首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 453 毫秒
1.
焦更生 《材料导报》2016,30(Z1):260-263
钛酸钡是一种重要的新型功能陶瓷材料,具备很高的介电常数和折射率常数,良好的热稳定性和压电性能,可以用来制造光电和介电材料。为了提高钛酸钡在室温下的介电常数使其得到广泛的应用,通常在钛酸钡中加入一些其他物质对其进行改性研究。在对钛酸钡材料常用的制备方法介绍的基础上,结合研究实际,重点综述了其掺杂改性的研究现状。只有不断开发钛酸钡材料新的制备方法并对其进行改性研究,才能使其性能不断提高,应用更为广泛。  相似文献   

2.
本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论.结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料.  相似文献   

3.
钛酸钡铁电陶瓷和薄膜的溶胶凝胶法制备及表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文通过对近年来有关利用溶胶凝胶法制备钛酸钡陶瓷材料研究的总结,对制造钛酸钡陶瓷和薄膜的原材料以及工艺过程给予了比较详细地分析和总结,并讨论了有关钛酸钡陶瓷和薄膜的表征问题。  相似文献   

4.
张亮  肖定全 《功能材料》2012,43(10):1225-1229
具有高介电常数(k)的钛酸钡/聚合物复合材料,兼有钛酸钡陶瓷和聚合物的各自优势,是一种有广泛应用前景的电子材料,因而备受关注。综合给出了近5年来高性能钛酸钡/聚合物复合材料的研究进展,分析指出了原材料选择、制备工艺及其对复合材料介电性能的影响,概括介绍了这类复合材料的主要应用,预测展望了其未来的发展趋势。  相似文献   

5.
介绍了在共混材料制备工艺研究中数据挖掘技术的应用,重点讨论了基于关联规则的模型建立与应用的过程,并用数据挖掘技术对可交联硅烷接枝聚乙烯共混材料制备中退火工艺与材料结晶性能的关联性进行了研究。最后讨论了数据挖掘技术在高分子材料领域未来的发展方向。  相似文献   

6.
Y和YF3掺杂钛酸钡系PTCR材料的结构及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
在不同烧结气氛下制备了Y和掺杂钛酸钡材料,借助于XRD、SEM、XRF和阻温测试分析仪,研究了烧结气氛对Y和YF3掺杂钛杂钛钡材料结构和性能的影响,研究结果表明,你舂压气氛可促进Y和YF3掺杂钛酸钡材料的烧结,晶粒长大,而且这二种掺杂钛酸钡材料都是n型半导体,经过氩气氛烧结的Y掺杂钛酸钡材料PTCR效应较弱,而对在氩气氛中烧结的0.3mol%YF3掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的PTCR效应,这种效  相似文献   

7.
电子陶瓷用钛酸钡粉体制备工艺及其发展   总被引:13,自引:1,他引:12  
对近年来国内外电子陶瓷用钛酸钡粉体制备工艺及发展进行了综述,指出了水热法由于其优良特性在近年来受到广泛关注,并预测用水热法和其它各种方法相结合的工艺必将在日后制备电子陶瓷用钛酸钡粉体工艺中占据重要地位。  相似文献   

8.
Y和YF3掺杂钛酸钡系PTCR材料的结构及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
在不同烧结气氛下制备了Y和YF掺杂钛酸钡材料,借助于XRD、SEM、XRF和阻温测试分析仪,研究了烧结气氛对Y和YF掺杂钛酸钡材料结构和性能的影响.研究结果表明,低氧分压气氛可促进Y和YF掺杂钛酸钡材料的烧结,晶粒长大,而且这二种掺杂钛酸钡材料都是n型半导体.经过氩气气氛烧结的Y掺杂钛酸钡材料PTCR效应较弱;而对在氩气气氛中烧结的0.3mol%YF掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的PTCR效应,这种效应的产生可能与F元素取代O位而导致材料的价控半导有关.  相似文献   

9.
钛酸钡的制备研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
全学军  蒲昌亮 《材料导报》2002,16(6):45-47,67
对钛酸钡粉末的制备方法进行了综合。传统的高温固相合成法已不能满足电子技术微型化和集成化发展对钛酸钡粉体提出的超细、高纯、单分散要求。从制备成本和操作过程来看,经过改进的共沉淀法、草酸盐法和水热法是制备高纯、亚微米级钛酸钡粉末的重要方法,在大规模生产中有较好的应用前景。在水热过程中,通过选择适当的钛源和水热条件,可以制备出高纯、单分散的亚微米级及纳米级钛酸钡粉体。低温直接合成法因其原料易得,过程简单,是一种在大规模生产上较有应用前景的制备纳米钛酸钡的方法。  相似文献   

10.
本文简要综述了有机纳米光电功能材料的研究进展。详细讨论了有机纳米薄膜的制备方法、结构表征、性能研究及应用前景。  相似文献   

11.
应用在食品行业中的冷封胶薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5  
郭新华 《包装工程》2006,27(5):34-35,55
概述了冷封胶薄膜的结构种类、制备工艺以及优点,接着陈述了冷封薄膜在软包装中的应用以及局限性,指出了实际生产中遇到的问题并对问题进行分析,提出改进方法.最后探讨了冷封薄膜未来的发展方向.  相似文献   

12.
微波食品包装在改善其加热缺陷方面的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
王坤  卢立新 《包装工程》2012,33(9):139-142
分析了食品微波加热中所存在的缺陷,系统地总结了从包装方面改善其缺陷的3种方法,即感受器、场强屏蔽装置及引导装置。分别阐述了这3种方法的研究机理及实现方法,综述了国外在这3个方面的研究进展,对金属优化微波包装的发展进行了总结及展望。  相似文献   

13.
阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下:InAs/GaAs量子点的应变分布,通过对计算结果的比较,讨论了两种情况下不同的应变分布对量子点电子结构影响的不同结果,指出有缺陷时量子点各能级的改变量都与无缺陷时不同,无缺陷时应变的作用只是使能级平行移动;有缺陷时,缺陷将使量子点内能级结构复杂化,有缺陷时发光波长和发光光谱都比无缺陷时复杂。  相似文献   

14.
高岭土制备超细白炭黑的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以苏州高岭土为原料,经过煅烧、酸溶、过滤及干燥过程制备了超细白炭黑粉体,将制备的粉体用XRD和BET进行表征,并对其进行化学成分分析.XRD结果表明产物为无定型结构,化学分析结果表明该粉体具有较高纯度,BET分析结果证明该粉体为具有较高比表面积的介孔材料.  相似文献   

15.
应用溶胶-凝胶法,以尿素和钛酸丁酯为原料制备前躯体,前躯体在500℃、焙烧3 h条件下制备不同浓度掺杂氮的TiO2纳米粉体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、紫外可见光谱(UV-Vis)等分析手段对样品的物相、形貌、成分和吸光性能进行表征,并且以亚甲基蓝溶液为模拟污染物在阳光下进行光催化实验。结果表明:样品主要为锐钛矿相二氧化钛及少量的金红石型二氧化钛,颗粒粒径小于300 nm,有一定程度的团聚,样品中含有质量分数分别为0、2.99%、6.23%、11.38%的氮元素,氮掺杂样品的光谱吸收边缘红移至400~470 nm。光催化实验表明:氮掺杂可以大大改善TiO2在可见光波段的光催化性能。  相似文献   

16.
综述了国内外封严涂层的研究现状,介绍了航空发动机封严涂层的结构和应用特点,重点讨论了可磨耗封严涂层性能评价和技术研究现状。比较了各种涂层材料、评价方法的优势与不足,指出了可磨耗封严涂层的应用潜力及研究发展方向。提出了我国在可磨耗封严涂层技术研究及性能评价方面今后的发展方向,即涂层制备方法、结构研究、高温涂层研究和仿真技术等。  相似文献   

17.
该文的前半部分(本刊上一期)已扼要介绍了X射线成像的三种衬度机制及成像设备各主要组件的构造,下半部分将继续介绍应用各种衬度的不同的成像方法和一些实例。  相似文献   

18.
在LiNbO3中掺进Fe2O3生长了Fe:LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化、还原处理。利用二波耦合的方法,测试了不同还原处理的Fe:LiNbO3,晶体的指数增益系数、衍射效率及响应时间。测试了三种不同处理本热固定后的显影效率,记录了全息先栅的记录、热补偿及离子衰减过程。发现不同氧化还原处理的晶体在光折变性能和热固定效果上有不同的表现。  相似文献   

19.
透明聚氨酯树脂材料的热性能和力学性能   总被引:5,自引:0,他引:5  
以4,4′-二环己基甲烷二异氰酸酯(H12MDI)、聚醚多元醇、交联扩链剂、催化剂及助剂合成了一些透明聚氨酯树脂材料。用FT—IR对其结构进行了表征。DSC、TGA测试其玻璃转化温度为95℃~110℃,质量损失5%和10%的热分解温度为265℃、280℃~286℃。SEM对其断口形貌分析表明,其断裂为脆性断裂或韧性断裂。力学性能测试其拉伸强度49MPa~56MPa,断裂伸长率11%~16%,抗弯强度106MPa~116MPa,弹性弯曲模量2006MPa~3089MPa,冲击强度19kJ/m^2~35kJ/m^2,邵氏硬度80D。透先率91%~93%。实验结果表明,透明聚氨酯树脂材料具有卓越的光学性能,优良的力学性能和中等的热稳定性能。  相似文献   

20.
磁性高分子微球研究进展   总被引:13,自引:1,他引:12  
对磁性高分子微球的研究进展进行了综述,介绍了各类微球的制备方法及相关原理。在此基础上,概述了磁性高分子微球在磁性塑料、固定化酶、细胞分离和靶向药物等领域的应用情况,并对磁性高分子微球的未来研究方向进行了展望。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号