在不锈钢上电沉积烧结Cr_2O_3－Y_2O_3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８ＮｉｇＴｉ不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧结生成Ｃｒ２Ｏ２－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究末沉积试样与具有不同［Ｃｒ３＋］和［Ｙ３＋］配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等，来探讨１Ｃｒｌ８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

蓝色SrS：Ce薄膜电致发光矩阵屏

采用ＳｒＳ：Ｃｅ作为发光层制备了可用于彩色薄膜电致发光显示的较大面积的蓝色薄膜电致发光显示屏。非矩阵屏在１ＫＨｚ驱动时最高亮度是９００ｃｄ／ｍ２；矩阵屏亮度为３０ｃｄ／ｍ２；矩阵面积为４０ｍｍ×７５ｍｍ，象元数为８０×１５０线，象元面积为０３ｍｍ×０３ｍｍ。ＳｒＳ：Ｃｅ蓝色发光粉是采用Ｈ２法还原ＳｒＳＯ４得到的。对不同的合成方法及结构，Ｃｅ３＋浓度对ＰＬ性能的影响等进行了较系统的分析。     

Tm：YAG和Ho：YAG单晶光纤的光谱及Cr~（3＋）的敏化作用

测量了Ｔｍ３＋和Ｈｏ３＋离子的吸收谱以及Ｃｒ３＋离子在ＹＡＧ单晶光纤中的Ｒ荧光线的寿命．用Ｄｅｘｔｅｒ理论讨论了Ｃｒ３＋离子的能量转移效率。结果表明Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋的能量转移效率比Ｃｒ３＋→Ｈｏ３＋的大．     

铜离子注入对半导体BaTiO3陶瓷PTCR特性的影响

应用阻抗谱，结合阻温特性测量分析铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０＾１５和１×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２）半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷的ＰＴＣＲ特性。结果表明，注入剂量较低时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应。认为注入的铜离子以Ｃｕ＾２＋和Ｃｕ＾＋同时存在于ＢａＴｉＯ３材料晶界处并发生电子转移，起着电子陷阱作用。     

球面上极小超曲面的Laplacian谱特征

研究了单位球面Ｓ＾ｎ＋１中Ｃｌｉｆｆｏｒｄ极小超曲面Ｍｍ，ｎ－ｍ及常平均曲率超曲面Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２的谱特征，证明了超果Ｓ＾ｎ＋１中极小超曲面的满足适当条件的二组谱集和Ｍｍ，ｎ－ｍ的二维谱集相同，则该超曲面必是ｍ，ｎ－ｍ。如果Ｓ＾ｎ＋１中的常平均曲率超曲面的三组满足条件的谱集和Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－ｒ＾２）的三组谱集相同，则该超曲面必是Ｓ＾ｎ－１（ｒ）×Ｓ＾１（√１－     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶格结构之间的定量关系,同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好,证明了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位的存在,同时得到ｒ＾３＋离子的Ｆ＾－离子向中心Ｃｒ＾３＋离子分别移动Ｘ１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ２＝０．００１ｎｍ,     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶格结构之间的定量关系;同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好．证明了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位的存在;同时得到包围 Ｃｒ^３＋离子的 Ｆ^－离子向中心 Ｃｒ^３＋离子分别移动Ｘ_１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ_２＝０．００１ｎｍ,Ｘ_３＝０．００２６ｎｍ．ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体基态的ＺＦＳ主要来自Ｃｄ^２＋空位,但晶格畸变的贡献是不能忽略的．     

再论三价铬对铬酸镀硬铬的影响

采用镀硬铬溶液，用电解法改变镀液中Ｃｒ＾３＋的含量，考察Ｃｒ＾３＋浓度对硬铬镀镀液和镀层性能的影响。结果表明，随着硬铬度液中Ｃｒ＾３＋含量的升高，镀液分散能力和电流效率下降，光亮区电流密度范围减小，而镀液的深镀能力，镀层硬度及其耐磨性随Ｃｒ＾３＋含量的升高出现极值。     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

壳聚糖（CHT）吸附Cr（VI）的机理研究

动力学研究表明，ＣＨＴ能迅速和有效的从水溶液中吸附铬（ＶＩ），在初始铬（ＶＩ）浓度２０ｍｇ／Ｌ和ｐＨ３．２时，ＣＨＴ对铬（ＶＩ）的吸附１小时内可达９０％，按Ｌａｇｅｒｇｒｅｎ方程计算出一级速率常数为３．０５ｈ＾－１，吸附平衡的实验数据符合Ｌａｎｇｍｅｒｕｉｒ和Ｆｒｅｕｎｄｉｃｈ关系式，光谱研究表明，壳聚糖中－ＮＨ３＾＋与Ｃｒ２Ｏ７＾２－离子的相互作用主要是以氢键形式存在的静电引力。     

壳聚糖（CHT）吸附溶液中微量铬（Ⅵ）的研究

本文对壳聚糖ＣＨＴ吸附Ｃｒ（Ⅵ）的条件，吸附选择性进行了研究，研究结果表明，ＣＨＴ质子化后吸附的最佳条件是Ｃｒ（Ⅵ）溶液ｐＨ３￣４；吸附平衡时间１０￣１２小时，Ｃｒ（Ⅵ）浓度不大于６０ｍｇ·Ｌ＾－１。     

O＋HO2反应碰撞的理论研究

使用多体项展式分析势能函数，研究了Ｏ＋ＨＯ２反应碰撞的经典轨迹，指出存在二个反应通道，即（１）Ｏ＋ＨＯ２→ＯＨ＋Ｏ２和（２）Ｏ＋ＨＯ２→ＨＯ２＋Ｏ。在室温下，求得反应（１）的近似速度常数为（４．１±０．０６）×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｃｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１，与实验值（５．４±０．９）×１０＾１１符合甚好；反应（２）的速度常数为５．４×１０＾－１３。对反应（１），总能量的７２．５％分配于产物     

离子注入对Cr12MoV钢表面组织结构和力学性能的影响

研究了Ｃｒ１２ＭｏＶ钢离子注入层的显微组织特征及其对表面性能的影响。结果表明，离子注入使Ｃｒ１２ＭｏＶ钢的表面硬度和耐磨性能得到显著改善，且存在着一个最佳的注入剂量，约为３×１０＾１＾７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２左右。离了注入在Ｃｒ１２ＭｏＶ钢表面层中形成了大量细小弥散的第二相粒子，并使α－Ｆｅ晶格发生严重畸变，从而引起材料表面强化。     

超微粉石墨层间化合物CuCl_2-NiCl_2-GICs合成及电学性能

常规的ＧＩＣｓ合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨，这里采用超微粉石墨作原料，进行受主金属氯化物ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣ的合成研究。使用山东南墅石墨（３０００目）、Ｃｕ－Ｃｌ２和ＮｉＣｌ２（５ｎ：０．５∶０．５摩尔比），在５２８℃、真空度１０．３Ｐａ条件下，得到超微粉的ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣｓ，ＳＴＥＭ单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀。合成的１，２，３和４阶ＧＩＣｓ的电导率分别为１．５３６×１０４，１．６３８×１０４，３．７７３×１０４，和５．７２７×１０４。而石墨原料的电导率为１．８５１×１０４，从整体来看合成的ＧＩＣｓ的电导率是石墨原料的０．８－３倍。对比合成的ＧＩＣｓ的电导率发现，阶数不同，电导率不同，并且随着阶数的升高，电导率增大。     

三价铬镀铬液中甲酸根和硼酸的连续测定

提出了用ｐＨ计连续滴定三价铬镀铬液中甲酸根和硼酸的测试方法，采用碱性条件下煮沸，除掉干扰离子Ｃｒ＾３＋和ＮＨ４＾＋，酸化后进行测试，用二次微商法进行数据处理，得到了令人满意的结果。     

在不锈钢上电沉积烧结Cr2O3—Y2O3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔ９不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧生成Ｃｒ３Ｏ４－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究未沉积试样与具有不同配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等。来探讨１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

铬掺杂对PZT-PMN陶瓷材料性能的影响

采用ＴＥＭ、ＳＥＭ、ＥＳＲ（电子自旋共振）结合常规压电性能测试手段研究了Ｃｒ_２Ｏ_３掺杂对ＰＺＴ－ＰＭＮ陶瓷的压电性能、微结构及畴态的影响．压电性能测试结果表明,当Ｃｒ_２Ｏ_３含量低于０．０６Ｗｔ％时,可使Ｋ_ｐ和Ｑ_ｍ同时提高,这说明铬掺杂同时兼具“软掺杂”与“硬掺杂”的双重特性．此外,还发现随着烧结温度的提高,材料性能“硬化”明显．ＥＳＲ谱分析表明,Ｃｒ离子主要以Ｃｒ^３＋和 Ｃｒ^５＋的方式共存,随着烧结温度的提高,它有从高价态 Ｃｒ^５＋或Ｃｒ^６＋向低价态转变的趋势,这一价态变化被认为是材料性能随烧结温度提高而“变硬”的主要原因之一．ＴＥＭ图片显示,随着掺杂的Ｃｒ_２Ｏ_３的浓度的增大,由于氧空位或受主离子与氧空位构成的缺陷复合体对畴壁的钉扎,电畴将从正规带状畴向波纹状畴转变．     

Fe（OH）3中微量金属离子对水热合成α—Fe2O3粒径的影响

本文研究了某些金属离子（Ａｌ＾３＋、Ｍｎ＾２＋、Ｚｎ＾２＋、Ｃｒ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋）Ｆｅ（ＯＨ）３凝胶经水热法合成的α－Ｆｅ２Ｏ３微粉颗粒大小的影响。研究结果出现，随着金属离子的浓度在一定范围内（０．０１０－０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）的增加，α－Ｆｅ２Ｏ３颗粒有减小的趋势。其中加入Ｃｏ＾２＋（０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）、Ｍｎ＾２＋（０．１００ｍｏｌ·Ｌ＾－１）可以得到粒径为７５ｎｍ     

离子束增强沉积工艺参数对Cr-N膜层组织结构的影响

利用离子束增强沉积技术, 在 Ｓｉ （１１１） 和 Ｇ Ｃｒ１５ 轴承钢基体上沉积 Ｃｒ Ｎ 镀层研究氮分压、 Ｎ^＋ ＋ Ｎ^＋_２ 离子轰击能量和 Ｎｉｏｎｓ Ｃｒ ａｔｏｍｓ 到达比对镀层组织结构的影响结果表明, Ｃｒ- Ｎ 镀层组织对氮分压敏感, 随着氮分压的增加, 镀层中 Ｃｒ Ｎ 组份增加, 金属 Ｃｒ 及 Ｃｒ_２ Ｎ 组份减少; 随着氮离子轰击能量的增加, Ｃｒ- Ｎ 镀层中 Ｃｒ Ｎ （２００） 择优生长; 但当 Ｎ ｉｏｎｓ/Ｃｒ ａｔｏｍｓ 比从１４５ ×１０ ^{－ ２} 增至５.８７ ×１０ ^{－ ２} 时, 镀层中 Ｃｒ Ｎ 组份非但没有增多, 反而使镀层中的 Ｃｒ 以 Ｃｒ_２ Ｏ_３ 形态存在.     

小型活塞环电镀硬铬的常见故障

小型活塞环的圆柱体外侧面（称工作面）与汽缸的配合属于小间隙动配合,在工作时摩擦频繁。为了使其经久耐用,工作面常采用电镀硬铬层。综合考虑各种因素,常用镀铬工艺规范为：ＣｒＯ３２３０～２７０ｇ／Ｌ,Ｃｒ３＋２～５ｇ／Ｌ,ＣｒＯ３∶Ｈ２ＳＯ４＝１００∶１（...