一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计

设计了一种电源输入模块，可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术，基于0．35μm、5V的低压CMOS工艺，可耐受高达12V的供电电压输入。该模块可用于高度集成的电源管理芯片，使之能适用于多种电源，并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响。     

一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。     

高精度低温度系数带隙基准电压源的设计

基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃～125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.     

一种工作在亚阈值区的CMOS基准电压源设计

提出了一种在低电源电压下工作的CMOS电压基准源,其基准电路采用工作在亚阈值区的nMOS晶体管和自偏置的共源共栅晶体管组合,该电路基准电流产生部分采用两个负反馈回路,确保了基准电流的稳定性.该电路采用标准的0.5 μm CMOS工艺,用Cadence中的Spectre仿真.在fs工艺角下,27℃时基准电压为1.52 V,在120℃范围内(-20℃～100℃)的温度系数可低至31.33 ppm/℃.     

基于改进共源共栅电流镜的第三代电流传输器

第三代电流传输器CCⅢ(The Third Generation Current Conveyor)的基本模型由于采用基本电流镜,使得电路的DC和AC性能偏低。本文采用不同于原电路的电流镜结构,应用共源共栅电流镜和改进共源共栅电流镜(改进共源共栅电流镜具有较大的输出阻抗)提出了一种高性能电流传输器电路结构。     

一款适于音频ADC的共源共栅放大器设计

设计了一款适合于16位Sigma-delta调制器的增益增强型共源共栅运算放大器.该运算放大器主要采用套桶式共源共栅结构,带有一个开关电容共模反馈电路,并采用增益提高技术提高放大器的增益.运算放大器采用和舰0.35um mixed-signal CMOS工艺设计,直流增益可达到97.7dB;负载电容为4 pF时,单位增益频率为203MHz,满足了对模数转换器高速度和高精度的要求.     

折叠式共源共栅放大级的增益提升方法

折叠式共源共栅结构在折叠处引进的电流源降低了输出电阻,从而使增益大幅度降低.针对这一缺陷,论文提出的设计思路是用电流镜代替折叠式,避免输出电阻的下降,扶而使增益得到提升.分析和仿真表明,改进的结构能在保持功耗、频响、芯片面积等各方面性能相同的情况下有力地提升了增益.     

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.     

低功耗高性能的全MOS电压基准源设计

设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。     

一种低功耗差动CMOS带隙基准源

设计了一种采用0.6μmCMOS工艺的低功耗差动带隙基准电压源电路.在设计中采用两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响,并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性.这种带隙基准源输出电压为2V,功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃,主要适用于高精度模拟系统,并带有提高电源抑制比电路和启动电路.     

Stiction-protected MEMS switch with low actuation voltage

Microsystem Technologies - Commercial success of microelectromechanical systems (MEMS) switches is limited by several issues. A high actuation voltage requires special circuitry solutions that...     

一种消除失调电压的低温度系数带隙基准电路

提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路,并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关,使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35μm工艺设计。仿真结果表明,此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配,温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V～3.3 V、工作温度为-40℃～+70℃且工作在1.8 V常温下时,电路的工作电压为1.144 3 V,总电流为29.13μA,低频处的电源抑制比为-70 dB。     

A low voltage vertical comb RF MEMS switch

Design and simulations of a novel RF MEMS switch is reported as a solution to many RF wireless applications. A new comb structure for RF MEMS switch is proposed for low voltage and high frequency operations. Isolation degree and actuation voltage, both improved by the new structure. The mechanical and electromagnetic simulation results show better performance for this new switch compared to parallel plate switch. The simulation is done by the intellisuit and HFSS softwares. The Simulation results show that the actuation voltage is decreased by 13% and the linearity of the switch displacement with respect to the actuation voltage is improved by 22% compared to the parallel plate structure. The HFSS simulation results indicate an insertion loss better than 0.33 dB at 50 GHz and isolation greater than 13.4 dB at 50 GHz.     

一种EEPROM中高压产生电路的设计与实现

设计了一种应用于EEPROM的低电源电压的片内升压电路。基于电压倍乘电路,获得两倍于电源电压的驱动电压,用来驱动高压电荷泵电路得到EEPROM擦写用的15 V高压,实现EEPROM在1.3 V电压下稳定的工作。同时,基于负温度特性的电压分压电路实现电荷泵输出高压的负温度特性,提升了存储器在整个工作温度范围(-40℃~85℃)内的可靠性。设计的高压产生电路在0.13μm Embedded EEPROM CMOS工艺实现,工作电压为1.3 V~1.75 V,面积大小为600μm×80μm。     

一种新型低电压LVDS发送器设计

本论文给出一种用0.18μm的CMOS工艺设计,工作电源电压是1.5V,可实现为2.5Gbps数据流的发送的LVDS(Low Voltage Differential Signal)发送器.为了补偿长距离高速传输的高频信号衰减,发送器对信号的高频部分进行了预加重.通过数字控制,可以让发送器工作在有/无发送端匹配电阻的不同状态,可以针对不同的信道条件选择工作模式.在有发送端匹配电阻存在的情况下,发送器在单端输出摆幅480mV的情况下消耗平均功率为34.2mw.     

低功耗带隙基准电压源电路设计

文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明,在tt工艺角下电路的启动时间为6.64μs,稳定输出的基准电压V_(ref)为567 m V;当温度在-40℃~125℃范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的温度系数TC为18.8 ppm/℃;电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时,tt工艺角下基准电压V_(ref)的线性度为2 620 ppm/V;在10 Hz~1 k Hz带宽范围内,tt工艺角下基准电压V_(ref)的电源抑制比(PSRR)为51 d B;版图核心面积为0.001 95 mm~2。     

Comprehensive review of low pull-in voltage RF NEMS switches

Microsystem Technologies - The present study focuses on state-of-the-art of the demand, operating principles, design parameters, different materials for beam and dielectric, already existing...     

模块化低压配电装置的研究应用

针对现有配电箱功能和结构的设计不足,设计开发了智能型模块化台区低压配电装置。装置采用模块拼装结构,将进线单元、出线单元和补偿单元设计为标准化的独立箱体,现场安装或检修更换时,根据需求组合连接所需的各功能单元。装置的内部器件设计为标准化安装模块,后期检修或更改功能配置时,增加或更换所需的器件模块即可,大幅提升了配电装置的经济性、灵活性和可扩展性。装置强化了在功能结构上的保护隔离措施,充分保障运维检修的可靠性、快速性和安全性。装置优化了电能质量综合治理功能,改善了无功补偿实现方案,增加三相不平衡补偿单元,进一步提高台区电能质量和经济运行水平。通过在试点台区的实际运行,验证了装置设计方案的可行性,最终形成可推广应用的定型产品。     

低功耗霍尔电压放大器

基于霍尔传感器低功耗的要求,设计一种低功耗、可以放大微弱霍尔电压的放大器.利用MOSFET工作在亚阈区超低功耗特性,设计一种CMOS二级运算放大器.这种亚阈区放大器结构简单,工作在2.5V～3.5V电压下,电路开环增益可以达到90dB.     

一种全CMOS低功耗基准电压源的设计

基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET阈值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8 V的条件下,输出电压为364.3 mV(T=27℃),温度系数为6.7 ppm/℃(-40℃~+125℃),电源抑制比达到-68 dB@10 kHz,功耗为1.3μW。