光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型

本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。     

F／Cl比与BaFCl：Eu^2＋中的F心

BaFCl:Eu~(2+)是一种优良的X射线存储成像材料,其X射线存储及光释光过程与晶体中的F心有紧密关系。本文制备了BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)系列粉末样品。利用正电子湮灭技术及光谱手段,测得这些样品的正电子湮灭谱和光激励谱。我们分解了3种不同F/Cl配比的光激励谱,得到443nm和561nm附近的2个峰,其相对强度随F/Cl比的不同发生了变化,而峰位并未改变。其实验结果表明:当其晶体中的F/Cl<1时,可以有效地产生F~-离子的空位缺陷。而当F/Cl>1时,不利于Cl~-离子空位缺陷的形成。另外,我们简单地讨论了BaF_xCl_(2-x):Eu~(2+)系列样品光激励发光强度的变化。     

应变硅的应变量表征技术

本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法:Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考。     

钛和氘化钛的电子谱特征

在ＳＤＬ－１２型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化太钛（ＴｉＤ１．７）能量损失谱（ＥＬＳ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ｔｉ２ｐ１／２，２ｐ３／２能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下５－１１ｅＶ出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ｔｉ→Ｄ。     

基于中红外光谱分析技术的凯夫拉纤维分子特性与热稳定性研究

采用中红外(MIR)光谱开展了凯夫拉纤维的分子结构研究.实验发现:凯夫拉纤维分子的红外吸收模式主要包括:νNH-凯夫拉纤维、νamide-Ⅰ-凯夫拉纤维、νamide-Ⅱ-凯夫拉纤维、νC=C-凯夫拉纤维、βC-H-凯夫拉纤维和 γC-H-凯夫拉纤维.进一步开展了凯夫拉纤维分子的四阶导数变温中红外(TD-MIR)光谱研...     

碳包覆铁碳化合物的爆轰合成及表征

以Fe（NO3）3，CO（NH2）2和萘为原料，掺入一定量黑索金（RDX），在真空的爆炸容器中引爆，从而制备出碳包覆铁碳化合物的纳米材料。通过XRD，TEM以及Raman等检测手段对所得爆轰产物进行表征。结果表明，产物由碳包覆Fe2.5C以及富勒烯组成，其中，包覆结构以无定型碳作为外壳，将Fe2.5C内核完全包覆起来。利用爆轰法制备碳包覆材料，方法简单、迅速，节省能源。     

多量子阱红外探测材料的光致荧光谱

在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长.计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作.同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3.     

用Raman光谱研究纤维复合材料

本文以Raman光谱方法的基本原理为依据,结合纤维复合材料研究对结构表征和性能测试技术的要求,评述了Raman光谱在本领域中应用所取得的成果。通过分析在测定界面应力分布、评价界面性质、表征界面和基体结构、测量残留应力等方面应用Raman光谱所遇到的问题,探讨了在研究纤维复合材料本构关系和跟踪复合材料加工过程等领域采用现代Raman光谱技术的前景。     

纳米TiO2的Raman光谱研究进展

Raman光谱是研究纳米TiO2结构的最常用工具之一.纳米T2O2的Raman光谱研究是建立在以前对TiO2体材料的Raman光谱研究的基础之上.但是纳米TiO2与体相材料的表面性质和结构有较大的不同,其Raman光谱会产生明显变化.研究人员对纳米TiO2的Raman光谱已展开研究.本文概述了晶粒大小、结构、氧空位、退火温度、压力、相组成等因素对纳米TiO2的Raman光谱的影响.     

Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米棒的水热合成与Raman光谱研究

以Bi（NO3）3·5H2O，Nd（NO3）3·6H2O和Ti（OC4H9）4为原料，NaOH为矿化剂，聚乙烯醇-124（PVA-124）为模板剂，采用水热法在2OO℃经48h合成了铋层状钙钛矿结构Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNdT）纳米棒。利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM），选区电子衍射（SAED）和扫描电子显微镜（SEM）研究产物的物相和显微结构特征．结果表明合成的BNdT纳米棒为单晶，直径约10～200nm，长度达数微米。Raman光谱分析表明，Nd离子取代了类钙钛矿层中A位的Bi。     

中频磁控反应溅射制备c轴择优取向AlN薄膜

通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.     

X光电子谱术

介绍了光电子谱术的基本原理，谱图解释和化学态的确定等基本问题，它们是入门必需的。同时也给出了进一步了解光电子谱术的资料。     

钛和氘化钛的电子谱特征

在SKL－12型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化钛（TiD1.7）能量损失谱（ELS）和X射线光电子谱（XPS）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ti2p1/2，2p3/2能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下5～11eV出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时，钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ti→D。     

掺Er-Al2O3薄膜发光特性的研究

通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.     

a-SiNx∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究

采用微区Raman谱 ,并结合红外透射测量研究了等离子体增强化学气相沉积方法制备的不同氮含量的a SiNx∶H样品退火前后TO模及TA模与样品微结构的关系。结果表明 ,氮的引入主要影响了第二近邻以外的中等程序的有序度 ,因而随N含量增加 ,TA模相对于TO模的强度增加且频率有较大的蓝移 ,TO模的频率及半高宽则变化较小。N的引入使得样品在750℃ (高于a Si∶H的晶化温度 )退火时不能结晶。退火引起大量H的逸出 ,使得样品的缺陷态密度大大增加 ,导致TO模和TA模均有大的红移 ,TO模的半高宽也急剧增加 ,并且在 492cm- 1 出现了退火前较难观察到的代表Si3 N呼吸模的振动峰     

改善AES／XPS深度剖析的一种方法：减小电子平均自由程对深度剖析的影响

AES／XPS结合离子刻蚀得到的深度剖析曲线和在薄膜分析中十分有用，但由于AES／XPS信号来自表面3－5个电子平均自由程内所有原子的贡献，因此如果薄膜很薄，那么测到的深度剖析曲线并不能反映实际的浓度随深度的变化，本通过简单的数学运算，基本消除了由于电子平均自由程对深度剖析曲线的影响，从而得到很好的浓度随浓度变化的曲线。     

改善AES/XPS深度剖析的一种方法:减小电子平均自由程对深度剖析的影响

AES/XPS结合离子刻蚀得到的深度剖析曲线在薄膜分析中十分有用.但由于AES/XPS信号来自表面3～5个电子平均自由程内所有原子的贡献,因此如果薄膜很薄,那么测到的深度剖析曲线并不能反映实际的浓度随深度的变化.本文通过简单的数学运算,基本消除了由于电子平均自由程对深度剖析曲线的影响,从而得到很好的浓度随深度变化的曲线.     

多壁碳纳米管的球磨特性及其嵌锂行为

采用Raman光谱、TEM和恒流充放电技术研究在石油醚介质中球磨不同时间的多壁碳纳米管的结构、形貌和电化学嵌锂行为的变化.结果发现,球磨1h和5h,多壁碳纳米管的典型Raman峰强度随球磨时间的增加而降低,说明碳纳米管中的缺陷增多,管径变小,管长变短;但球磨5h和10h的峰强度相差不大,说明在石油醚介质中经一定时间球磨后再延长时间对其结构几乎无影响;且球磨前后Raman谱G线和D线的强度之比几乎不变,球磨对其石墨化程度影响不大.随球磨时间增加,可逆嵌锂容量相应增加.并分析了原因.