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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻.采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制.结果表明:较低的烧结温度(1030~1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能.当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39 V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35 μA.  相似文献   

2.
利用传统陶瓷烧结工艺制备出不同浓度稀土Y元素掺杂PrBaCo2O5+δ氧化物热电陶瓷,采用XRD和热电材料性能测试系统等设备研究了稀土Y元素掺杂对PrBaCo2O5氧化物热电陶瓷晶体结构、热电性能的影响。测试结果表明:Pr1-xYxBaCo2O5+δ热电陶瓷均为双层钙钛矿结构,没有形成新的杂相;在测试温度范围内,Pr1-xYxBaCo2O5+δ(x=0,0.25,0.5,0.75)热电陶瓷的Seebeck系数均为正值,表明该材料导电载流子为以空穴,为p型半导体;稀土Y元素掺杂可以明显提高Pr1-xYxBaCo2O5+δ热电陶瓷的电导率,与电导率相反,稀土元素Y掺杂的导致Pr1-xYxBaCo  相似文献   

3.
以AlN粉末为原料, 添加稀土氧化物(Sm2O3、Y2O3), 在氮气气氛下, 采用SPS烧结方法制备AlN陶瓷, 研究稀土氧化物的掺杂对AlN烧结试样相组成、微观结构和电性能的影响。实验表明: Sm2O3、Y2O3与Al2O3反应生成的液相稀土金属铝酸盐会提高AlN陶瓷致密度, 且在晶界处形成导电通路降低了AlN陶瓷电阻率。随着Sm2O3掺杂量的增加, 晶界相逐渐由Sm4Al2O9过渡到SmAlO3, 且Sm4Al2O9对电阻率贡献最大。其中, 3wt% Sm2O3掺杂AlN陶瓷电阻率最低, 为   相似文献   

4.
核壳结构SrFe12O19NiFe2O4复合纳米粉体的吸波性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
以Fe(NO3)3、 Ni(NO3)2和Sr(NO3)2为主要原料, 通过两步柠檬酸盐溶胶-凝胶法, 制备出核-壳结构SrFe12O19-NiFe2O4磁性纳米复合粉体。采用XRD、 TEM、 VSM及矢量网络分析仪对合成的粉体的结构、 形貌及吸波性能进行了分析研究。结果表明, 复合粉体的相结构与NiFe2O4含量有关, 当SrFe12O19与NiFe2O4的质量比为1∶2、 烧结温度为1050℃时, 复合纳米粉体的相与NiFe2O4接近, 核-壳结构SrFe12O19-NiFe2O4纳米复合粉体的饱和磁化强度(Ms)(51.4 emu/g)比单体SrFe12O19纳米粉体 (42.6 emu/g)的大; 但矫顽力(Hc) (336 Oe)比单体SrFe12O19纳米粉体的小, 在SrFe12O19 与NiFe2O4的矫顽力5395~160 Oe之间。在频率为8~18 GHz范围内, 微波吸收逐渐增强, 当频率为12 GHz时, SrFe12O19-NiFe2O4纳米复合粉体的微波吸收达到最大值-9.7 dB, 是一种性能优良的吸波材料。   相似文献   

5.
为更好地实现口腔修复体的美学修复效果,采用掺杂不同含量Fe2O3(0.01wt%~0.09wt%)和Al2O3(0.1wt%)的3 mol% Y2O3稳定的ZrO2(3Y-TZP)粉体为原料,经过铺粉、压制、烧结等工艺制得色度渐变的多层陶瓷结构Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷。对该梯度复合陶瓷的色度分布、烧结性能和力学性能进行检测,同时研究了Fe2O3和Al2O3的掺杂对3Y-TZP陶瓷组织和性能的影响。结果表明,制得的Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷色度由红黄向白色沿成分变化方向呈梯度变化,与天然牙齿色度分布规律一致;力学性能呈梯度变化并从无色端到有色端逐渐降低,但仍满足牙科使用需求(≥ 800 MPa);在无色瓷层中掺杂微量Al2O3(0.1wt%)可以改善Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷的烧结性能,避免在预烧结过程中发生开裂。微量Fe2O3和Al2O3的掺杂会促进其在烧结过程中的致密化及晶粒长大;微量Fe2O3(0.01wt%)和Al2O3(0.1wt%)的掺杂有助于提高3Y-TZP陶瓷的挠曲强度,然而随着Fe2O3掺杂量的继续增多(≤ 0.09wt%)挠曲强度降低。   相似文献   

6.
周宏  张玉霞  范勇  陈昊 《复合材料学报》2014,31(5):1142-1147
采用水热法制备片状纳米Al2O3,经过偶联剂改性后与环氧树脂复合,通过溶液混合法制备了不同填充量的片状纳米Al2O3/环氧树脂复合材料,研究了片状纳米Al2O3用量对片状纳米Al2O3/环氧树脂复合材料介电性能和热性能的影响,利用SEM对复合材料的断口形貌进行了表征。结果表明: 片状纳米Al2O3在环氧树脂基体中分散良好;随着片状纳米Al2O3填充量的增加,复合材料的起始热分解温度升高、介电强度增大,当片状纳米Al2O3的填充量为7wt%时,复合材料的介电强度为 29.58 kV/mm,比纯环氧树脂的介电强度提高了30%;复合材料的介电常数(3.8~4.5)和介电损耗(0.015)比纯环氧树脂稍有增大,但仍维持在较好的介电性能范围内。  相似文献   

7.
采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜Am An PAn Am,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4 h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3 kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。  相似文献   

8.
采用反应烧结法制备了具有超低烧结温度的Li2Zn2Mo3O12微波介质陶瓷,研究了烧结温度对Li2Zn2Mo3O12陶瓷的烧结特性、物相组成、微观结构以及微波介电性能的影响。XRD表明:在550~650℃范围内,温度对陶瓷的物相组成影响不大;随着烧结温度的升高,Li2Zn2Mo3O12陶瓷的体积密度、相对密度、介电常数(εr)和品质因数(Q×f)均呈先增大后减小的趋势,谐振频率温度系数(τf)在-(70~90)×10-6/℃波动。在625℃烧结2 h获得最大体积密度和相对密度:4.25 g/cm3和96.4%,以及优异的微波介电性能εr=10.9,Q×f=69 459 GHz,τf=-84×10<...  相似文献   

9.
以CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉体和Al2O3陶瓷粉体为原料,通过在CBS与Al2O3的质量比固定为50:50的玻璃-陶瓷复合材料中添加适量的Bi2O3作为烧结助熔剂,探讨了Bi2O3助熔剂对CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能、抗弯强度和热膨胀系数的影响规律.研究表明:Bi2O3助熔剂能通过降低CBS玻璃的转变温度和黏度促进CBS/Al2O3复合材料的致密化进程,于880 ℃下烧结即能获得结构较致密、气孔较少的CBS/Al2O3复合材料.然而,过量添加Bi2O3将使玻璃的黏度过低,从而恶化CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能及抗弯强度.当Bi2O3的添加量为CBS/Al2O3复合材料的1.5wt%时,于880 ℃下烧结即能获得最为致密的CBS/Al2O3复合材料,密度为2.82 g·cm-3,这一材料具有良好的介电性能(介电常数为7.21,介电损耗为1.06×10-3),抗弯强度为190.34 MPa,0~300 ℃的热膨胀系数为3.52×10-6 K-1.  相似文献   

10.
采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备出高电位梯度的ZnO压敏电阻,并研究了Y2O3掺杂浓度对试样电位梯度和稳压性能的影响.结果表明,在800℃的烧结条件下,掺杂0.08%(摩尔分数)Y2O3后试样的电位梯度增加了49%,稳压系数达到1.99×10-2.从微观角度对ZnO压敏电阻烧结过程中的物化反应分析发现,较低的烧结温度能够抑制Y2O3的受主固溶和Bi2O3的挥发,减缓晶粒的生长速度,改善晶界质量,从而提高试样的电位梯度,实现高压稳压.  相似文献   

11.
《材料研究学报》2019,33(6):409-418
用共沉淀法制备LaMgAl11O19粉体,证明了提高沉淀温度和pH值可使前驱粉体的性能明显提高。应用差热分析和X射线法研究了磁铅石相的生成温度和粉体的结晶度;使用Scherrer 公式并结合XRD谱计算了晶粒尺寸;用扫描电镜观察了各工艺参数的前驱粉体在1500℃时效5 h后的形貌;使用Malvern ZEN3600粒度仪和Manual measurement软件分析了粉体硬团聚的尺寸分布;用Nd2O3, Gd2O3, Sm2O3替代La2O3,研究了制备多种镁基六铝酸盐粉体的可行性。结果表明:在pH值为11.5、沉淀温度为60℃条件下制备的前驱粉体,其完全相变为纯LaMgAl11O19粉体的初始温度为1440℃,比在常温下沉淀的前驱粉体降低了150℃,磁铅石相的生成效率明显提高。在1500℃时效5 h的粉体其晶粒为纳米尺度。提高沉淀温度和pH值有利于减小晶粒尺寸和降低粉体的热导率。采用相同工艺参数可制备出纯NdMgAl11O19粉体,其晶粒尺寸略大于LaMgAl11O19粉体的尺寸。  相似文献   

12.
The microstructure and electrical properties of varistor ceramics, which are composed of (99.5–xy)ZnO+xPr6O11+yCoO+0.5Dy2O3 system, were investigated with Pr6O11/CoO mole ratio (x/y=0.5/0.5, 0.5/1.0, 1.0/0.5, 1.0/1.0) and sintering temperature. The density of varistor ceramics with Pr6O11=1.0 was almost constant with sintering temperature, whereas it was increased noticeably in Pr6O11=0.5. Increasing Pr6O11 content enhanced the densification for any CoO content and the density was greatly affected not by CoO content but by Pr6O11 content. The varistor ceramics with Pr6O11/CoO=0.5/1.0 exhibited a higher nonlinearity than any other composition ratios. In particular, the varistor ceramics sintered at 1350 °C. exhibited the best electrical properties, with nonlinear exponent of 37.8, leakage current of 7.6 μA, and dissipation factor of 0.059. It was found that Pr6O11/CoO ratio greatly affects various characteristics of varistor ceramics.  相似文献   

13.
通过传统固相二次烧结法来制备x wt% Al2O3(x=0、1.0、1.5)/BaTi0.85Sn0.15O3(BTS)陶瓷。研究了掺杂不同含量Al2O3对BTS陶瓷的微观结构、介电性能及挠曲电性能的影响。结果表明,掺杂Al2O3的BTS陶瓷不改变陶瓷的晶体结构,仍为标准钙钛矿结构晶型;Al2O3的掺入能够有效降低晶粒尺寸,具有明显的细晶作用。随着Al2O3含量的增大,Al2O3/BTS陶瓷的介电常数减小,介电损耗得到明显改善,居里峰逐渐宽化且向温度高的方向偏移。Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数随着Al2O3含量的增加和测试环境温度的升高均减小。此外,Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数和介电常数之间存在一种近线性关系,但当温度非常接近于居里温度时,这种线性关系减弱。  相似文献   

14.
采用化学共沉淀煅烧法制备不同La2O3掺杂量的La2O3-Y2O3-ZrO2(YSZ)复合陶瓷粉末,研究该复合陶瓷粉末的高温相稳定性、抗烧结性及热物理性能,并与传统应用的YSZ陶瓷粉末进行对比,以探讨La2O3-YSZ作为热障涂层材料应用的可能性。采用XRD分析陶瓷粉末的晶体结构和物相组成,研究La2O3掺杂量对YSZ高温相稳定性的影响。采用SEM观察陶瓷烧结体的微观形貌,研究La2O3掺杂对YSZ抗烧结性的影响。采用激光脉冲法测定热扩散率,通过计算得到材料的热导率。结果表明:YSZ和不同La2O3掺杂量的La2O3-YSZ均由单一的非平衡四方相ZrO2(t′-ZrO2)组成。经1 400℃热处理100h后,YSZ中t′-ZrO2完全转变为立方相ZrO2(c-ZrO2)和单斜相ZrO2(m-ZrO2),在0.4mol%~1.4mol%La2O3掺杂范围内,La2O3-YSZ的相稳定性均优于YSZ,其中1.0mol%La2O3掺杂的YSZ(1.0mol%La2O3-YSZ)经热处理后无m-ZrO2生成,表现出良好的高温相稳定性。此外,1.0mol%La2O3-YSZ较YSZ具有较高的抗烧结性和较低的热导率。在室温至700℃范围内,1.0mol%La2O3-YSZ的热导率为1.90~2.17 W/(m·K),明显低于YSZ的热导率(2.13~2.33 W/(m·K))。  相似文献   

15.
TiO2 压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件, 本文研究了Ge掺杂对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷, 用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB和漏电流JL等电学性质, 并根据相关公式计算样品平均势垒高度。XRD、XPS、SEM和STEM分析表明, Ge掺杂显著改变TiO2-Nb2O5 -CaCO3压敏陶瓷微结构, 提高非线性系数α和减小压敏电压EB。当施主Nb2O5和受主CaCO3掺杂浓度分别为0.5mol%时, 掺杂1.0mol% Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=10.6, EB=8.7 V/mm), 明显优于不掺杂Ge的TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷。此外, Ge熔点较低, 作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度, TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300℃。  相似文献   

16.
采用干压成型法制备了多孔α-Al2O3基陶瓷片, 研究了烧结温度和掺杂SiO2对其结构、形貌和性能的影响. 提高烧结温度能增加α-Al2O3基陶瓷片的抗压强度, 但收缩率也会随之增大。最佳烧结温度为1180℃, 收缩率小于0.5%, 抗压强度大于80 MPa。当掺杂SiO2粉体后, 陶瓷片中的无定形SiO2在烧结过程中晶化形成方石英, 能够促进α-Al2O3陶瓷片的烧结。当SiO2含量为12wt%, 并在1180℃下烧结时, 陶瓷片的收缩率仅为1.2%, 抗压强度大于110 MPa。与α-Al2O3陶瓷片相比, 其孔径更小但孔径分布更宽。研究表明, α-Al2O3和SiO2/Al2O3陶瓷片均具有良好的分子筛膜生长活性。但由于载体具有不同的物化性质, 所制备的ZSM-5分子筛膜具有不同的形貌和尺寸。  相似文献   

17.
Fine ceramic powders of Sr0.9Ca0.1Zn2 Fe16O27 (Sr0.9Ca0.1Zn 2-W) ferrite, of almost single domain grain size ~1 μm, have been synthesized successfully by sintering for a few hours a mixture of SrCO3, CaCO3, ZnO, and α-Fe2 O3 in stoichiometric amounts at an effectively low temperature (Ts) of ~1100°C. Carbon dioxide evolves in the reaction Sr(Ca)CO3+2ZnO+8 α-Fe2D3 &lrarr2;Sr(Ca)Zn2Fe16O2+C2 , making fine pores in the sample, which prevent large grain growth of the material and result in a very loose powder. The small ⩽10% substitution of Sr by Ca activates the reaction, but preserves the crystallization of the small-sized grains. This yields magnetic properties useful for most permanent magnet applications, with a promisingly high coercivity Hc~3650 Oe and saturation magnetization Ms~65 emu/g. A considerably better saturation magnetization Ms~85 emu/g can be obtained by sintering the samples at higher Ts~1300°C, but that results in a rather very low coercivity Hc~105 Oe  相似文献   

18.
采用溶胶-凝胶法制备Ca0.25(Li0.43Sm0.57)0.75TiO3(CLST)微波介质陶瓷纳米粉体, 研究了ZnO掺杂量和烧结温度对CLST+ xmol% ZnO陶瓷烧结性能和微波介电性能的影响。XRD分析结果表明: 随着ZnO掺杂量x的增加, 陶瓷的晶体结构从正交相变为伪立方相, 并在x≥1.5的样品中出现了杂相。CLST+ xmol% ZnO陶瓷的致密化烧结温度随x的增加而降低, x=1.0的样品的致密化烧结温度比x=0的降低了200 ℃。介电常数εr和频率品质因数Qfx增加和烧结温度的升高具有最优值, 频率温度系数则单调降低。x=1.0的样品在1100 ℃烧结时具有优异的综合性能: ρ = 4.85 g/cm3, εr =102.8, Qf = 5424 GHz, τf = -8.2×10-6/℃。表明ZnO掺杂的CLST陶瓷是一种很有发展潜力的微波介质陶瓷。  相似文献   

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