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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 234 毫秒
1.
给出了静电堵漏会切装置中等离子体密度与磁场平方成正比的实验结果,证明了密度定标律是正确的。测得的最大平均密度为5.6×10~(11)cm~(-3),约束时间为3~5ms。用多栅分析器测量了电子和离子能谱。实验中发现存在两种离子温度,典型结果为80eV和140eV,阳极区的电位下降约-184V,最后对实验结果进行分析和讨论。  相似文献   

2.
一维位置灵敏电阻阳极低能重离子探测器   总被引:5,自引:4,他引:1  
本文讨论了微通道板电阻阳极低能重离子探测器的原理,给出了已研制成功的位敏电阻阳极离子探测器的结构和信号分析电子学线路。用 ̄(238)Puα放射源测量了位敏探测器在有效面积范围内的位置信号、位置线性和位置分辨。位置分辨好于0.3mm,已满足了离子原子碰撞的实验要求。  相似文献   

3.
利用横向磁场对离子束进行导向、分析和聚焦,已经成为日益发展的离子束应用技术中的一个重要环节。因此,研究离子束在横向磁场中的传输问题有着广泛的意义。实验是在离子轨道半径为1000毫米和1600毫米的两台磁分析器上进行的。用阻滞场方法测量了束电位。束电位的大小表征了束在传输过程中的中和程度和离子束的品质。  相似文献   

4.
本文用探测器描述和模拟工具GEANT在北京τ-C工厂(BTCF)中心漂移室中多次库仑散射对粒子动量分辨率的贡献进行了模拟计算,得到对动量0.5GeV/c的π垂直于磁场方向入射时的动量分辨率为0.18%×(1±1.6%)同时还用经验公式进行了估算与对比,两者的结果都表明当前中心漂移室的设计能满足BTCF对多次散射贡献的动量分辨率≤0.4%/β的要求。  相似文献   

5.
本文报导在0.005-0.06Pa压强范围内由微波电子回旋共振(ECR)氩等离子体点燃并维持的圆柱形磁控管溅射放电。利用光发射谱、多栅分析器及朗缪尔探针技术测量了在基片附近的等离子体微观参数及粒子密度随压强和微波功率而变化的一般趋势。结果发现,气体离子和中性溅射粒子的密度主要取决全微波功率,而在较小程度上取决于气体压强。在基片上溅射粒子、工作气体原子和离子的通量全都为同一量级,即10^16cm^-  相似文献   

6.
本文叙述了用多栅能量分析器测量静电堵漏会切系统中的离子积分能谱,从而得到离子温度、等离子体电位的原理和方法。结果得到离子温度为80eV和140eV,等离子体电位为—178V,测得双离子温度与国际同类装置中迄今报道的结果不同。着重分析和讨论了这种结果并对苏联的Jupiter-1中的结果提出了异议。  相似文献   

7.
研究了HNO3介质中U(Ⅳ),U(Ⅵ)和Pu(Ⅲ)的微分光谱和吸收光谱,讨论了H^+,NO^-3和HNO3浓度变化对这三种离子二次微分光谱的影响,并在此基础上,对U、Pu浓度进行了测定。在硝酸介质中同时测定U(Ⅳ),U(Ⅵ)和Pu(Ⅲ)的适宜硝酸浓度范围为2.5-3.0mol/l,相对偏差〈5.0%,对U(Ⅳ),U(Ⅵ)和Pu(Ⅲ)的检测下限分别为0.1、1和0.5mmol/l。  相似文献   

8.
用4πβ和4πβ-γ符合方法,对 ̄(153)Sm、 ̄(90)Y、 ̄(166)Ho和 ̄(186)Re放射性核素溶液活度进行绝对测量,分别对这4种核素完成了标准化。前3种测量结果不确定度为0.73%(1σ),对 ̄(186)Re核素测量结果不确定度为0.63%(1σ)。  相似文献   

9.
将点电荷模型和有效价键理论结合起来,发展成点电荷-有效键价模型理论。并利用这种理论模型研究了在高Tc氧化物超导体Y—124结构中被铁杂质原子所占据的有不同局域环境的铜晶位上的电场梯度和所对应的四极劈裂.利用这种方法建立了Fe(3+)离子在亚晶格尺度上的位移与其电场梯度和周围各离子有效化合价的关系.根据实验中的四极劈裂观察值,从理论计算结果中得到对应于Fe-O五配位的Fe(B’)离子将偏离CuO2面0.0195nm,而具有Fe-O六配位的Fe(B)离子将偏离0.0395nm.此两晶位上的电场梯度分别沿着+Z和-Z方向。这种点电荷-有效键价模型对高Tc氧化物超导体实验中晶位的指认和Fe(3+)的位移分析有重要的意义。  相似文献   

10.
用四端引线法测量了U-10Zr(即U0.77Zr0.23)合金在300-130K温度范围的电阻,计算出了此温度范围的电阻率。由电阻率-温度由线得到4个相变温度,分别为881、937、971和990K。根据Wiedemann-Franz定律计算了各温度的热导率值,它在880K以下的激光脉冲法得到的热导率值符合得很好。在880K以上的值和Leibowitz等得到的U0.75Zr0.25的热导率值相一致  相似文献   

11.
用示差扫描量热法(简称DSC法)测量了U0.77Zr0.23合金(w(Zr)=10%)在300 ̄1010K温度范围内的热容。在850K以下的摩尔热容合理地低于T.Matsui测得的U0.80Zr0.20的摩尔热容,而与由Y.Takahashi的数据经内插得到的U0.77Zr0.23的摩尔热容基本一致。热容曲线示出了4个相变峰,对应的4个相变焓分别为583、116、2810和263J/mol。它们不  相似文献   

12.
高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘昌龙  侯明东 《核技术》1998,21(8):449-454
用112MeV Ar离子以50K的低温辐照了〈111〉取向的单晶Si后在室温下采用X射线光电子谱(XRS)、电子顺磁共振(EPR)和红外光吸收(IR)技术对样品进行了分析。XPS分析结果表明,表面处Si以单元素和SiO2两种形式共存,辐照对这两种形式Si的2p轨道电子的结合能影响较小。EPR测量结果显示,Si中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量,当剂量为1.0×10^14-1.8×10^14cm^-2  相似文献   

13.
双能X射线骨密度仪测定技术研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以Lunar公司DPX-L型双能X射线骨密度仪为例,研究引起测量误差的主要因素并提出质控措施。用自检模块、腰椎体膜评定仪器的体外测量精度好于1%。对10位志愿者重复2次测量,体内精度对腰椎,MPD(平均百分差)为0.46,CV(变异系数)为0.75;对股骨颈,MPD为1.26、CV为0.47;Ward’s三角区MPD为2.01、CV为1.14;大转子MPD为1.66、CV为0.72。扫描图像由2位  相似文献   

14.
一维位置灵敏电阻阳极低能量离子探测器   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文论述了微通道电阻阳极低能重离子探测器的原理,给出了已研制成功的位敏电阻阳极离子探测器的结构和信号分析电子学线路,用^238Puα放射源测量了位敏探测器在有效面积范围内的位置信号,位置线性和位置分辨。位置分辨好于0.3mm,已满足了离子原碰撞的实验要求。  相似文献   

15.
用金硅面垒探测器和电沉积源测量了 ̄(238)Pu的α谱,再用多重峰α谱分析程序MULT对所测谱进行准确的分析,获得了 ̄(238)Pu衰变的α粒子辐射几率,其结果是:P_(α1)=0.7114(10),P_(α2)=0.2874(10),P_(α3)=0,00114(10)。  相似文献   

16.
离子收集式α探测器   总被引:3,自引:0,他引:3  
文章叙述自行试制的1台DL-01型α探测器。利用流动空气将α粒子在空气中产生的电离离子送入离子电离室内进行电流测量,电流值的大小与α源活度成比例,流动空气可将离子传送至数十厘米甚至数米以上。该探测器的电流探测限为35fA,灵敏度为(6.66±0.12)fA/Bq,在较宽的活度范围内,探测器有较好的线性。对在该装置上进一步降低本底电流及增加本底电流的稳定性、防止空气尘埃对电离室的污染、刻度仪器用α辐射源的选择等问题进行了讨论。仪器的刻度问题、污染物的大小以及不同部位的污染对测量结果所带来的影响等问题有待进一步研究。  相似文献   

17.
在0.5mol/l的酸性溶液中,用AgO将镎氧化到Np(Ⅵ),过量AgO用氨基磺酸破坏,在3mol/l酸度下,用Fe(Ⅱ)滴定Np(Ⅵ)至Np(Ⅳ),过量Fe(Ⅱ)用标准重铬酸钾回滴,用安培法指示其点。测定2mg镎时,精密度优于0.3%。与恒流库仑法进行样品核对,两种方法之间的相对偏差为0.22%,测定结果吻合。还作了在铀共存下镎的精密测定。  相似文献   

18.
飞行时间法测量离子飞散速度的主要探测器是电荷收集器——Faraday筒,它是等离子体测量简单实用的工具。 高功率激光束聚焦到平面固体靶上,仅在靶表面形成一薄层高温等离子体。当高温高密度等离子体在真空中膨胀时,它的大部份能量都变成离子的定向动能,距靶较远处电荷收集器测量到的离子流信号是高功率激光束产生的高温等离于体发出的。用电荷收集器测出离了的飞散时间,探测器位置一定(距靶65cm),即可得到飞散速度和等离子体的温度。  相似文献   

19.
前言磁分析器是用来分析含有不同动量成分的离子束,是核反应研究工作中必不可少的仪器之一。因为从加速器离子源中出来的离子束,不但成分不同,能量也不一样,质子比在最好的情况下是80%到90%,较差的只有30%左右。因而要迸行精确的研究工作,必须使带电粒子在经过磁场的偏转后得到具有单一能量、单一成分的粒子束。磁分析器的原理是基于带电粒子在磁场中的运动。当一带电粒子在磁场中运动时,它将受到一垂直于磁场及运动方向的力F:  相似文献   

20.
锆合金板织构的控制   总被引:6,自引:2,他引:6  
针对锆合金条带做PWRs燃料组件定位格架时,元件棒所受的夹持力会因中子辐照引起格架条带伸长而松弛的问题,本文归纳总结了变形温度对锆合金形变机理的影响以及轧制温度和热处理对织构的影响,提出通过改变轧制温度来控制锆合金横向织构取向因子(FT=0.4~0.5)是可行的。这样,垂直于轧向取条带制成定位格架后,经中子辐照,格架孔会产生收缩,元件棒夹持力的松弛也可得到补偿。  相似文献   

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