退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。     

Ba铁氧体溅射薄膜的研究

研究了射频溅射制备Ｂａ铁氧体薄膜的成膜条件对晶化、晶体结构及磁性能的影响。我们的工作表明，为了使射频溅射Ｂａ铁氧体薄膜形成磁铅石结构的晶体，基板温度需高于６００℃，更高的基板温度可获得好的Ｃ轴垂直取向。非晶膜经热处理晶化所需温度要比直接溅射温度高得多。过大、过小的氧气分压不利于垂直膜的生成。使用挡板对最小溅射角限制以后，可在小的基板－靶间距情况下定得Ｃ轴垂直取向的薄膜。     

Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积和快速…

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。Ｘ射线衍射，卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ＾２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层

用双离子束辅助沉积（ＩｏｎＢｅａｍＡｓｉｓｔｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＩＢＡＤ）方法在Ｎｉ－Ｃｒ合金上合成了具有（００ｌ）择优取向，平面双轴排列的ＹＳＺ膜（Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２）作为ＹＢＣＯ超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角５４０左右时可获得最佳的（００ｌ）择优效果。８０００Ｃ高温退火后其结构有较大的改善。在其上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＹＢＣＯ膜的Ｔｃ＝８８Ｋ，Ｊｃ＝１０×１０４Ａ／ｃｍ２（０Ｔ，７７Ｋ），并且从Φ扫描的结果说明了ＹＳＺ缓冲层上ＹＢＣＯ膜的生长机制。     

溶液温度对电化学沉积氧化亚铜薄膜相成分和显微结构的影响

用电化学方法在不锈钢基体上沉积多晶Ｃｕ２Ｏ薄膜并用Ｘ射线衍射和扫描电进行了分析研究了溶液温度对薄膜相组成、晶粒尺寸和择优取向的影响，当溶液的ＰＨ＝９，温度低于５０℃时得到的是Ｃｕ２Ｏ／Ｃｕ复相薄膜，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜可在溶液温度高于５０℃时获得，纯Ｃｕ２Ｏ薄膜具有（１００）择优取向，实验发现薄膜的晶粒尺寸随溶液温度的增加从０．１２μｍ增加到０．６５μｍ。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜的MOCVD制备及其物理性质研究

采用常压ＭＯＣＶＤ技术在（１００）硅衬底上生长了具有（１００）及（００１）取各的钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。在适当的生长条件下可获得（１００）取向膜，在７５０－８００℃下退火可获得（００１）择优取向膜。通过观察Ｐ－Ｅ电滞回线可确认膜的铁电性质，测得（１００）取向膜的剩余极化强度为３８μｃ／ｃｍ＾２，矫顽场为４５ＫＶ／ｃｍ。同时测量了钛酸铋薄膜的介电常数及损耗角正切。     

钡铁氧体垂直磁化膜磁各向异性研究

钡铁氧体垂直磁化膜可用作高密度磁记录介质。本文研究用低温ＲＦ磁控溅射法制备非晶薄膜，经晶化处理所得到的垂直磁化膜的饱和磁化强度Ｍｓ、矫顽力Ｈｃ及垂直磁各向异性常数Ｋｕｌ、Ｋｕ２与退火温度Ｔ的关系，并对所呈现出的变化规律作了简单解释。介绍了依据转矩曲线的形状来判断薄膜垂直性优劣的方法，从转矩曲线出发，探讨了影响薄膜磁各向异性的因素。     

溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究

采用溶胶－凝胶技术在Ｓｉ单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２ｘ铁电薄膜，讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响，Ｘ射线衍射分析表明，经７００℃和７００℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜，该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Ｐｒ＝５μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场Ｅｃ＝１３０ｋＶ／ｃｍ。     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

CoNiP高密度磁记录介质性能的研究

用化学镀法制取了ＣｏＮｉＰ磁性合金薄膜，测定了膜厚和成分对磁性能的影响，结果表明：随膜厚的增加，平行于膜面的矫顽力Ｈｃ（／／）和垂直于膜面的矫顽力Ｈｃ（┴）下降，当膜厚大于０．２μｍ时，趋于平缓，ＣｏＮｉＰ合金中钴的含量从１０．５３％到７４．３７％变化时，其Ｈｃ（／／）和Ｈｃ（┴）分别由０．３和５．１增加到９３．４和１０８．９ＫＡ／ｍ。     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的晶粒定向生长与光学性质

采用溶胶一凝胶法在普通化玻片上制备出高C轴择优取向的ZnO薄膜,深入研究了溶胶浓度、甩膜层数、退火温度对薄膜相结构、晶粒定向生长和紫外光吸收与可见光透射特性的影响.实验发现,在300～600℃退火范围之内,随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长取向性增强,晶粒尺寸增大;用Zn含量为0.5mol/L的溶胶使用旋涂法甩膜和经过预热处理的5层膜再经过550℃退火1h后所形成的薄膜晶粒沿C轴高度择优取向,结构系数Tc(002)达到5.1,该薄膜的平均透射率为90%.     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AIN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０＾４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０,基靶距离ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡＩＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡＩＮ     

沉积在Pt电极上的铁电PZP薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Ｐｔ电极上的Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ２薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜ＰＺＴ相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电ＰＴ（５３／４７）薄膜具有较好的铁民性能和疲劳特性。在６００℃下ＰＺＴ薄膜的剩余极化强度Ｐｒ为２４．８μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场强度Ｅｃ为７０ｋＶ／ｃｍ。２１０ｋＶ／ｃｍ的     

NdFe7—xMox薄膜的制备和磁性研究

利用对向靶溅射，同时对基片进行退火进行处理的方法，在玻璃基片上成功地制备出了ＮｄＦｅ７－ｘＭｏｘ（ｘ＝０，０．５）薄膜，并对其进行了磁性研究，ＶＳＭ测量结果表明，，Ｍｏ掺入导致了材料矫顽力ＨＣ的增大，却相应降低了饱和磁化强度Ｍｓ。随着退火温度Ｔ 提高，Ｈ随之增大，当Ｔ－５７３Ｋ时，出现一极大值为３７．８ｌＡ／ｍ，此时的热磁测量表明，样品具有最高居里温度，ＴＣ＝７７５Ｋ。     

等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长

使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,脉冲频率ｆ＝５Ｈｚ,氮气气压ＰＮ２＝１．３３×１０４Ｐａ,基底温度ｔｓｕｂ＝２００℃,放电电压Ｖ＝６５０Ｖ,基靶距离ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时薄膜的生长速度等于６ｎｍ／ｍｉｎ。ＡｌＮ薄膜的折射率为２．０５,和基底的取向关系分别为：ＡｌＮ（１１０）∥Ｓｉ（１１１）和ＡｌＮ（１００）∥Ｓｉ（１００）。     

改进溶胶-凝胶法制备PZT50/50铁电薄膜

采用改进的溶胶凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，用Ｘ射线衍射表征了薄膜的物相，用原子力显微镜（ＡＦＭ）表征薄膜的微观形貌，用ＲＴ６６Ａ测量了薄膜的铁电特性，获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为１００ｎｍ的ＰＺＴ５０／５０铁电薄膜，在２０Ｖ电压下，Ｐｒ＝３１．８３μＣ／ｃｍ２。     

水相溶胶—凝胶法制备电变色TiO2薄膜

采用水相ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２薄膜,以ＴＧ,ＤＴＡ,ＦＴＩＲ,ＸＲＤ和ＳＥＭ等方法研究了成膜过程中薄膜的结构变化,经３５０－４５０℃处理的薄膜为锐钛矿相结构 ,「２０４」择优取向。经一次旋涂所得的薄膜在１５０℃处理１ｈ后,厚度为５０ｎｍ;在循环伏安特性测试中,其注入／抽出电荷容量分别为４．７８,２．５２ｍＣ＝ｃｍ＾２。     

微量V2O5对Mn—Zn铁氧体性能的影响

采用Ｖ２Ｏ５做为添加剂,利用传统的氧化物法制备的Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体材料,其磁性能得到优化,磁导率μ－２４００;功耗Ｐ（１００℃,１６ｋＨｚ,１５０ｍＴ）＝６ｍＷ／ｇ,Ｐ（１００℃,２５ｋＨｚ,２００ｍＴ）＝１８ｍＷ／ｇ,Ｐ（１００℃,２００ｋＨｚ,２００ｍＴ）＝９４ｍＷ／ｇ,居里温度Ｔｃ＝２００℃,饱和磁通Ｂｓ＝５０７ｍＴ;剩余磁通Ｂｒ＝８７ｍＴ,矫顽力Ｈｃ＝１２．６Ａ／ｍ;密度ｄ＝４．８５ｇ／ｃｍ＾３,电阻率ρ＝２２５０Ω．ｃｍ。由于其具有很高的电阻率,在高频状态下,功耗的主要部分涡流损耗将大幅度下降,因此该种材料可以用〉２００ｋＨｚ的高频范围使用。     

择优取向的PbTiO3玻璃陶瓷薄膜的Sol—Gel制备及结构

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）玻璃陶瓷薄膜,实现了常规熔融法难以达到的高ＰＴ含量,薄膜中ＰＴ晶粒分布均匀,闰大小约０．１μｍ,膜中无孔洞,采用常规热处理,可获得Ｃ轴择优取向的ＰＴ玻璃陶瓷薄膜,而利用快速热处理技术有助于抑制ＰＴ焦绿石相的出现,且薄膜呈现轻微的ａ轴择优取向。