固体粉末法要消耗大量的硅铁，且硅层存在气孔；气相沉积法由于涉及气体，其保护措施和密闭性的严格要求使其应用受到了严格的限制。新型的沉积方法为电沉积法。电沉积法涉及高温熔盐，但其所得渗硅层质量性能良好，很受国外工作者的欢迎。本文介绍了各方法的影响因素，回顾了电沉积硅的历史，指出电沉积硅法具有良好的发展趋势。     

电炉铁合金除尘灰的研发及应用

介绍了硅钡钙（SiBaCa）、硅铝铁（FeSiAI）合金的生产过程。河南奥鑫合金有限公司利用冶炼硅钡钙（Si—BaCa）和硅铝铁（FeSiAl）过程中收集的除尘灰（工业废弃物）研制生产蒸压砖,不仅使废弃物得到综合利用,增加企业经济效益,而且有效地解决了铁合金除尘灰对环境二次污染的难题。     

生产4英寸硅片的分子束外延设备

据日本电报电话公用公司报道,由该公司设计,经Anelva公司制造的硅分子束外延设备能大量生产4英寸的硅外延片。生产一片外延片需20分钟,最高的生长速率为20(?)/s。硅片沉积室50cm~3。硅片可以旋转,整个片子上的厚度均匀性变化<±5％。掺杂剂为锑,掺杂均匀度变化<±10％。均匀度的变化反应整个硅片上温度变化±5℃。加     

集成电路用硅基材料分离纯化技术的应用研究进展

硅基材料是集成电路制程中的关键材料之一，广泛应用于外延、化学气相沉积、离子注入、掺杂、刻蚀、清洗、掩蔽膜生成等工艺。硅基材料的纯度直接影响着集成电路的性能、集成度、成品率。文章阐述了在集成电路用硅基材料中应用较多的分离纯化技术的原理与应用进展，包括吸附精馏、络合精馏、亚沸精馏、减压精馏、光氯化、循环过滤等，比对了各种分离纯化技术的优缺点，并对硅基材料提纯的前景进行了分析和展望。     

不同喷射沉积工艺对硅铝合金组织的影响分析

文章介绍了采用自行开发的喷射沉积装置制备硅铝合金坯件，并分析了不同喷射沉积工艺对硅铝合金组织及性能的影响。     

刀具涂层技术的研究现状和发展趋势

结合近年来刀具涂层技术的发展状况,介绍了各种刀具涂层材料,结构以及制备方法。将涂层材料分为硬涂层与软涂层进行了介绍。综述了各种涂层结构。刀具涂层的制备方法包括化学气相沉积法（CVD）、物理气相沉积法（PVD）、等离子体化学气相沉积法（PCVD）和溶胶-凝胶法（Sol-Gel）等。介绍了刀具涂层工艺的研究现状,并对刀具涂层的发展方向进行了探讨。     

喷涂角度对HVOF喷涂WC-10Co-4Cr涂层性能的影响

随着超音速火焰喷涂技术的迅速发展,工业上需要耐磨处理的工件的外形复杂性问题越来越突出,喷涂过程中需要多种角度进行喷涂.本文用GTV-K2喷枪喷涂WC-lOCo-4Cr,对不同角度喷涂的涂层性能进行了研究.结果表明:(1)60(°)以下,随着喷涂角度的增加,粉末的沉积效率逐渐升高;(2)60(°)到90(°)之间,沉积效...     

双丝电弧喷涂方法制备功能梯度涂层

本文介绍了一种从粘结层到面层成分和性质逐渐不同的功能梯度涂层(FGC).在涂层制备过程中,使用了混合喷嘴,采用双丝喷涂工艺.为了提高涂层与基体的结合力,首先在基体上喷涂金属丝材作为粘结层,为提高涂层的耐磨性,又将粉末状的硬质材料喷射到含有大量的熔融丝材的火焰中制备出面层涂层.结果表明,功能梯度涂层是由纯金属部分和含有硬...     

钼及钼合金粉末冶金技术研究现状与发展

系统总结了钼及钼合金粉末冶金技术的研究进展和工业应用现状。分别论述了钼粉末冶金理论、超细(纳米)钼粉、大粒度(和高流动性)钼粉、高纯钼粉、新型钼成型技术、新型钼烧结技术、钼粉末冶金过程数值模拟技术等7个研究方向的技术原理、技术特点、设备结构和工业应用现状,并分析其发展前景。     

黄金（有色）行业建设项目安全预评价

黄金（有色）行业建设项目的安全预评价主要分为黄金（有色）矿山建设项目安全预评价和黄金（有色）冶炼建设项目安全预评价。阐述了黄金（有色）矿山建设项目的安全条件论证、安全预评价和安全预评价报告审查,黄金（有色）冶炼建设项目（危险化学品）的安全条件论证、安全条件论证报告和安全评价报告审查,黄金（有色）冶炼建设项目（非危险化学品）安全条件论证、安全预评价和安全预评价报告审查;介绍了安全预评价的有关基础资料和评价内容;为黄金（有色）行业建设项目,提供了必要的科学依据。     

热连轧HSLA钢Q345B减量化生产实践

介绍了安钢1780 mm热连轧机组低合金高强度结构用钢(HSLA)Q345B的减量化生产,该减量化主要采用降低Mn含量,并添加适量的钛微合金元素、优化冶炼工艺、降低钢中N、S含量和优化轧制工艺等措施,降低生产成本,达到减量化生产的实践经验。     

电磁连铸冶金技术及应用现状

论述了电磁技术在连铸过程中的应用现状,介绍并分析了电磁搅拌、电磁制动和软接触电磁连铸技术的特点,同时对国内外钢的电磁连铸技术应用现状进行了评述。     

甲烷部分氧化的热力学模拟研究

甲烷部分氧化制备合成气对于提高天然气的利用价值具有重要的意义。甲烷部分氧化反应是一个非常复杂的反应体系。反应涉及部分氧化（主反应）、燃烧、重整、水煤气变换、积炭等。使用Aspen Plus和HSC Chemistry软件对甲烷部分氧化制备合成气过程进行热力学模拟计算。考察了温度、压力和CH4/O2比对CH4转化率、氢和CO选择性的影响。同时对甲烷部分氧化反应热力学平衡产物组成和积炭副反应进行了热力学计算分析。研究结果表明,随反应温度的升高,压力的减小,CH4的转化率和CO与H2的选择性均呈上升趋势。反应温度在300℃时就有相当多的积炭生成,在550℃积炭量达到最大,随后又随温度上升,积炭量逐渐减少,在900℃以上无积炭产生。     

超低压等离子喷涂技术及应用

超低压等离子喷涂技术是热喷涂领域出现的一项新技术。该技术融合了传统等离子喷涂技术以凝固为主形成涂层和气相沉积技术以气/固方式沉积薄膜的特征。该技术适合快速大面积薄涂层制备,可实现涂层微结构控制(层状结构、柱状结构及混合结构涂层)。本文主要介绍了超低压等离子喷涂技术的特点、分类、设备组成,重点介绍了该技术的潜在应用。     

昆钢铁矿山重组库存矿石盘点管理与使用

介绍了昆钢铁矿山重组库存铁矿石盘点工作,昆钢四铁矿山（原八街矿、原王家滩矿、原罗次矿、原上厂矿）库存矿石盘点量、质、价（成本）情况以及库存铁矿石配矿进厂使用等相关工作。