德国TRENKER公司推出--制作高精度金刚石切割片的新方法

半导体材料如硅、砷化镓等的高精密切割对金刚石切割片的精度和使用寿命要求极高。为了满足这种要求，德国TRENKER磨料磨具技术公司开发了一种制作这种专用金刚石切割片的新方法。这种金刚石切割片还可用于玻璃、宝石、陶瓷等材料的切割。     

太阳能电池硅转换材料现状及发展趋势

目前太阳能电池工业转换材料绝大多数都采用硅，而硅材料主要来自于半导体工业的废料。作为硅集成电路和器件用的多晶硅原料的生产普遍采用西门子法。随着光伏产业的迅速发展，来自半导体级硅的废料预计不会明显增加。因此，将不能满足太阳能电池用硅的需求，硅原料已经成为光伏产业发展的最主要的瓶颈之一。为了满足太阳能电池工业健康发展。研究开发一个不依赖于半导体硅生产的低成本太阳能级硅供应体系是非常必要的。     

抛光剂的制造与使用

本发明是关于一个可以加工出极高表面精度的抛光剂。比如，许多作为重要零件的玻璃材料的抛光，硅化合物，像硅片一样的半导体材料的抛光，在半导体设备制造过程中硅化合物的隔层绝缘膜的抛光．以及抛光剂的生产方法和使用方法。     

β-FeSi2基热电材料的研究进展

介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法。评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面取得的重要大进展。其中掺杂Co,B元素可得到N型β-FeSi2基半导体材料,且掺杂Co,在850K最大ZT值为0.4;而掺杂B,高于800K时Z值是未掺杂3￣6倍,在667K最大Z值为1.18×10-4K-1。掺杂Mn,Cu,Al可获得P型β-FeSi2基半导体材料,掺杂Mn在873K时最大Z值达2×10-4K-1;掺杂Cu可缩短β相的生成时间;掺杂Al,在743K获得的最大Z值为1.55×10-4K-1。指出通过结构优化、组分调整,进一步提高β-FeSi2基合金的热电性能。     

液膜分离富集、测定镓

用TOPO[(C8H17)3PO]为流动载体，N2O5为表面活性剂，液体石蜡为膜增强剂，正己烷为膜溶剂，H2C2O4作内相试剂的乳状液膜体系，迁移富集Ga^3 。研究了乳状液膜的稳定性、温度、Ga^3 的浓度、外相pH值、乳水比(Rew)、油内比(Roi)等因素对富集Ga^3 的影响。实验结果表明，在适宜的条件下，Ga^3 富集率可达99.5％～100.5％在相同条件下，常见共存Cu^2 、Co^2 、Cd^2 、Ni^2 、Mn2 、Fe^3 、Al^3 、Cr^3 、Ti^4 、Zr^4 、Pb^2 、Zn^2 、Sn^4 、In^3 、碱金属离子、碱土金属离子等不被迁移富集：大量Cl^-、F^-、NO3^-、SO4^2-、PO4^3-等都不影响富集Ga^3 ，高硅试样预先用氟化氢除硅，以防止影响迁移富集Ga^3 ，只有Ga^3 可与这些离子相互分离。此法用于富集测定铝土矿，铜矿和烟尘等中的镓，结果相当令人满意。     

浸入式水口用难黏附材料的开发

作为解决连铸用浸入式水口Al2O3黏附问题的手段，采用了无碳的Al2O3-SiO2系难黏附材质配置在浸入式水口的内孔。但从预热到浇注时间长时，或低温浇注时，钢水会凝固在水口的内表面。本文将研究低熔点硅的添加量，提高表面平滑度的材质，并评价其黏附效果的特性。     

用Si_2Cl_6作渗剂的低温气体渗硅法

使用六氯化二硅作为CVD(化学气相沉积)原料,可以低温气相合成SiC或Si_3N_4涂层。此外,在金属成合金气体渗硅时,使用Si_2Cl_6可比用Si_2Cl_4处理温度低50～300℃,可实现处理温度的低温化。六氯化二硅(Si_2Cl_6)是一种沸点为144℃的无色透明液体,业已报道,如果将这种Si_2Cl_6作为CVD原料,与以往使用Si_2Cl_4作原料的方法来比,可在更低的温度下合成SiC或Si_3N涂层。作者最近还发现,在金属或合金表面进行渗硅处理时,作渗剂比用     

非晶态半导体结构模型

一些实验事实表明,非晶态半导体的最近邻关系与晶态相近,对晶态半导体结构的了解是讨论非晶态半导体结构模型的基础.最常见的半导体结构是硅、锗的金刚石结构,每个原子有四个最近邻,组成四面体.可以取这种四面体作为模型的结构单元.其它半导体在形成非晶态时,其键长和键角也常常与它的晶态结构相近,如一些硫属玻璃.     

抚顺铝厂有两台区域熔炼炉

抚顺铝厂现有两台高纯铝区域熔炼炉，但正常生产用一台，于2001年投产，经二次域熔炼可在室6N-7N纯度的超纯铝。该厂区域熔炼用的原料为4N9的高纯铝。超纯铝主要应用于高技术领域，用于半导体工业约占96%，其余的用于超导工业部门。     

制造应变仪用的非晶合金

作为应变仪用非晶材料，要求电阻温度系数（TCR）小、电阻高而且是非磁性的。过去用的TCR小而电阻率高的无磁非晶合金，往往由于含硅很高，熔体快淬急冷时非晶化困难，难以制得可满足要求的高性能非晶合金膜，以致不适合用于制作高测量精度的应变仪。为解决上述问题，日本精机公司开发了TCR小、电阻率高的高硅非晶合金，其化学组成式可表示为（1）NiaSibBc和（2）NidMeSifBg，并利用真空镀膜技术使之在绝缘体上形成薄膜。式中之N羌、St、B含量均以at％表示，a＋b＋c和d＋e＋f＋g实质上均为10o，并满足以下关系式：60≤a≤74，16．5…     

化学镀镍活化或诱发方法

综述了化学镀镍中的钯活化法、N型半导体氧化物活化法、镍有机酸盐热解活化法以及用于导体的诱发方法.并选择黄铜作为基体,通过实验比较了几种活化或诱发方法.     

半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.     

氮掺杂锐钛矿TiO2的电子结构与光学性质的第一性原理计算

用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了氮掺杂锐钛矿TiO2的电子结构和光学性质。研究了氮掺杂对TiO2能带带隙的影响,计算结果表明,随着N的掺入,TiO2能带间隙减小,同时TiO2由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体,电子跃迁的几率增大。掺杂N之后,TiO2的静态介电常数变小,同时在介电函数中,虚部在低能量处就出现峰值。     

电子器件的金刚石基衬底

本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法,包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片;在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层;将硅晶片的厚度减少至预定水平;以及在所述硅晶片上提供第二表面,     

熔渗反应法制备MoSi2-SiC复合材料性能的影响因素

用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2-SiC复合材料，对制备过程的影响因素进行了分析。研究结果表明：在渗硅温度为1450℃时，反应生成颗粒细小、弥散分布的SiC相，从而使得材料具有较高的抗弯强度；当渗硅温度升高至1750℃时，生成的SiC相发生再结晶长大，使得材料强度下降。成型压力对熔渗硅样品强度影响不大。MoSi2-SiC复合材料的抗弯强度随SiC相含量的增加在增强相含量为40％时存在一极大值，这是由于当SiC数量超过40％后，SiC粒子的团聚、长大使弥散强化作用降低，从而使材料的断裂强度降低；复合材料电阻率随第二相含量的增加而增加。     

去离子水中N型硅的微细电火花加工工艺实验

对去离子水中N型硅的微细电火花加工工艺进行了实验研究,分别在加工效率、电极损耗、表面粗糙度等方面与煤油工作液中N型硅的加工进行了对比.通过大量的实验研究得出：在相同的电参数下,与煤油工作液中加工实验相比,以去离子水为工作液介质时微细电火花加工N型硅的加工效率更高,其工件表面粗糙度值基本相当,且其放电加工过程非常稳定,可知微细电火花加工N型硅时,去离子水是一种较好的工作液介质.     

纳米二氧化钛光催化性能与应用

传统的催化科学为人类做出了极为重要的贡献．在面向对世纪的过程中，光催化可能是处理各类废水最有希望的新技术之一．光催化降解技术的优点是工艺简单、成本低廉，在常温常压下就可氧化分解结构稳定的有机物，利用太阳光作为光源，无二次污染．尤其是80年代末同世的纳米TiO2，粒径介于1nm～100nm之间的光催化剂具有无毒、无味、无刺激性，耐热性好、不分解、不挥发、来源容易等特点，是最理想的光催化剂之一，有着诱人的应用前景．1纳米TiO2的光催化氢化理论基础”[1，2]光催化氧化法是以N型半导体的能带理论为基础，以N型半导体作敏化…     

Preparation of Nanoporous TiO2/SiO2 Composite with Rice Husk as Template and Its Photocatalytic Property

以稻壳为模板及硅原,采用溶胶凝胶法制备了具有高锐钛矿含量、高比表面积和较优光催化性能的TiO2/SiO2纳米孔复合材料。采用综合热分析仪（TG-DSC）、X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜、和N2吸/脱附手段对所制材料的热学性能、显微结构和化学组成经行了表征。结果表明,复合材料中锐钛矿型TiO2在700~800 ℃热处理后开始转变为金红石TiO2,1000 ℃转变完全。当处理温度在500~600 ℃时,纳米二氧化钛颗粒在稻壳引理生长,形成催化活性点。随着处理温度的升高,二氧化钛在稻壳孔隙结构表面形成层状结构。处理温度500 ℃时,TiO2/SiO2纳米孔复合材料具有最佳的催化性能,对甲基蓝的降解4 h达82%。     

硅对铸态铁素体球铁低温冲击韧性的影响

研究了硅对铸态铁素体球铁低温冲击韧性的影响。试验表明,当铸态铁素体球铁硅含量增加时,脆性转变温度也相应提高;若把-40℃作为汽车在寒冷地区行驶时的低温极限,把生产技术条件所要求的冲击值60J/cm~2作为脆性转变判别值,则铸态铁素体球铁件的终硅含量上限值可取为3.0％.     

硅对M3：2高速钢烧结致密性及组织的影响

研究硅添加量对真空液相烧结M3:2高速钢烧结组织和致密性的影响.结果表明,1230℃烧结后,添加硅会使M3:2高速钢的烧结致密性提高.随硅添加量增加,烧结M3:2钢的致密性首先增加,而后降低,在硅添加量为0.7wt%时可获得全致密的组织.硅添加量低于0.7wt%时,硅的添加会使高速钢基体中的奥氏体含量降低,马氏体含量增加,硬度提高.当硅添加量提高到3.0wt%时,高速钢基体组织由马氏体和奥氏体变为珠光体,硬度降低.同时发现,硅会抑制烧结高速钢碳化物的析出和长大,硅添加量为0.4wt%的M3:2钢的组织与硅添加量为0.2wt%及0.7 wt%的组织相比,碳化物含量高,晶粒尺寸细小.