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本文叙述了影响光刻伺服图形质量的各种因素,主要可分为磁盘光刻过程中半导体工艺产生的质量误差和机械定位不准产生的伺服图形偏心误差,并提出了消除产生误差的可行措施。 相似文献
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本文叙述了应用微移定位系统实现磁盘光刻伺服图形的精确定位,有效地提高磁盘存储器的道密度,这种方法将成为开发新一代大容量磁盘存储技术,有着良好的发展前景。 相似文献
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利用半导体精微集成技术,将现有多相伺服砖转化为磁盘光刻伺服图形,这种伺服编码形式能够反映磁头位置编码磁化翻转,供磁头快速定位、跟踪、找道、读出伺服信息,进一步提高了磁盘的道密度。 相似文献
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本文论述了光头调焦控制系统的研制过程,对光刻伺服磁盘几种调焦误差信号形成方法进行了讨论和实验分析。结果证明,该系统能使激光光束通过光头后良好地聚焦于磁盘表面,达到光刻要求。 相似文献
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本文论述了光头调焦控制系统的研制过程,对光刻伺服磁盘几种调焦误差信号形成方法进行了讨论和实验分析。结果证明,该系统能使激光光束通过光头后良好地聚焦于磁盘表面,达到光刻要求。 相似文献
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王雪珍 《精细与专用化学品》2009,17(9):12-14
光刻是半导体产业常用的工艺.借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程,不过其所用化学品不同。 相似文献
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随着光刻伺服磁盘道密度的提高,要求必须具有定位精度高的驱动定位系统相匹配。本文磁头驱动定位系统中采用了电致伸缩陶瓷和压电陶瓷微位移器作二级定位技术,提高了磁头定位精度。 相似文献
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高玻璃化温度化学增幅光致抗蚀剂的制备 总被引:2,自引:2,他引:0
本文合成了一种具有高玻璃化温度的苯乙烯和N-(4-羟基苯基)马来酰亚胺的共聚体,并将其应用于紫外负性水型化学增幅抗蚀剂中,并初步确定了该光致抗蚀剂的光刻工艺操作条件,得到了分辨率为1.39μm的光刻图形. 相似文献
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本文叙述苯乙烯与N-(4-羟基苯基)马来酰亚胺共聚体的合成方法,并用它作为重氮萘醌系紫外光致抗蚀剂成膜树脂,得到了高分辨率(1.6μ)的正性图形,光刻图形的耐热形变温度达到了240℃以上。 相似文献
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采用5m^3聚合釜进行稀土催化系合成异戊光刻原胶的试生产。试生产结果验证了中试成果。双螺带锚式搅拌器结构的聚合釜适用于稀土异戊光刻原胶的工业化生产。借聚合反应热可提高聚合反应温度,这样既降低能耗又缩短了聚合反应时间,并提高聚合釜生产能力。聚合釜的容积比中试聚合放大9倍,无明显的放在效应,且可使聚合反应操作更富于弹性。工业试生产的光刻原胶质量符合部合同要求。 相似文献
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甲酚醛树脂—HMMM负性水型化学增幅抗蚀剂的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
吴兵 《感光科学与光化学》1998,16(2):154-160
本文利用二苯碘盐为光敏产酸物,吩噻嗪为敏化剂,配制了一种甲酚醛树脂———六甲氧基甲基三聚氰胺(HMMM)负性水型紫外化学增抗蚀剂,并研究了光敏产酸物和增感剂对体系光敏性的影响及体系中存在的拉平效应,通过优化后的光刻工艺条件得到了分辨率为1.24μm的光刻图形. 相似文献
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美国Wittmann公司(康涅狄格州托灵顿城),推出了一个新型顶部出口的全伺服机器人,该机器人能以极快速度切削薄壁零件(例如手机组件)。样机W621 UHSS(超高速伺服)是一个新型的三轴样机,有效载荷为6.5磅,塑件卸取时间为0.33秒。其配备的新型CNC6.2控制系统附带有指导箱,不仅可对简单操作进行图形编辑,还可对复杂程序进行文本编辑。 相似文献