钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究

完成了钆离子（Ｇｄ３＋＋）掺杂钨酸铅晶体在４０～６００℃、１～１０６Ｈｚ范围内介电性能的测量．在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰，记为α峰，其激活能为０５０±０，０１ｅＶ，频率因子ｖ＝１．４４×１０９．而在降温过程中，除α峰外还出现了另一介电弛豫峰，记为β峰，其激活能为 ０．５１±０．２ｅＶ，频率因子Ｖ＝２．４４×１０６．α峰和 β 峰均可用 Ｄｅｂｙｅ方程来描述，而其相对强度呈此消彼长的趋势．分析了Ｇｄ：ＰＷＯ中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系，并讨论了它们与ＰＷＯ晶体闪烁性能变化之间的关系．     

超负磁致伸缩晶体Sm—Fe,Sm—Dy—Fe和Sm—Dy—Fe—Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅｘ（１．４０≤ｘ≤１．９４），ＳｍｘＤｙ１－ｘＦｅｙ（０．８４≤ｘ≤０．９２，１．８０≤ｙ≤１．９０），Ｓｍ０．９０Ｄｙ０．１０（Ｆｅ０．９５Ａｌ０．０５）１．８０晶体的制备，热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能     

HgCdTe晶体ACRT-B法生长过程的分凝特性研究

在定量估算的基础上，明确了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体ＡＣ－ＲＴ－Ｂ法生长过程轴向溶质再分配的 经条件，导出了计算公式。以ＨｇＴｅ－ＣｄＴｅ伪二元相图为基础进行了计算表明，按照远红外控制器要求的成分配料（ｘ０＝０．２２），仅在晶锭的某一部分可获得符合成分容差的晶体，而采用其它相近的成分配比也能获得符合成分要求的晶体，采用ｘ０值更小的槽糕成分获得的满足成分要求的晶段更长，并且位于结晶质量较高的晶锭前段‘     

光参量产生中KTP晶体的φ角调谐特性

分析了当用波长为１．０６μｍ的激光泵浦ＫＴＰ晶体产生光参量作用时，晶体绕ｚ轴旋转的φ角调谐特性，并计算了φ角调谐曲线。结果表明，当φ角在０－９０°范围内变化时，信号光的波长将在人眼安全波段内，１．５９１－１．５４２μｍ之间变化，此外还设计了用于调谐的角角同状ＫＴＰ晶体。     

生物材料PCL的晶体结构

用ＷＡＸＤ方法测定了生物高分子材料ＰＣＬ的晶体结构。求出晶胞参数数ａ＝０．７４７２ｎｍ，ｂ＝０．４９９５ｎｍ，ｃ＝＝１．７０５０ｎｍ，Ｖ＝０．６３６３ｎｍ＾３及晶体密度Ｄｃ＝１．２０ｇ／ｃｍ＾３；ｚ＝４属正交晶系；对称性分离，属Ｐ２２２空间群，Ｎ＝２，分子链构橡为ＰＺ型，并给出了晶结构模型。     

高质量钨酸铅(PWO)晶体的生长

用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ;晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］;下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ;生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ,加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％;在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ;光伤＜５％．     

各国管制“克福隆”农药残留量

各国管制“克福隆”农药残留量‘’克福隆”是一种有机氯杀虫剂，它的英文名称为ＣＦＺ（Ｃｈｌｏｒｆｌｕｏｚｕｒｏｎ）。该农药是一种无味、白色的结晶体，熔点为２２８℃、在２０℃下的溶解度为；水＜０．０１ＰＰｎ。；甲醇：０，２５％；二甲苯；０．２５％。经过毒...     

YCOB晶体生长与激光倍频性能研究

坩埚下降法沿＜０１０＞和＜００１＞方向生长了直径达到２５ｍｍ的完整透明的Ｃａ４ＹＯ（ＢＯ３）３ （ＹＣＯＢ）晶体．化学腐蚀结果表明，所生长晶体无孪晶或亚晶界等缺陷，晶体尾部的位错密度 不超过１８００／ｃｍ２测量了ＹＣＯＢ的透射光谱，其截止波长为２００ｎｍ进行了ＹＣＯＢ晶体对 Ｎｄ：ＹＡＧ激光的二次倍频实验．通过与ＫＤＰ晶体对比，计算出ＹＣＯＢ晶体的有效非线性系数 在Ⅰ型相位匹配方向（θ，φ）＝（６６．３°，１４３．５°）和（６５．９°，３６．５°）上分别为１．４５ｐｍ／Ｖ和０．９１ｐｍ／Ｖ； 大于ＫＤＰ和 ＬＢＯ晶体．在脉冲宽度１０ｎｓ的 Ｎｄ：ＹＡＧ激光单脉冲辐射下ＹＣＯＢ晶体出现体 损伤的激光损伤阈值不低于８５ＧＷ／ｃｍ２．     

PbF2：Gd,Eu晶体X射线激发的发射光谱

用脱氧剂非真空环境下、Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在０．１￣０．２ｗｔ％的ＰｂＦ２：β晶体。本文报导Ｘ射线激发ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的Ｇｄ＾３＋发射。揭示了分别来自＾６Ｐ和＾６Ｉ多重态３１２．５和２７７．４ｎｍ发射带，而＾６Ｄ→＾８Ｓ发射被点阵再吸收。＾６Ｉ的发射强度低于＾６Ｐ，说明＾６Ｐ能级优先占据。室温下以Ｘ射线激发在３６８．９和８１４．５ｎｍ之间观察到１４条Ｅｕ＾３＋     

实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体

用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制,测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ_２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度）,控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法,可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时,过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体,发现随着过饱和度的增大,晶体的生长速度加快,晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长,提高了晶体生长的均匀性,抑制了生长层和散射颗粒的产生,有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值．     

Li2B4O7材料制备及性能的研究

采用Cz法生长出优质的Li2B4O7(LBO)单晶 ,开展了压电性能及应用的研究,同时用Maker条纹测量了晶体的二次谐波系数d31 和d33.用温梯法制备了LBO微晶玻璃,开展了热激发电子发射(TSEE)性能的研究.     

PMN-PT驰豫铁电单晶及其超声换能器性能研究

测试了PMN－PT（67／33）切型铁电单晶的机电性能,分析了该晶体与常用压电材料在微观结构和机电性能上差异。对该压电单晶未调末调制下纵向长度伸缩振动模超声换能器性能进行了理论分析。讨论了压电单晶的机械和介电损耗对超声换能器性能的规律。     

用ATR法测量晶体的压电系数和电光系数

提出了一种测量晶体压电系数和电光系数的新方法。晶体厚度和折射率的变化导致衰减全反射(ATR)谱的同步角发生移动,进而引起反射率的变化。选择两个不同阶导模的工作角,施加电压分别测出反射光强的变化,可得到压电系数和电光系数。反射率相对于厚度和折射率的灵敏度分别可达到10^8m^-1和10^3。该方法可同时测量压电系数和电光系数,测量灵敏度高,样品结构简单,实验装置简便,所需的测量电压低。     

非铁电压电极性微晶一维生长驱动力分析

利用熔融法制备了BaO-SrO-TiO₂-SiO₂玻璃,并在温度梯度条件下制备了极性微晶Ba_2-xSr_xTiSi₂O₈沿c轴一维取向的压电玻璃陶瓷.用X-ray衍射分析和扫描电镜对极性微晶的取向生长结构进行了分析.建立了极性微晶沿c轴取向生长的模型,其结果与实验结果相一致.结果表明在光滑的表面,温度梯度方向和偶极子电场方向都是沿c轴晶格能大的方向,其共同作用的结果使极性微晶沿c轴一维取向生长.     

Mn(C_2Cl_3O_2)Cl(C_(12)H_8N_2)_2的合成、表征及其纳米晶体参数计算

以Cl3CCOOH、1,10-菲罗啉为配体,以MnCl2·4H2O为金属离子盐,通过溶液蒸发法合成了具有纳米级金属骨架的三元配合物Mn(C2Cl3O2)Cl(C12H8N2)2。通过元素分析、红外光谱、X单晶衍射测得配合物属于单斜晶系,其空间群为P21/c,a=1.8155nm,b=1.0638nm,c=1.4685nm,β=112.9°,z=4,V=2.6110nm3。通过纳米化计算的方法,计算出总晶胞数、总原子数、及表面参数随粒径变化的关系,得出Mn(C2Cl3O2)Cl(C12H8N2)2最佳纳米化尺度为115nm。     

三羟甲基氨基甲烷砷酸盐单晶的研究

三羟甲基氨基甲烷砷酸盐单晶是我们发现的一种新的有机晶体.用降温法可以从水溶液中生长出光学质量的大单晶。在室温下,该晶体属于单斜晶系,空间群为 P_2_1.其晶胞参数为:a=823.16(15)pm,b=617.99(15)pm,c=985.60(28)pm,β=104.77(19)~·.本文首次报导了该晶体在可见光范围内的折射率及其 Sellmer 方程。     

分凝对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38%PbTiO3单晶的成分及介电、压电性能的影响

研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62／38单晶在其生长过程中的分凝现象，研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响。XRFA分析表明，PMNT62／38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol%，而顶部的PT含量为43mol%。底部晶体（001），（110）和（111）三种切型的晶片加电场极化后，其介电和压电性能出现了异常的现象。（110）切型的压电模量最大，为1200pC/N；（111）次之，为789pC/N；（001）最低，为371pC/N。极化后的（110）和（111）晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数（两种切型的εr都在10000左右），约为（001）晶片（εr-5000)的1倍，并且介电常数在低温端有上升的趋势。     

分凝对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38%PbTiO3单晶的成分及介电、压电性能的影响

研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol％,而顶部的PT含量为43mol％.底部晶体(001),(110)和(111)三种切型的晶片加电场极化后,其介电和压电性能出现了异常的现象.(110)切型的压电模量最大,为1200pC/N;(111)次之,为789pC/N;(001)最低,为371pC/N.极化后的(110)和(111)晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数(两种切型的εr都在10000左右),约为(001)晶片(ε_r-5000)的1倍,并且介电常数在低温端有上升的趋势.     

弛豫型铁电晶体92%PZN-8%PT的熔盐法生长

本文报道了弛豫型铁电晶体９２％ＰＺＮ－８％ＰＴ的熔盐法生长。单晶最大尺寸超过２５ｍｍ,为Ｒ３ｍ的空间群。讨论了工艺条件特别是原料、冷阱技术、温度梯度等对晶体生长的影响,测定了该晶体的部分重要的压电性能。     

多次压电效应对压电石英物性系数的影响

为改善石英器件与产品的性能以适应并推动微/纳机电系统技术的发展,从理论和实验两方面系统地研究了多次压电效应对压电石英弹性系数、压电系数和机电耦合系数等物性系数的影响.理论分析表明,外应力作用下多次压电效应对压电石英弹性系数及压电系数的影响分别是多次逆和多次正压电效应综合作用的体现.采用与压电石英晶体并联一个远大于其等效电容量的电容器的实验方法,测试了多次压电效应对石英物性系数的影响,获得了三次压电效应时石英的压电系数为0.04 pC/N,比未考虑多次压电效应时提高了1.75%,所对应的机电耦合系数亦增加了1.75%.