磁电转换器件

磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺制成,成功地解决了InSb薄膜材料制造技术、高迁移率InSb薄膜的热处理技术、多种材料的选择性腐蚀加工技术及InSb薄膜材料的欧姆接触技术等。锑化铟霍尔元件是单个霍尔元件中灵敏度最高、价格最低、用量最大的一种。主要用于     

无接触磁敏传感器

本文叙述了用锑化铟磁阻元件制成的无接触磁敏传感器的特点、种类、理论基础、工作原理和元件性能,并将国产W—1型锑化铟磁敏电位器与国外同类最佳产品作了比较。     

感受水平磁场的磁敏元件

在感受水平磁场的敏感元件中,最具有通用性的是强磁性体磁阻元件。本文就强磁性体磁阻元件的工作原理、材料、结构和应用领域加以概述。一、工作原理强磁性体磁阻元件是一种应用了在以金属(Ni、Fe、Co等)为主要成分的金属或合金薄膜上所特有的各向异性磁阻效应的元件。当以强磁性金属材料制成细长薄膜时,对平     

高灵敏度砷化镓霍尔元件及其应用

目前在日本市场上出售的霍尔元件有锑化铟、砷化镓、砷化铟、锗、硅等霍尔元件,以及硅霍尔集成电路,已公布的月生产计划为100万只。本文叙述离子注入法在砷化镓表面上形成薄膜层来制作霍尔元件。这种薄膜层,比用外延法形成     

一种检测弱电流的半导体磁阻式电流传感器

为了检测微弱电流，设计了一种适用于信号处理电路的InSb-Ink共晶体磁阻元件（MR）制成的半导体薄膜磁阻型电流传感器（MRCS）。此种电流传感器是用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的的，它取消了大容量的耦合电容，可缩小体积和改善频率特性。经计算选择特定的电路参数，使得电路输出信号为引起磁阻改变的微弱电流产生的磁场成正比关系，从而实现了微弱电流信号的检测，通过实验研究了此种电流传感器的工作特性，其通频带为7－1800Hz，被检测的弱电流信号可低至10mA，并且温漂得到良好的抑制，继而从理论上对其进行了分析。     

行业活动

一九八八年十一月下旬,机械电子工业部沈阳仪器仪表工艺研究所受部司委托,对该所研究成功的扩散硅液位传感器、薄膜InSb磁阻元件、硅杯加工工艺研究、硅荷重传感器、磁—温传感器、高稳定性霍尔元件、微型、超薄型砷化镓霍尔元件及传感器等十项科技成果,在沈阳举行技术鉴定,有关代表对各项     

半导体磁阻式电流传感器的信号处理电路设计

设计了一种可以对微变信号进行提取与放大的信号处理电路,它适用于InSb-In共晶体磁阻元件(MR)制成的半导体薄膜型电流传感器(MRCS).通过实验,研究了此种电流传感器的工作特性,其通频带为7Hz-1800Hz,并从理论上对其进行了分析.     

强磁体磁阻薄膜的研制

强磁体薄膜是制造强磁体磁阻器件的基础，也是制造强磁体磁阻器件的最关键的一道工艺，对于制备低功耗的强磁体磁阻器件，要求薄膜厚度很薄，约40mm，这对薄膜的制备工艺提出了更高的要求。本文主要论述了用真空蒸镀的方法制取低功耗强磁体磁阻器件用的强磁体薄膜的理论基础，并在所用材料、蒸镀方法、材料的配比、蒸发基底温度、热处理温度、膜层厚度等对薄膜的磁各向异性(△ρ／ρ0)的影响进行了详细阐述。     

1990年电子元器件市场开发展望

在1982年11月第10届电子技术元件与装配国际贸易博览会(西德慕尼黑)举办之前,慕尼黑贸易博览公司(MMG)提供了一份关于电子元器件方面的市场开发展望资料,现介绍如表1。表中;(1)半导体及电子管:半导体产品、电子管及真空元件和光电元件;(2)组合件:由元件构成的组合件,由薄膜或印刷电路工艺制成(或由底架安装等其他方法制成);(3)电子机械元件或机械元件:电子机械元件及组合件、监控及记录装置和机械零件;     

基于MEMS工艺的半导体电阻式气敏元件的研究

介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理,设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构,此结构以Si3N4/SiO2/Si3N4复合薄膜作为支撑隔热层,蜿蜒状多晶硅作为加热层,梳状Ag电极作为气敏薄膜信号电极,SiO2作为加热层与Ag电极的绝缘层,并在SiO2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连。该结构具有通用性,对不同气敏特性的材料均适用,且易于改进为组合结构或阵列结构。最后,对其工艺进行了阐述。     

a—Si：H薄膜光电二极管应用于数字照度计的研究

本文分析了工艺参数和结构设计对a—Si:H薄膜光电二极管的光谱响应、灵敏度和暗电流等主要特性的影响,推导出元件外接负载时光生电压与光照度的关系式,并引入临界照度概念,定量地讨论了元件的输出线性精度。同时,本文给出了元件应用于数字照度计时的光谱修正和放大电路。检定结果表明,元件性能明显优于单晶硅光电二极管等传统光电元件,在可见光检测领域具有广阔的应用前景。     

NXP推出新一代汽车位置传感器KMA210

荷兰恩智浦半导体日前宣布推出新一代汽车位置传感器KMA210。KMA210集成了恩智浦最新的磁阻传感器芯片以及基于恩智浦先进的绝缘硅（SOI）ABCD9工艺制成的独特信号调理ASIC电路。KMA210是新型磁性传感器系列中的首位成员，并属于完整的系统级封装解决方案，无需外部元件。KMA210专门为提高汽车应用的整体性能和稳健性而设计。     

液压缸用外置式磁感应位移传感器设计

针对液压缸内置式位移传感器安装工艺复杂、检修困难的问题,利用隧道磁阻(TMR)元件设计了一款外置式磁感应位移传感器。首先,对传感器的构成、工作原理及信号电路进行了设计和说明,通过Ansoft Maxwell电磁仿真平台建立了传感器模型;然后,对永磁环运动时的磁场状态及磁阻元件的输出信号进行了分析,提出了通过多个磁阻元件有效线性工作区叠加来计算永磁环位移的方法,并研究了液压缸缸筒对计算方法的影响;最后,利用实验装置对传感器的各项性能指标进行了测试。研究结果表明：在不同缸筒磁导率和厚度下,磁阻元件有效线性工作区对应的位移区间长度相等,传感器可对不同缸筒材质与厚度的液压缸进行测量,磁阻元件实际输出曲线的线性度为2.39%,精度为0.16%,满足测量误差小于1 mm时4%的线性度要求,传感器分辨率为0.008 3%,且其重复性较好,其设计是可行的。     

高性能InSb霍尔元件的设计

本文主要介绍了薄膜型ＩｎＳｂ霍尔元件的芯片图形设计和磁路结构设计，并给出了设计值范围。元件性能已得到实验验证，其主要参数指标达到了国外同类产品先进水平。     

NXP新一代汽车位置传感器KMA210问市

近期，恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V．）宣布推出新一代汽车位置感应器KMA210。KMA210集成了思智浦最新的磁阻传感器芯片，以及基于恩智浦先进的绝缘硅（s01）ABCD9工艺制成的独特信号调理ASJC电路。KMA210是新型磁性传感器系列中的首位成员，并属于完整的系统级封装解决方案，无需外部元件。据介绍，KMA210专门为提高汽车应用的整体性能和稳健性而设计。     

微加工气敏元件的结构设计与模拟分析

提出了一种基于MEMS工艺的薄膜型气敏元件结构，对其工艺进行了阐述。该气敏元件结构主要包括5层。采用ANSYS对气敏元件结构进行热模拟分析，得到了该结构的温度场和中心点响应的较优结果：响应时间3s，达到稳态时间28s，薄膜中心点稳态温度359．013℃。     

SiO钝化膜制备工艺技术

介绍了利用真空蒸镀的方法制作SiO钝化膜的工艺技术，并对工艺中的关键工艺、出现的问题进行了分析，给出了解决方案。最后介绍了SiO作为钝化膜在低功耗磁阻传感器中的成功应用，包括SiO的蒸发工艺参数、光刻腐蚀工艺。低功耗磁阻传感器的敏感膜由CO、Ni薄膜组成，由于CO、Ni材料的特殊性(容易氧化)，以致常用的高温钝化膜不能应用在这一领域。SiO钝化膜的成功研制使得低功耗磁阻传感器的灵敏度和可靠性有较大程度的提高，生产成本也进一步降低。     

国外半导体热敏电阻概况

半导体热敏电阻是仪器仪表中广泛使用的热敏元件,它可以将热(温度)直接转换为电量。热敏电阻早在三十年代就出现了,但那时因为材料和工艺都未过关,未能广泛使用。从五十年代以后,随着半导体材料和工艺的发展,解决了元件的质量问题,热敏电阻才大量的生产和广泛的使用。     

微梁结构热偶微波功率传感器的灵敏度分析

在微波技术研究中，微波功率是表征微波信号特性的一个重要参数。微波功率测量已成为电磁测量的重要部分，可应用于很多场合，如发射机输出功率（包括天线系统辐射的功率）和振荡器输出功率的测量，毫瓦计的校准，标准信号发生器的校准等。微波功率传感器是微波功率计探头中的核心元件。微梁结构热偶微波功率传感器选择具有低电阻温度系数的Ta2N和高热电功率塞贝克系数的Si作为热偶材料，利用半导体工艺和NEMS工艺制作。器件获得了比薄膜结构更高的灵敏度，并且具有动态范围大、零点漂移小等特点，此结构已有多种形式。着重从理论上分析了MIS结构对该传感器灵敏度的影响，并提出了一种新的结构设计，以进一步提高器件性能。     

微型执行元件

引言自动控制系统包括传感器,控制电路和执行元件三大部份。由于半导体集成电路和半导体传感器技术的逐渐成熟,使这两大部份可以做得很小,而且还可以集成在一块硅片上。于是提出了“如何突破传统的执行元件原理,研制出小型化的执行元件”。目前已提出三种小型化执行元件原理: (1)压电型执行元件:利用压电材料,加上交变电压后,产生线性运动。这已在小型化的往复式压力泵上作为活塞使用。 (2)利用形状记忆合金做成的微型马达:它可以产生旋转运动,已运用在人造手指的手关节中,使人造手指和人手指一样有三个活动腱。 (3)热气动执行器:利用电阻加热某腔体中气体,使腔中压力改变,从而偏转硅薄膜制成的腔体壁,产生线性运动。这运动着的薄膜可代替活塞。使用压电型执行元件,