球面上极小超曲面的Laplacian谱特征

研究了单位球面Ｓ＾ｎ＋１中Ｃｌｉｆｆｏｒｄ极小超曲面Ｍｍ，ｎ－ｍ及常平均曲率超曲面Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２的谱特征，证明了超果Ｓ＾ｎ＋１中极小超曲面的满足适当条件的二组谱集和Ｍｍ，ｎ－ｍ的二维谱集相同，则该超曲面必是ｍ，ｎ－ｍ。如果Ｓ＾ｎ＋１中的常平均曲率超曲面的三组满足条件的谱集和Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２）的三组谱集相同，则该超曲面必是Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－     

蓝色SrS：Ce薄膜电致发光矩阵屏

采用ＳｒＳ：Ｃｅ作为发光层制备了可用于彩色薄膜电致发光显示的较大面积的蓝色薄膜电致发光显示屏。非矩阵屏在１ＫＨｚ驱动时最高亮度是９００ｃｄ／ｍ２；矩阵屏亮度为３０ｃｄ／ｍ２；矩阵面积为４０ｍｍ×７５ｍｍ，象元数为８０×１５０线，象元面积为０３ｍｍ×０３ｍｍ。ＳｒＳ：Ｃｅ蓝色发光粉是采用Ｈ２法还原ＳｒＳＯ４得到的。对不同的合成方法及结构，Ｃｅ３＋浓度对ＰＬ性能的影响等进行了较系统的分析。     

O＋HO2反应碰撞的理论研究

使用多体项展式分析势能函数，研究了Ｏ＋ＨＯ２反应碰撞的经典轨迹，指出存在二个反应通道，即（１）Ｏ＋ＨＯ２→ＯＨ＋Ｏ２和（２）Ｏ＋ＨＯ２→ＨＯ２＋Ｏ。在室温下，求得反应（１）的近似速度常数为（４．１±０．０６）×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｃｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１，与实验值（５．４±０．９）×１０＾１１符合甚好；反应（２）的速度常数为５．４×１０＾－１３。对反应（１），总能量的７２．５％分配于产物     

苹果酸生产中残留富马酸转成天门冬氨酸的研究

建立了固定化细胞分离Ｌ－苹果酸生产中残留富马酸并将其转化成Ｌ－天门冬氨酸的新方法。对生成Ｌ－天门冬氨酸的工艺条件进行优化，结果表明，当Ｌ－苹果酸反应液ｐＨ调至８～９，Ｌ－天门冬氨酸添加量为６～８ｇ／Ｌ，碳酸铵加量为１５～２０ｇ／Ｌ，Ｍｇ￣（２＋）、Ｍｎ￣（２＋）、Ｃａ￣（２＋）等二价阳离子加量为１ｍｍｏｌ／Ｌ时，固定化细胞可将Ｌ－苹果酸反应液中残留的２０％左右的富马酸几乎全部转化成Ｌ－天门冬氨酸，且Ｌ－苹果酸含量的损失小于５％。     

Fe（OH）3中微量金属离子对水热合成α—Fe2O3粒径的影响

本文研究了某些金属离子（Ａｌ＾３＋、Ｍｎ＾２＋、Ｚｎ＾２＋、Ｃｒ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋）Ｆｅ（ＯＨ）３凝胶经水热法合成的α－Ｆｅ２Ｏ３微粉颗粒大小的影响。研究结果出现，随着金属离子的浓度在一定范围内（０．０１０－０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）的增加，α－Ｆｅ２Ｏ３颗粒有减小的趋势。其中加入Ｃｏ＾２＋（０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）、Ｍｎ＾２＋（０．１００ｍｏｌ·Ｌ＾－１）可以得到粒径为７５ｎｍ     

铝合金等离子体淹没离子注入氮层组织及其耐磨性

用等离子体淹没离子注入技术向硬铝ＬＹ１２和锻铝ＬＤ１０注入氮离子，剂量范围为２×１０＾１７～１×１０＾１８Ｎ＾＋－ｃｍ＾－２，并用Ａｕｇｅｒｙ谱（ＡＥＳ）及透射电镜（ＴＥＭ）分析注入层的浓度分析及组织结构，利用机械性能显微探针测量注入层的纳米硬度，进行了磨损试验，氮离子注入到铝合金中能形成细小弥散的ＡｌＮ析出相，显著提高合金表层纳米硬度，耐磨随着注入剂量的增加而提高。     

Co－Sm－Cu合金系中包共析转变Sm_2（Co、Cu）_（17）＋Sm（Co、Cu）_5﹦α－Co（Cu、Sm）＋Sm_2（Co、Cu）_7预测

本文以三元系相平衡规律为理论依据．结合文献资料中有关Ｃｏ－Ｓｍ－Ｃｕ系，Ｃｏ—Ｃｕ系和Ｃｏ－Ｓｍ系相图的实验数据，预测在Ｃｏ－Ｓｍ－Ｃｕ系方Ｃｏ区，约低于温度６００℃处．存在一个三元四相包共析转变：Ｓｍ_２（Ｃｏ、Ｃｕ）_１７十Ｓｍ（Ｃｏ、Ｃｕ）５　α—Ｃｏ（Ｃｕ、Ｓｍ）＋Ｓｍ２（Ｃｏ、Ｃｕ）７这个转变可能会导致相应的钴钐永磁材料的硬田性降低．     

PAA-PSF交联复合膜的制备及对低浓度有机醇水溶液反渗透分离性能研究

进行了ＰＡＡ（ＰｏｌｙａｃｒｙｌｉｃＡｃｉｄ）－ＰＳＦ（Ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）交联复合膜的制备，研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响，并通过扫描电镜观察了膜的断面结构．研究了ＰＡＡ－ＰＳＦ交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能．发现对于１０００×１０－６乙醇水溶液截留率达到６６．２％，透过流束可达０．９×１０－６（ｍ３·ｍ－２·ｓ－１）．随醇的分子量的增加，截留率不断上升，对戊醇的截留率达９４．３％，而透过流束则保持相对稳定．对不同结构醇类的分离性能研究表明，截留率存在有：ｔｅｒｔ－＞ｓｅｃ－＞ｉｓｏ－＞ｎ－的规律．     

M－矩阵的行列式不等式

我们首先把文献［２］的结果：ｄｅｔＡｄｅｔＢ≤ｄｅｔｍ（Ａ＊Ｂ）改进为（ｂ１１…ｂｎｎ）ｄｅｔＡ＋（ａ１１…ａｎｎ）ｄｅｔＢ－（ｄｅｔＡ）（ｄｅｔＢ）≤ｄｅｔｍ（Ａ＊Ｂ），其中Ａ，Ｂ为ｎ阶Ｍ－矩阵，“＊”记Ｈａｄａｍａｒｄ积，“ｍ”记比较矩阵。其次，把关于Ｍ－矩阵的Ｈａｄａｍａｒｄ不等式改进为ｄｅｔＡ≤ａ１１…ａｎｎ－｜ａ１σ（１）…ａｎσ（ｎ）｜，其中σ是１，２…ｎ的任一个置换，当ｎ为奇数时，它为偶置换，否则为奇置换。最后，对Ｂ为非奇异的情形给出下列估计式：ｄｅｔＡ≤ｄｅｔ（Ａ＊Ｂ－１）／（β１１…βｎｎ）≤ａ１１…ａｎｎ，和ｄｅｔＡ／ｄｅｔＢ≤ｄｅｔ（Ａ＊Ｂ－１），其中，βｉｉ为Ｂ－１的主对角元     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

电镀

２０００１２２２ 铝材复合表面处理技术——Ｃｈｕ Ｓ２．Ｊ ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃ,１９９９,１４６（２）：５３７（英文） 研究了铝材阳极氧化、激光辐照和化学镀Ｎｉ－Ｐ复合表面处理技术,铝材阳极氧化后形成多孔氧化膜,然后浸入含Ｐｂ２＋的Ｎｉ２＋／Ｈ２ＰＯ２－溶液中进行化学镀Ｎｉ－Ｐ合金,并用ＹＡＧ脉冲激光器照射,以去除氧化膜。激光照射区进行局部化学沉积Ｎｉ－Ｐ合金［含９．５％（ａｔ）～１１．２％（ａｔ）Ｐ］,溶液温度＞８５℃,Ｃｐｂ２＋为０．３×１０－４％－２．４ × １０－４％。分析了…     

一类具有椭球误差的多元线性模型参数的Bayes估计

本文讨论下列线性模型Ｙｍ×ｎ＝βｍ×ｐＸｐ×ｎ＋βｍ×ｎ其中ε服从一类特殊的矩阵椭球分布，特征矩阵为Σ＾～ｍｎ×ｍｎ＝Σｎ×ｍ⊙Ｖｍ×ｍ。给出了在Σ＞０已知；Ｖ＞０，已知，Σ＝σ＾２Ｉｎ，σ＾２＞０未知；Ｖ＞０未知三种情形下参数矩阵β的Ｂａｙｅｓ估计。     

关于(2k1,2k2)型二重(r1,r2)-循环矩阵的快速算法和计算复杂性

利用矩阵分块逐次降阶的方法，给出了两个（２＾ｋ１，２＾ｋ２）型二重（ｒ１，ｒ２）－循环矩阵相乘，（２＾ｋ１，２＾ｋ２）型二重（ｒ１，ｒ２）－循环矩阵求逆的快速算法，证明了其乘除的计算量分别为２＾ｋ１＋ｋ２＋３（ｋ１＋ｋ２）２＾ｋ１＋ｋ２－１、２Ｋ１＋ｋ２＋（ｋ１＋ｋ２）２＾２ｋ１＋ｋ２，加减的计算量分别为３（ｋ１＋ｋ２）＾２＾ｋ１＋ｋ２、（ｋ１＋ｋ２）２＾ｋ１＋ｋ２＋１。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

一类具有椭球误差的多无线性模型参数的Bayes估计

本文讨论下列线性模型Ｙｍ×ｎ＝βｍ×ｐＸｐ×ｎ＼＋βｍ×ｎ其中ε服从一类特殊的矩阵椭球分布，特征矩阵为。给出了在Σ＞０已知；Ｖ＞０，已知，Σ＝σ２Ｉｎ，σ２＞０未知；Ｖ＞０未知三种情形下参数矩阵β的Ｂａｙｅｓ估计。     

Sm-Fe-Si-C非晶合金的晶化动力学

用差热分析（ＤＴＡ）,结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了Ｓｍ－Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃ非晶态合金的晶化动力学。结果表明：温度低于９００℃时,该合金晶化相为α－Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体和Ｓｍ２（Ｆｅ,Ｓｉ）１７Ｃｘ。α－Ｆｅ（Ｓｉ）相的晶化表观激活能为４３１．５１ｋＪ／ｍｏｌ,Ｓｍ２（Ｆｅ,Ｓｉ）１７Ｃｘ相的晶化表观激活能为５１４．４３ｋＪ／ｍｏｌ。上在晶化初期活能变化不大,当α－Ｆｅ（Ｓｉ）相的体积分数大于７０％,Ｓ     

一氧化碳和苯乙烯交替共聚物的合成与表征

利用乙酸钯和２，２′－联吡啶组成的催化剂体系催化一氧化碳和苯乙烯交替共聚合成出聚（１－氧代－２－苯基丙撑）（ＳＴＣＯ）。采用ＩＲ、ＮＭＲ、元素分析以及广角Ｘ光散射对该聚合物以表征。该共聚物晶体为单斜晶胞，晶胞参数为ａ＝１５．７×１０－１０ｍ，ｂ＝６．１７×１０－１０ｍ，ｃ＝７．４５×１０－１０ｍ，α＝９０．０°，β＝１０４．３°，γ＝９０．０°；晶胞体积为６９７．２×１０－３０ｍ３；空间点群为Ｐ２１／ｃ。此外，对该共聚物热降解进行了初步研究。     

K_2NbOF_5－MF_3系玻璃的结构及电性质

研制了Ｋ＿２ＮｂＯＦ＿５－ＭＦ＿３（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ）新体系氟化物玻璃，测定了玻璃的特征温度、Ｒａｍａｎ光谱和电导率，玻璃中Ｎｂ￣（５＋）、Ａｌ￣（３＋）、Ｇａ￣（５＋）分别以ＮｂＯＦ、ＡＩＦ、ＧａＦ八面体形式存在，玻璃的电导率随ＡｌＦ＿３含量的增加而增加，ＡｌＦ＿３含量达到３０ｍｏｌ％时，Ａｌ￣（３＋）除ＡＩＦ八面体外，还有ＡｌＦ四面体结构出现，同时电导率降低，Ｆ￣－阴离子是主要的导电离子，７５Ｋ＿２ＮｂＯＦ＿５·２５ＡｌＦ＿３玻璃的电导率在１９６℃时，σ＝１．０２×１０￣（－２）Ｓ·ｃｍ￣（－１）。