Sr掺杂量对La1—xSrxMnO3—δ离子导电性能的影响

本文从Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３－δ材料的缺陷结构出发,探讨了材料在高温条件下离子（氧离子）导电的形成机制。分析了Ｓｒ掺杂量牟氧离子导电性的影响,发现当Ｓｒ掺杂量Ｘ＝０．５时,Ｌａ１－ｘＳｒＭｎＯ３－δ材料的离子导电率达到最大,因为在这一掺杂浓度时,材料中形成了最佳的氧空（氧离子）传输通道。     

可测10^—^12Pa压力的离子谱规

从电子激发解吸(ESD)离子引起的测量误差出发,考察了。Lafferty 发明的热阴极磁控规和 Benvenuti 和 Hauer 改进的 Helmer 规的测量下限。在此基础上研制了一种新的热阴极全压规一离子谱规,它可以在低至10~(12)pa 的压力范围内完全避免 ESD 离子所引起的误差。其结构特点是:1.采用能使气相离子和 ESD 离子具有大的能量差的球形栅极离子源;2.采用具有高能量分辨率的180~(?)半球形离子能量分析器,以提高离子聚焦能力并降低 X 射线下限;3.采用可降低热阴极出气量的在铝合金法兰内掩埋离子收集极的技术。在一台新的铝制 XHV 系统上,进行了以 Mo 和 Pt 作栅极的两种新规的性能研究,通过引入 O_2进行实验证实了气相离子和ESD 离子的有效分离。对 Pt 栅规,当压力低至10~(-11)pa 时,可完全消除 ESD 离子误差。新规的测量下限和灵敏度分别为:Mo 栅规:Px<2×10~(-12)Pa,S=4.5×10~(-4)A/Pa;Pt 栅规:Px<5.6×10~(-12)Pa,S=1.8×10~(-4)A/Pa。     

Cu~(2+)掺杂Mn_(1.5)Cr_(1.5)O_4材料的结构及其红外辐射性能

采用高温固相反应,在950℃下制备了Cu2+离子掺杂的Mn1.5Cr1.5O4红外辐射材料。利用热分析(TG-DSC)、XRD、红外光谱(IR)、拉曼光谱和红外辐射测试等方法测试样品的结构和红外辐射性能,研究了体系中Cu2+离子在晶体中的存在方式和Cu2+离子含量对样品红外发射率的影响。结果表明,掺杂的Cu2+离子以占据着尖晶石结构的四面体位置而存在于晶体材料中;体系中随着Cu2+离子含量的增加,样品的红外发射率不断变大,当体系中CuO含量为30%时,材料的红外发射率达到最大值,此时1~22,8~14和3~5μm波段的平均发射率分别为0.946,0.937和0.929。     

Ti—O／Ti—N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性…

采用离子增强沉积等方法在热解碳，钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ，Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分，结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。     

非晶态Fe—Cr合金电镀中的阳极材料

在非晶态Ｆｅ－Ｃｒ合金电镀中，电解池结构和阳极材料至关重要。本文采用单，双室电解池（两室用Ｎａｆｉｏｎ离子膜连通）和纯Ｆｅ，Ｐｔ，石墨为阳极材料进行了电沉积实验，根据镀液组成变化，镀层结构和质量，确定了最佳电极材料和电解槽形式。     

甲苯传感器的制作及特性

采用溶胶-凝胶法制备了NASICON(钠超离子导体)固体电解质材料.利用XRD分析了所制备材料的结构,材料的平均粒径约为22nm.以NASICON为离子导电层,Sm_2O_3为敏感电极制作了具有良好敏感特性的C_7H_8气体传感器.在430℃工作温度下,器件对(5-50)×10~(-6)C_7H_8的灵敏度为-75mV/decade.并且对C_7H_8具有较高的选择性和良好的响应恢复特性,器件对5 × 10~(-6)和50×10~(-6)C_7H_8的响应时间分别为45和35秒,恢复时间分别为8和60秒.对器件的敏感机理做以简要的分析.     

稀土元素La~(3+)、Nd~(3+)和Y~(3+)对NASICON型固体电解质的掺杂改性研究

采用固相法制备了稀土元素La、Nd和Y掺杂的NASICON型Na_(3+x)Zr_(2-x )M_xSi_2PO_(12)钠离子固体电解质材料,并探讨了La、Nd和Y的掺杂对NASICON材料致密性和电化学性能的影响。结果表明:相同比例掺杂情况下,La、Nd和Y的掺杂均能改善NASICON材料的致密程度,并表现出良好的电化学性能,其中La掺杂的固体电解质材料离子电导率最佳,室温下总离子电导率可达到(1.09×10~(-3))S/cm。     

氧化锆固体电解质的特征氧分压测定

ZrO_2的特征氧分压 P_n 即在它的离子电导率与其电子电导率相等时的氧分压是表征固体电解质的离子迁移数的重要参数。本文讨论了 P_n 的测定原理,并用极化电动势法结合恒流方波脉冲技术测定了 ZrO_2(8.2mol%MgO)的 P_n,在测定的温度范围内 P_n 与绝对温度 T 的倒数表现出较好的线性关系,并能以 lgP_n=17.72-5.921×10~4/T 来表示。根据所测的 P_n,估计了材料在任何氧分压时的离子迁移数并计算了材料表现为优良的快离子导体时所能应用的氧分压范围。本文还对实验结果和数据处理进行了讨论。     

部分离化束法的Si—Si同质结外延

一、前言 Si外延方法是很多的,但如何实现低温外延仍然是当前尚待解决的问题之一。最近发展起来的离子束外延是解决该问题的一种途径。部分离化束外延是一种形式的离子束外延,其特点是具有一定数量和能量的离子参与了薄膜的外延过程。引入离子的目的是为了使外延材料的质点通过电场的加速而被赋与远高于热动能的附加能量,并且因为材料质点以离子形式存在,其化学活性也会相应地大大提高,从而能有效地影响薄膜的淀积过程,其结果就是降低了薄膜外延生长的温度。     

La—Y—Si3N4陶瓷的高温性能

研究了Ｌａ－Ｙ－Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的高温力学性能、氧化行为和抗热震性能。结果表明，晶界玻璃相对高温性能有重要影响，在室温￣１３５０℃的范围内，随温度升高，Ｓｉ３Ｎ４的抗弯强度降低，断裂韧性增加；在１３００￣１３５０℃的温度范围内，Ｓｉ３Ｎ４的氧化符合抛物线规律，氧化过程主要由晶界处添加剂离子和杂质离子的扩散过程控制，由于热应力导致裂纹的产生和扩展，使得热震后材料的性能降低。     

N—(对硝基苯基)—N’—(甲氧基羰基)硫脲及其铜(Ⅰ)配合物的NMR研究

利用~1H—~1H COSY,HMQC等2D NMR技术对一种新的配体N—(对硝基苯基)—N’—(甲氧基羰基)硫脲(H_2pmt(Ⅰ)进行~1H、~(13)C NMR谱数据分析与归属;对于它与Cu~+离子配位的化合物Cu(H_2pmt)_2Cl(2)也作了~1H、~(13)C NMR的测定,归属了它们的所有谱线,对于它们的化学位移与配位行为作了简单讨论。     

MXetronics—MXene电子学

超薄的过渡金属碳氮化合物MXenes,作为一大类新兴二维(2D)材料,是当前材料研究热点方向之一。自2D材料发现至今已有近20年,以石墨烯、过渡金属硫族化合物、黑磷等为代表的2D材料在微纳电子领域经历了相对广泛且深入的研究, MXenes自2011年诞生以来在微纳电子领域的研究也方兴未艾。MXenes拥有丰富的元素结构组成和独特的物理化学特性(表面亲水性、功函可调、官能团可调、电和离子快速传输特性、表面离子激元、光热电、电磁吸收等),使其在微纳电子领域具有潜在的应用前景。Alshareef课题组近几年致力于将MXene引入到微纳电子领域,并在2019年用MXetronics来定义MXene电子学这一新兴的学术领域。本文简要总结和评价了该领域的代表性进展,梳理了包括微电子级的合成、加工、物性探索和器件应用等方面面临的挑战,最后指出一些关键的研究方向和尚未探索的细分领域。     

La空位和Sr离子掺杂对La-Ca-MnO材料磁性能的影响

用溶胶-凝胶法制备了La位空位掺杂La_(0.7-x)Ca_(0.28)Sr_(0.02)MnO_3(x=0.00~0.10)系列样品和Sr离子掺杂La_(0.77-x)Ca_(0.2)Sr_xMnO_3(x=0.00~0.10)系列样品,研究了La位空位掺杂和Sr离子掺杂对样品相结构、居里温度和磁熵变的影响。结果表明,两个系列样品都在近室温有较大磁熵变,对于钙钛矿La-Ca-MnO_3型材料,在La位含少量空位的基础上进行Sr离子掺杂,对居里温度和磁熵都有较积极的调节作用。     

导电离子迁移率测试系统的设计及其应用研究

根据直流极性反转法设计了导电性合成材料的离子迁移率测试系统，该系统可方便地测试不同导电导材料的离子迁移率。根据测出材料导电离子迁移率的大小和复阻抗谱法测得的体电阻，可求出相应的离子数目，由此可以分析导电性合成材料的导电机理，并举了实例说明。     

真空—紫外辐照设备的研制

为研究真空—紫外辐照对空间材科的损伤,研制了真空—紫外辐照设备.介绍了设备的真空测试室,超高真空机组及紫外光源等部分的构成情况:以 L—600型溅射离子泵为主泵组成无油超高真空机组,工作压力为10~(-6)帕;卧式结构的真空测试室,设置了石英玻璃窗口,以满足样品辐照要求;特制的紫外光源可辐射200至300毫微米的远紫外谱线.最后介绍了用单向碳纤维材料板制备的试样所进行的紫外辐照、红外辐照和超高真空条件下的质量损失试验,并作了初步的试验结果分析.     

自由离子存在下的α—甲基苯乙烯阴离子聚合反应研究

用电导法研究了2,5,8-三氧壬烷(IG)浓度为40％,(体积比)时,n-BuLi引发的α-甲基苯乙烯阴离子聚合反应。证实了此时存在自由离子,并用Krauss法求出了该体系的自由离子解缔常数(1.64×10~(-5)M,20℃)。     

导电离子迁移率测试系统的设计及其应用研究

根据直流极性反转法设计了导电性合成材料的离子迁移率测试系统 ,该系统可方便地测试不同导电导材料的离子迁移率。根据测出材料导电离子迁移率的大小和复阻抗谱法测得的体电阻 ,可求出相应的离子数目 ,由此可以分析导电性合成材料的导电机理 ,并举了实例说明     

360keV Ar^3＋离子辐照聚碳酸酯薄膜的红外光谱研究

用付里叶变换红外光谱研究了３６０ｋｅＶＡｒ~（３＋）离子辐照聚碳酸酯薄膜的化学结构变化。氩离子辐照剂量为１．３×１０~（１２）～６．５×１０~（１３）离子／ｃｍ~２。结果表明，化学降解是聚碳酸酯薄膜主要的结构变化。此外，氩离子辐照也形成了ＯＨ基团、新的羰基团和碳化。     

Ni10+离子辐照Ni-Mo-Cr合金微观结构演变和硬化的研究

室温下对钍基熔盐堆(TMSR)中候选合金结构材料Ni-Mo-Cr合金进行了能量为132MeV的Ni 10+离子辐照研究,辐照剂量分别为1dpa、3dpa和9dpa。X射线衍射仪(XRD)分析显示离子辐照后Ni-Mo-Cr合金发生晶格畸变,维氏显微硬度的测量结果表明高剂量的离子辐照造成Ni-Mo-Cr合金的硬化,这主要归因于辐照导致材料内部形成大量缺陷。当辐照剂量为9dpa时,维氏硬度测试结果表明损伤的峰值出现的深度介于8.1~12.3μm之间,此结果与理论计算相吻合。     

基于离子阻挡法测量电子-离子混合导体中离子电导率的研究

近年来, 具有诸多新的物理性质和优良热电性能的类液态材料获得了研究人员的广泛关注。离子电导率对理解这类热电材料中的离子迁移行为非常关键。但是, 由于类液态热电材料中的离子电导率在总电导率中的贡献很小, 因此很难利用传统方法精确测量其离子电导率。本研究基于Yokota提出的离子阻挡法, 尝试利用自主搭建的设备测量类液态热电材料的离子电导率。本文详细介绍了该设备的基本构造、测试原理以及测试步骤, 分析了帕尔贴效应/塞贝克效应、离子析出、电压测试点的位置和氧化挥发等因素对测试准确性的影响, 并提出了相应的解决方案, 成功测量了几种具有代表性的类液态热电材料的离子电导率。