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采用偏轴直流磁控溅射原位生长YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,以H3PO4为腐蚀液,采用化学湿刻工艺制作YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜微桥,微桥长10μm,宽5μm,在8mm微波源的辐照下,除观察到整数常压台阶外,还观察到n=1/2,1/5,6/5,9/5等分数常压台阶,分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。 相似文献
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设计了一种嵌入式的MPEG-2图像压缩编码系统。该系统在远端将摄录的图像实时地硬件压缩编码,然后通过MPC860T通信处理器构成的网络平台将编码后的码流通过以太网传送给视频服务器,视频服务器将网络上接收到的图像进行实时回放、存储。图像压缩使用Fujitsu的单片MPEG-2压缩编码芯片。该系统安装方便,网络配置简单灵活,具有较广阔的市场前景。 相似文献
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随机断续谱信号可以降低外部窄带干扰对于高频超视距雷达所产生的影响.但是由于雷达系统对于多普勒分辨率的要求,限制了在长达数百秒的相干积累时间内断续谱信号频谱选择的灵活性.本文针对速度分辨性能要求与抗干扰性能要求之间存在的矛盾,提出了使用一种将数个具有不同频谱分布的短相干积累时间随机断续谱信号子段拼接而成的信号.该种信号不仅保持了原有随机断续谱信号速度分辨性能,而且具有更高的频率选择灵活性以提高系统的抗干扰性能. 相似文献
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PZT压电纤维的制备及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的PZT陶瓷粉为原料,采用氧化物粉末装管法制备PZT压电陶瓷纤维.SEM分析显示,该陶瓷纤维呈圆柱型形貌,直径约为250 μm.分析了不同烧结温度下PZT陶瓷纤维的断面微结构及Pb含量变化,得出PZT陶瓷纤维的最佳烧结温度为1 000 ℃.XRD分析表明,此温度下烧结的陶瓷纤维呈单一的钙钛矿结构.实验结果表明,采用氧化物粉末装管法制备的陶瓷纤维大小均匀,结构致密,具有高长径比,克服了传统工艺不能制备结构致密的长纤维的缺陷. 相似文献
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将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 相似文献