离子交换预分离富集-ICP-AES测定钽中微量杂质元素

采用强酸型阳离子交换树脂分离富集钽中微量杂质元素,然后采用ICP-AES测定其中银、铋、镉、镓、铟等杂质元素。方法检出限可达ng/g,回收率在90%以上。     

Sc,La对Al-Mg焊料中杂质元素偏聚的调控作用

采用金相显微镜、扫描电镜、能谱分析和X射线衍射仪,研究了添加微量钪、镧对铝镁焊料中杂质元素偏聚的调控作用. 结果表明,在铝镁焊料合金凝固过程中,铁、硅等杂质元素在晶界有偏聚效应,添加微量钪、镧可以降低铁、硅杂质在晶界的偏聚浓度. 钪与镧减轻杂质元素在晶界偏聚的效果存在差别,添加钪的合金比添加镧的合金晶界处杂质元素偏聚强度明显减弱. 造成这种差别的原因是,钪、镧对杂质元素偏聚的调控机制不同.     

Fe70Ni30合金粉体触媒及合成金刚石中杂质元素的原子发射光谱分析

为了分析合成金刚石中的杂质元素,以粉体Fe70Ni30合金触媒及石墨为原料,用静态高压技术合成出金刚石,分别对触媒和金刚石进行了原子发射光谱分析.测试结果表明:触媒里具有Co、Ca和Mn等22种含量值在0.0001～1.5 wt %之间的杂质元素;合成金刚石中有含量值在0.00005 ～ 0.02 wt %之间的Fe、Ni和Ca等10种杂质元素.这些杂质元素对金刚石质量和性能的影响进行了定性讨论.采用粉末触媒合成金刚石,其合成晶体中含有一定量的杂质元素是很难避免的,除合理采用合成工艺外,还可以通过严格控制原材料纯度等一些措?来降低合成晶体中杂质元素的含量,进而提高合成金刚石的质量.     

ICP-AES法测定钕铁硼磁体中的元素含量

建立了钕铁硼合金中镝、铁、镨、钕、钆、钬、铝、硼、铜、钴、镓、铽、铈和锆各元素的电感耦合等离子体发射光谱分析(ICP-AES)方法.采用盐酸(1+1)溶液溶解样品,定容后用ICP-AES检测.为了提高测量准确度,减小基体效应对元素测量的影响,对高含量元素50倍稀释后进行测试,低含量元素则通过基体匹配法进行检测.进行了加标回收实验和精密度实验,各元素的回收率为83％～114％,相对标准偏差0.1％～1.5％,结果表明,该方法满足钕铁硼样品元素含量分析的日常检测要求,具有操作简便、快速、准确度高等特点.     

TBP萃取剂从铜阳极泥盐酸-氯气浸出液中选择性萃取金（英文）

铜阳极泥的盐酸-氯气氧化性浸出会导致大量杂质元素如Fe、Cu、Pd、Se等的溶解。以TBP作为萃取剂,采用标准的溶剂萃取实验方法,等体积有机相和水相来萃取分离Au、Pd、Pt、Fe、Cu和Se等元素,研究TPB浓度、HCl和氯离子浓度对杂质分离效果的影响。结果表明,在有机相中TBP浓度为0.25 mol/L、水相中HCl浓度为2.5 mol/L的条件下,可以得到高的金萃取率。同时,其他杂质元素的萃取可以忽略不计。对负载有机相采用蒸馏水进行洗涤,可以去除部分杂质元素。采用硫代硫酸钠溶液进行反萃,反萃液中不含任何杂质元素。在反萃液中加入硫酸,反应产生的SO_2气体可还原金离子。     

杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极电化学性能的影响

采用Al-Zn-In-Mg-Ti合金作为阳极材料,杂质元素分别为Fe、Si和Cu,通过控制变量法,对牺牲阳极进行电化学性能测试。讨论了杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极电化学性能和表面溶解状态的影响。评价了不同杂质元素对Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极腐蚀防护性能的影响。结果表明:当Fe元素含量控制在0.1%左右,Si元素含量控制在0.1%左右,Cu元素含量控制在0%的情况下,Al-Zn-In-Mg-Ti牺牲阳极腐蚀防护性能最佳。     

发射光谱法同时测定纯铂中21个杂质元素

本文结合国内外各分析方法的长处，对纯铂中杂质元素的测定进行了研究，采用粉末试样直流电弧激发摄谱，同时测定了纯铂中的21个杂质元素，各元素测定的相对标准偏差≤25％，方法简便，适用范围广，可用于99．9％－99．995％Pt中杂质元素的分析。     

氧化除钌-ICP-AES法测定钌化合物中的杂质元素

利用四氧化钌易挥发的特点，将钌溶液用高氯酸冒烟去除钌，用ICP-AES测定样品中杂质元素。对钌基体干扰、高氯酸用量、杂质元素分析谱线、仪器分析参数等进行了研究，确定了最佳实验条件。结果表明，采用高氯酸冒烟，可将试液中钌含量降低至50 μg/mL以下，有效消除钌对杂质元素的光谱干扰。方法具有较宽的测定范围，对三氯化钌样品中20个杂质元素测定的相对标准偏差(RSD，n=9)为2.0%~3.5%，加标回收率在86.3%~118.0%之间，可满足钌化合物中杂质元素的测定要求。     

WC-Co合金中立方相与杂质相的识别和分析

本文采用金相、扫描电镜及能谱分析方法，研究了WC-Co合金的立方相、再生合金的杂质相，对其进行识别和分析，并探讨了立方相的微观结构及其作用机理，为公司生产工艺控制提供数据支持。结果表明：在合金中加入的添加剂TaC、NbC等形成（Ta,Nb,W）C立方晶体碳化物的立方相，再生合金杂质元素构成含杂质元素的氧化物、氯化物的杂质相，利用SEM及EDS可以识别和分析合金中的立方相及杂质相。     

ICP—AES法测定纯铂中的杂质元素

1.引言采用化学方法分离富集试样中的杂质元素,然后用ICP-AES法测定之,是充分发挥ICP特性和有效利用直读光谱仪分析下限的途径.文献用JY-38型顺序扫描等离子光谱仪测定纯铂中15个杂质元素时,标准中不配进基体,对于固定检测型的仪器分析线波长不能选择.同时,考虑到从铂基体中将杂质元素分离出来,其难度大流程长,故采用不分离基体的方案. 配合贵金属冶金产品的有关研究工作,我们用ICPQ-1015直读光谱仪研究了纯铂中13个杂质元素的测定方法.     

CMP中薄膜厚度问题研究

就目前CMP建模当中没有考虑到芯片表面的薄膜氧化所需时间对模型建立所产生的影响,以至最后模型的预测结果与试验结果相差甚多的问题进行探讨.在基于理论分析的基础上提出以椭偏仪法测定出芯片表面薄膜生成厚度与浸泡时间精确的对应关系.试验结果表明:在模型建立时,芯片表面薄膜厚度的生成时间对模型的建立有着重要影响,精确测定其时间对应关系将有助于使得所建模型的预测结果与试验结果进一步吻合.     

钩形件弯曲工艺及多工位级进模设计

对钩形件的弯曲成形工艺进行了分析和计算 ,设计了钩形件的多工位级进模。该级进模有预弯、成形和切断等3个工位 ,预弯在切断棒料以前完成 ,导料和定位准确 ,弯曲过程中的接触摩擦已改变为滚动摩擦。实践证明 ,工件的表面质量好、尺寸精度较高 ,且操作方便、生产效率高     

控制单工序锻件变形均匀性的研究

以单工序锻件为研究对象，对提高锻件变形均匀性的优化设计进行了研究。给出了优化设计的目标函数，确定了优化设计的设计变量和设计方法，并对一典型的轴对称H型锻件进行了优化设计，取得了明显的效果。     

变速箱操纵盖压铸模设计方案改进

通过对五十铃变速箱操纵盖压铸模设计方案的分析与改进 ,提高了产品合格率 ,延长了模具使用寿命 ,并阐明了合理设计与布置浇注系统在压铸模设计中的重要性。     

独立学院的法律地位探析

在我国探索多种办学模式的过程中,独立学院是依托高校的社会声誉、教育资源等无形资产,按民办机制运行的一种新的办学模式。在实施过程中,独立学院存在许多问题,而法律地位的确立对于其生存和发展非常重要。本文从教育法学的角度,通过分析独立学院与政府、社会、投资方、所依托的高校以及它与教师、学生的法律关系,来探讨独立学院的法律地位。同时,针对目前确立独立学院法律地位的现实问题,提出了一些合理化建议。     

径向冲孔模设计

对盒体零件的冲孔工艺方案进行了分析,介绍了各种冲孔工艺方案的优缺点,从而确定了利用凸轮机构,实现了该零件的径向冲孔。介绍了该模具结构及工作过程,给出了零件的工艺计算方法,提出了模具的设计方法,为解决同类零件的冲孔提供了参考。     

用科学发展观统领创新型大学建设

创新型大学是一种建立在创新基础上的大学组织形式,其核心理念和核心竞争力是创新。建设创新型大学是应对知识经济挑战和建设创新型国家的需要,是加快研究型大学自身发展的必然选择。必须用科学发展观统领创新型大学建设,大力推进教育创新、科技创新和管理创新。     

曲面板件三维模型表面数据的提取与平置处理

在板件冲压成形模具的计算机辅助设计与制造过程中首先要分析板件的表面数据,阐述了曲面板件三维模型数据的提取与分析方法,将板件模型进行平置处理,并计算板件成形时的模具压力中心,同时,结合水泵叶片模型数据,阐述叶片三维模型表面数据的提取与处理过程.该方法为曲面板件成形模具的设计及其自动化加工提供了一种数据处理的途径.     

我国大学学院地位浅析

学院制是当今国内外大学通行的大学内部管理形式.从理论上讲,学术地位应是学院地位的核心,行政权力只是为学院的学术地位服务的.但在现实中,学院的学术地位低、行政权力虚,且地位既不确定也不稳定,还不同程度地存在着责、权、利分离的现象.影响学院现实地位的原因很复杂,既有大学的办学理念和发展定位,也有学院的设置依据、重点职能及其完成情况,还有学院规模、特色、财力状况、人际关系、开放性、下设专业的现状和发展前景等.这样的地位现状对大学使命和职能的完成也会造成不良的影响.通过分析,本文还对大学学院的未来地位做了方向性的预测.     

大学批判本性探析

批判是大学的本质属性,大学正是以理性主义和理想主义为基石,从它诞生之日起就是社会的批判中心,追求理想和诉诸理性是大学批判本性核心要素的解构。因此,从大学之批判的本性入手,才能更好把握大学批判精神的内涵。