溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

Fe^3＋取Dawson型磷钨多杂酸掺杂聚吡咯H2O2传感器的研制

通过电化学方法Ｆｅ＾３＋取代的Ｄａｗｓｏｎ型磷钨杂多阴离子掺杂于聚吡咯薄膜内，制备成ＰＰＹ／Ｐ２Ｗ１７ＦｅＨ２Ｏ２传感器。研究了它对Ｈ２Ｏ２电化学还原过程的催化作用，催化电流与Ｈ２Ｏ２浓度在７．５×１０＾－５－８．０×１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系，用于水溶液中Ｈ２Ｏ２浓度的测定，结果满意。     

溶胶-凝胶法制备V2O5 薄膜的气敏特性研究􀀁

西方研究了用无机溶胶凝胶法制备的Ｖ２Ｏ５薄膜的ＸＲＤ结果及其气敏特性。凝胶在４００℃下烧结１２ｈ后完全形成了Ｖ２Ｏ５晶体。掺３ｗｔ％Ｐｄ＋１ｗｔ％Ａｕ的Ｖ２Ｏ５薄膜在较大范围内对乙醇具有较高的灵敏度。加热电压为５．５Ｖ时灵敏度达到最大值。该气敏薄膜具有较好的选择性,ＮＨ３、Ｈ２、ＣＯ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３等气体不干扰元件的测量。元件的响应时间为１５ｓ,恢复时间为５ｓ。     

TAA薄膜NO_2气敏元件的特性研究

用真空升华方法制作了ＴＡＡ薄膜ＮＯ２气敏元件，并研究了其室温条件下的响应特性．结果表明：该元件在室温下对ＮＯ２具有较高的灵敏度，可检测空气中含１×１０（－６）的ＮＯ２气体．该元件在１．７×１０（－６）～１７×１０（－６）浓度范围内对ＮＯ２呈线性响应，响应时间在３０ｓ内，恢复时间为几分钟的数量级。     

Sn掺杂对MOCVD—Fe2O3薄膜型气敏元件的影响

本文以四甲基锡为掺杂源，用ＭＯＣＶＤ技术在小瓷管沉积了Ｓｎ掺杂的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，Ｓｎ的掺杂保持了Ｆｅ２Ｏ３薄膜原有的气敏规律和快速响应特性，却使元件的电阻得以降低，同时抑制了薄膜中颗粒的生长，提高了元件的长期稳定性。     

电导型CuO—BaTiO3系CO2气体传感器

本文研究了以ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ_３作为对ＣＯ_２敏感的基体材料,用金属或金属氧化物进行掺杂以提高其对ＣＯ_２气体的灵敏度．经过比较发现以Ａｇ掺杂的ＣｕＯ－ＢａｉＴＯ_３材料具有较低的工作温度,较高的灵敏度．ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ_３的ＣＯ_２气体传感器检测的浓度范围为１００ ×１０~(－６)～１０％．ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ_３的 ＣＯ_２气体传感器具有较好的稳定性和选择性．     

环境因素对番茄单叶净光合速率的影响

论述了环境与番茄净光合速率间的关系及番茄净光合速率的日变化规律，在日光温室番茄光饱和点和补偿点范围内的光 光合曲线呈直角双曲线型，光饱和点为１３６１．４９μｍｏｌ·ｓ－１·ｍ－２，光补偿点为３７．０５μｍｏｌ·ｓ－１·ｍ－２，最大净光速率为１７．７０ｍｇＣＯ２·ｄｍ－２·ｈ－１。番茄在７～５０℃之间均有净光合，其温度 光合曲线呈抛物线型，且光合作用适宜温度范围为２４～３４℃，最适温度为２６～３２℃。光照度在１０２３．７５μｍｏｌ·ｓ－１·ｍ－２时，ＣＯ２饱和点为１９２５μＬ·Ｌ－１；光照度在５２６．５μｍｏｌ·ｓ－１·ｍ－２时，ＣＯ２饱和点为１７１８μＬ·Ｌ－１；光照度在３１２μｍｏｌ·ｓ－１·ｍ－２时，ＣＯ２饱和点为１７２１μＬ·Ｌ－１，但ＣＯ２补偿点为５７．１～７１．７μＬ·Ｌ－１，不同光照度间差异不大。番茄净光合速率日变化呈双峰曲线，但中午时的“午体现象”不明显。在正常的生产条件下，ＣＯ２浓度乃是经常的限制因子。因此，生产上人工施用ＣＯ２对提高番茄产量具有重要意义。     

高选择性γ—Fe2O3LPG元件的研制

利用共沉淀法合成了γ－Ｆｅ２Ｏ３敏感基料，通过Ｃｒ２Ｏ３的掺杂研制出具有高选择性，灵敏度，抗湿性和稳定性的ＬＰＧ气敏元件     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

掺杂对MOCVD—SnO2薄膜气敏性能的影响

本文在小瓷管上用ＭＯＣＶＤ技术沉积ＳｎＯ２气敏薄膜，研究了Ｐｄ，Ｔｈ掺杂对该ＳｎＯ２元件气敏性能的影响。掺杂Ｐｄ使元件对乙醇，汽油的灵敏度均增大，而掺杂Ｔｈ则仅提高对了对乙灵敏度，对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不肥汽油干扰的乙醇敏感元件。     

组织电极测定神经递质组胺的研究

研制了一种用猪肾修饰的碳糊电极，线性范围为１×１０－５～４．５×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１，检出下限为２．５×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１，并能较好地抵抗组氨酸的干扰。文章对组胺在电极表面的反应机理作了探讨。     

新型稀土电极—水膜及PVC膜钐离子电极的制备

本文研究了新型稀土电极－水膜及ＰＶＣ膜钐离子电极的制备。水膜钐电极对低介电常数有机溶剂－磷酸三丁酯中的三价钐离子具有能斯特响应，响应曲线斜率为１９ｍＶ／ｐＣｓｍ＾３＋，线性范围是１．０×１０＾－４－１．０×１０＾－２ｍｏｌ·ｄｍ×－３，支持电解质和液接电势不影响响应典型的斜率。     

用PECVDS制备SnO2薄膜的结构,成份和气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ 玻璃基片上制备出适合研制气敏感传感器的低电阻率ＳｎＯ２薄膜，Ｘ－线衍射分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ２薄膜从多晶态转变为非晶态，同时薄膜的电阻增加。Ｘ光电子能谱显示这种ＳｎＯ２薄膜是一种非化学计量配比成分的薄膜，其分子式为ＳｎＯ２ｘ，沉积时，氧气流量增加，该薄膜的电阻率随之增加。掺Ｓｂ的ＳｎＯ２薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性。     

表面涂层对掺杂α—Fe2O3烧结型气敏元件敏感特性的影响

本文对掺杂α－Ｆｅ２Ｏ３烧结型气敏元件的表面涂上混合α－Ａｌ２Ｏ３和Ｍｎ２ｏ３的浆料，干燥烧结而成新型半导体气敏元件，测试了该气敏元件对甲烷，丁烷，乙酵气体的敏感顺序，阻温特性和长期稳定性。     

硅基热线式气敏元件及其特性􀀁

利用射频溅射在硅衬底上制作Ｐｔ膜电极,以溶胶－凝胶法制作的低阻ＳｎＯｘ为敏感层制成平面热线式气敏元件。研究了工艺条件,掺杂行为及其对气敏特性的影响,掺Ｓｂ及Ｐｔ石棉在７００℃烧结１．５ｈ的元件对Ｈ２,ＮＨ３灵敏度较高。     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

多晶SiC薄膜的生长及其压阻特性

在Ａｒ、ＣＨ４的混合气体中用反应性磁控溅射法生长了多品ＳｉＣ薄膜。溅射靶使用了单晶硅片。ＳｉＣ薄膜的生长速率１０～４０ｎｍ／ｍｉｎ。Ａｒ的分压为６０ｍｔｏｒｒ（１ｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐａ，以下同），ＣＨ４的分压为４０ｍｔｏｒｒ，衬底温度为７５０℃时，薄膜具有显著的多晶特性。杂质浓度、Ｈａｌｌ迁移率、电阻率分别为１０（１８）ｃｍ（－３）、１０ｃｍ（２）／Ｖ·ｓ、１０（－１）１０（－２）Ωｃｍ。压阻系数约为１５。     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

监测微生物代谢过程的CO_2气体传感器

发现培养基中氨基酸和微生物代谢产物对聚四氟乙稀透气膜的湿润作用，两侧溶液通过膜发生液接使ＣＯ２电极失效。分析了氨基酸类物质对聚四氟乙稀透气膜的湿润作用机理。硅橡胶透气膜能较好地排除微生物培养溶液中氨基酸和微生物代谢产物对测量的影响。在溶液ＣＯ＿２浓度为（１０－４～５×１０－１）ｍｏｌ／Ｌ范围内，与用气相色谱法得到一致的测量结果。     

磷钨杂多酸聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性能研究

在玻碳电极（ＧＣ）上，用电化学方法将Ｄａｗｓｏｎ型磷钨杂多酸盐Ｋ６Ｐ２Ｏ１６Ｏ６２．１０Ｈ２Ｏ的阴离子（Ｐ２Ｗ１８）掺杂到聚吡咯（ＰＰＹ）膜中，制成了Ｐ２Ｗ１８／ＰＰＹ／ＧＣ化学修饰电极。此电极既保持了该杂多酸的电化学活性和电催化性能，又具有良好的稳定性和灵敏度，在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液中，掺杂在聚吡咯薄膜中的Ｐ２Ｏ１８的第一个还原峰对ＮＯ２离了的电还原具有很了的催化活性，催化峰电流与亚硝