微小电偶腐蚀电流的准确测定

为了更多地获得电偶腐蚀的信息并揭示其本质规律，提出了电偶腐蚀试验实时监测模型。通过选用不同设备对试样的电偶腐蚀微小电流的测量，结果发现：选用现成设备测量试样的电偶腐蚀微小电流时，测量电流波动非常大，噪声明显超过实际信号输入——电偶腐蚀电流。经自行开发研制的MCD01电偶腐蚀计可以准确的测量腐蚀电流，特别是微小电偶腐蚀电流。     

用双层辉光等离子法在钛表面制备的Ti-Pd合金层性能研究

采用双层辉光等离子冶金技术在纯钛表面制备了Ti—Pd合金层。其深度大约为90μm，Pd含量呈梯度变化，并出现了TiPd3，TiPd2，Ti2Pd3，Ti3Pd5，TiPd，Ti4Pd等6种化合物相和Pd相。合金层在100℃的NaCl饱和溶液＋HCl溶液以及40℃的8．6％H2SO4溶液中的耐缝隙腐蚀性能优于Ti0．2Pd合金；在室温80％H2SO4的溶液中，腐蚀速率仅为0．682mm／a，是Ti0．2Pd合金的18．2％：在室温30％HCl的溶液中，表面Ti—Pd的腐蚀速率仅为0．004mm／a，是Ti0．2Pd合金的12．5％。     

电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜层红外发射率的影响

在硅酸盐、磷酸盐及高锰酸钾的混合电解液中研究了不同电压对TC4钛合金微弧氧化膜层性能的影响,通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）分析了膜层的微观形貌、相组成及化学成分,用傅里叶变换红外光谱仪测试了样品的红外发射率。结果表明,随着电压的升高,膜层的厚度、粗糙度及红外发射率持续增加,膜层中Ti O2与Ti的特征峰逐渐减弱,非晶相成为主要的组成部分。结合XRD与XPS分析结果可推断膜层中主要元素Si、P、Mn均以非晶态存在。当电压为540 V时膜层发射率有较大幅度的增加并达到最大,在8-20μm的波段范围内平均发射率可达0.84。     

电压对TC4钛合金表面微弧氧化膜层红外发射率的影响

在硅酸盐、磷酸盐及高锰酸钾的混合电解液中研究了不同电压对TC4钛合金微弧氧化膜层性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析了膜层的微观形貌、相组成及化学成分,用傅里叶变换红外光谱仪测试了样品的红外发射率。结果表明,随着电压的升高,膜层的厚度、粗糙度及红外发射率持续增加,膜层中Ti O2与Ti的特征峰逐渐减弱,非晶相成为主要的组成部分。结合XRD与XPS分析结果可推断膜层中主要元素Si、P、Mn均以非晶态存在。当电压为540 V时膜层发射率有较大幅度的增加并达到最大,在8~20μm的波段范围内平均发射率可达0.84。     

TC4合金表面微弧氧化膜层耐蚀及摩擦性能研究

利用微弧氧化技术,硅酸钠、磷酸钠溶液体系,在TC4合金表面制备出硬度高、耐磨性好的陶瓷膜层。采用SEM,XRD分析了膜层的形貌特征和成分及相结构。在H2SO4及HCl溶液中的腐蚀研究表明,涂层腐蚀速率是基体的1/9;在3.5%NaCl溶液中进行极化曲线及交流阻抗测试,表明陶瓷膜层自腐蚀电位由基体的-0.29V提高到0.45V,腐蚀电流提高1个数量级,耐蚀性提高1个数量级;耐磨试验研究表明,膜层的摩擦系数为0.39,大于基体的0.28;摩擦40min情况下,膜层耐磨性能很好。     

钛合金表面微弧氧化膜层磨损性能研究

采用微弧氧化技术,以硅酸钠、磷酸钠溶液为电解液,在TC4钛合金表面制备出高硬度、高耐磨的微弧氧化膜层.用扫描电镜观测了膜层的显微结构,用X射线衍射分析其相组成,并对膜层进行了耐磨损和摩擦学性能实验.结果表明,膜层由过渡层、致密层和疏松层3层组成.其相组成主相为Al2TiO5,其次为Al2SiO5,并含有少量无定型SiO2.膜层的维氏硬度为8 470 MPa,是基体硬度的2倍多.采用45#钢作对磨副,载荷为5 kg,磨损时间20 min条件下,膜层的失重为0.25 mg,仅为基体的8%左右.     

红外高发射率涂层的研究进展

红外高发射率材料具有良好的辐射与吸收性能,可有效改善物体表面的辐射系数,增强辐射传热从而达到散热的目的。随着国防科技与工业技术的发展,高发射率材料已被广泛应用于航空材料、工业窑炉材料、建筑材料、电子、冶金等领域,其中涂层材料的运用占较大比重。目前,美国、英国等发达国家每年投入数亿资金用于高发射率涂层的研究,超薄、复合、多功能的涂层材料成为近年来主要的发展趋势。概述了高发射率材料的种类,比较了高发射率涂层几种制备方法的优缺点,并总结了影响涂层发射率的因素与提高发射率的途径。     

钛合金表面微弧氧化膜层磨损性能研究

采用微弧氧化技术,以硅酸钠、磷酸钠溶液为电解液,在TC4钛合金表面制备出高硬度、高耐磨的微弧氧化膜层。用扫描电镜观测了膜层的显微结构,用X射线衍射分析其相组成,并对膜层进行了耐磨损和摩擦学性能实验。结果表明,膜层由过渡层、致密层和疏松层3层组成。其相组成主相为Al2TiO5,其次为Al2SiO5,并含有少量无定型SiO2。膜层的维氏硬度为8470MPa,是基体硬度的2倍多。采用45#钢作对磨副,载荷为5kg,磨损时间20min条件下,膜层的失重为0.25mg,仅为基体的8%左右。     

微弧氧化技术在钛合金中的应用研究

介绍了微弧氧化技术在钛合金耐磨、耐蚀、生物涂层、电子涂层方面的研究及应用现状.微弧氧化技术制备的陶瓷涂层具有硬度高、致密的特点,提高了基体的耐磨、耐蚀性能;通过调整溶液组分,获得具有高生物活性的生物涂层和电子涂层等功能涂层.目前钛合金微弧氧化涂层的研究尚处于起步阶段,但研究表明微弧氧化技术在改善钛合金的使用性能方面具有广阔的应用前景.     

电压对TC4合金K2ZrF6–Na2SiO3–(NaPO3)6体系微弧氧化膜性能的影响

在K_2ZrF_6–Na_2SiO_3–(NaPO_3)_6电解液中研究了电压(420～510 V)对TC4合金表面微弧氧化(MAO)的影响。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)及拉伸试验机表征了膜层的微观形貌、相组织、元素组成和结合强度,用傅里叶变换红外光谱仪(FT–IR)测试了它们的红外发射率。结果表明:随着电压的升高,膜层厚度、粗糙度和结合强度均增大;膜层的主要相组成为TiO_2,Si、Zr、P元素分别以SiO_2、ZrO_2、NaH_2PO_4与Na_4P-2O_7的形式存在。膜层的红外发射率随电压增大而先升高后降低,在电压为480 V时达到最大值0.87,比420 V下所得膜层的红外发射率提高了7.4%。